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GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析 被引量:51
1
作者 钱可元 罗毅 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期236-239,共4页
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LE... 与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。 展开更多
关键词 功率型LED 倒装焊结构 散热性能 热阻
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大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析 被引量:43
2
作者 钱可元 罗毅 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期87-91,127,共6页
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED。对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复... 以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED。对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效。 展开更多
关键词 大功率 蓝光LED 白光LED 寿命试验 失效机理
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功率型白光LED研究进展 被引量:29
3
作者 钱可元 《中国照明电器》 2006年第3期1-7,共7页
综述功率型白光LED的研究现状和存在的问题,并着重从LED芯片、封装技术和半导体照明灯具三个方面对白光LED的研究方向进行详细的评述。为实现节能、高效、环保的半导体照明,在芯片方面重点开发功率型高效蓝光和紫外LED芯片的半导体照明... 综述功率型白光LED的研究现状和存在的问题,并着重从LED芯片、封装技术和半导体照明灯具三个方面对白光LED的研究方向进行详细的评述。为实现节能、高效、环保的半导体照明,在芯片方面重点开发功率型高效蓝光和紫外LED芯片的半导体照明光源,提高其发光效率;在封装方面研究照明用功率型LED的封装技术,并提高其光提取效率和空间色度均匀性和改善散热技术;在LED灯具方面开发功率型白光LED的半导体照明系统,设计LED专用驱动模块,研究半导体照明灯具的散热技术及其可靠性和色度均匀性问题,解决太阳能电池系统与LED照明系统的集成技术,以及降低半导体照明灯具的成本价格等是我们今后研究的重点。 展开更多
关键词 白光LED 半导体照明 固体光源
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有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征 被引量:22
4
作者 李海蓉 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期44-50,共7页
叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 ... 叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。 展开更多
关键词 有机电致发光材料 8-羟基喹啉铝 结构表征 ALQ3 有机电致发光器件
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低色温高显色性大功率白光LED的制备及其发光特性研究 被引量:19
5
作者 钱可元 罗毅 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1422-1426,共5页
用GaN基大功率蓝光LED芯片作为激发光源,分别用荧光粉转换法和红光LED补偿法制备了不同相关色温及显色指数的白光LED。对器件的发光特性研究表明,采用蓝光LED芯片激发单一黄色荧光粉,虽可以获得光通量和发光效率较高的白光LED,但其色温... 用GaN基大功率蓝光LED芯片作为激发光源,分别用荧光粉转换法和红光LED补偿法制备了不同相关色温及显色指数的白光LED。对器件的发光特性研究表明,采用蓝光LED芯片激发单一黄色荧光粉,虽可以获得光通量和发光效率较高的白光LED,但其色温较高,显色性较差;在黄色荧光粉中添加红色荧光粉,由于光谱中红色成分的增加,可降低器件的色温,并提高器件的显色性,但由于目前红色荧光粉的转换效率较低,致使器件的整体发光效率不高;采用蓝光LED芯片激发黄色荧光粉,同时用红光LED进行补偿,通过调整蓝光和红光LED芯片的工作电流以及荧光粉的用量,可获得低色温和高显色性白光LED,而且整体发光效率较高。 展开更多
关键词 大功率白光LED 低色温 高显色性 发光特性
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空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 被引量:10
6
作者 张旭 钱可元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期78-83,共6页
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的... 采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度 ,改善了器件的性能 ;而对于蓝色OLED ,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入 ,导致器件性能恶化 .这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响 。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 CUPC 绿色和蓝色OLED 注入势垒 空间电荷
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有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析 被引量:10
7
作者 何锡源 张旭 +2 位作者 郜朝阳 张福甲 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期336-341,共6页
采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7e... 采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si2p和Si2s峰渐渐增强。C1s和Si2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。 展开更多
关键词 光电探测器 PTCDA/P-SI 原子力显微镜 AFM X光电子能谱 XPS
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CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究 被引量:6
8
作者 郜朝阳 张旭 +2 位作者 何锡源 张福甲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期502-506,共5页
覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的... 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。 展开更多
关键词 界面电子态 XPS CuPc/ITO 界面分析 导电玻璃 有机发光器件 空穴 电极
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Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究 被引量:2
9
作者 李海蓉 +1 位作者 王延勇 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期351-356,共6页
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7... 用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV。分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态,C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于 401.0eV,对应于 C-N=C键;而 O原子主要与 H原子成键,其束缚能为532.8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、C1s、N1s、O1s、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和N1s峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。 展开更多
关键词 Alq3/ITO XPS 结构 表面电子状态 界面电子状态 电致发光器件 8-羟基喹啉铝 发光材料
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射频溅射FeTaN纳米晶软磁薄膜结构和磁性 被引量:3
10
作者 谢天 +2 位作者 白建民 魏福林 杨正 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期908-912,共5页
用射频反应溅射制备了FeTaN纳米晶软磁薄膜 .研究了薄膜结构和磁性与制备条件的依赖关系 .研究发现 ,当Ta的含量较高时 ,在N2 +Ar混合气氛中易形成沉积态薄膜的非晶结构 .适当的热处理后 ,α Fe纳米晶从中晶化生成 .
关键词 纳米晶 软磁性 非晶态 射频溅射 结构 磁性 FETAN
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Fe-Ta-N纳米软磁薄膜的结构和磁性 被引量:1
11
作者 马斌 魏福林 +2 位作者 杨正 余晋岳 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1999年第1期12-16,共5页
用磁控溅射法在Ar+N2混合气氛中制备了性能优异的具有纳米结构的Fe-Ta-N软磁薄膜。氮原子以间隙原子的形式进入纳米形态的α-Fe的晶格中,并引起了相应的晶格形变。随氮分压(pN2)的提高,α-Fe晶粒的尺寸迅速减... 用磁控溅射法在Ar+N2混合气氛中制备了性能优异的具有纳米结构的Fe-Ta-N软磁薄膜。氮原子以间隙原子的形式进入纳米形态的α-Fe的晶格中,并引起了相应的晶格形变。随氮分压(pN2)的提高,α-Fe晶粒的尺寸迅速减小,在交换耦合作用下,表现出优异的软磁性能,氮分压较高时(pN27%),Ta原子和N原子将形成Ta3N5化合物相,导致薄膜软磁性能的相应降低。 展开更多
关键词 软磁薄膜 特性 纳米晶粒 间隙原子 铁钽氮薄膜
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ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究 被引量:3
12
作者 张旭 钱可元 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期280-284,共5页
界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不... 界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。 展开更多
关键词 表面和界面特性 X射线光电于能谱(XPS) 化学位移 ITO/PTCDA/p-Si
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LED照明产品测试标准讨论 被引量:4
13
作者 马文波 《中国照明》 2007年第7期112-117,共6页
本文主要对美国和日本所制定的关于发光二极管(LED)的测试规范中一些需要注意的问题和测试方法进行了总结和归纳,并提出了建议,希望为我国制定半导体照明技术标准提供参考。
关键词 LED 照明产品 测试标准
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添加Ta对Fe-N薄膜结构和磁性的影响 被引量:1
14
作者 马云贵 +1 位作者 魏福林 杨正 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2001年第6期4-8,共5页
用反应溅射法制备了 Fe- N薄膜和不同 Ta含量的 Fe- Ta- N薄膜。研究了这些薄膜的结构和磁性与 Ta含量的关系。实验发现 ,Ta的加入有利于抑制薄膜中γ- Fe4 N相的生成。加入的 Ta部分取代了 α- Fe晶格中的 Fe原子形成了 α- Fe(Ta)固溶... 用反应溅射法制备了 Fe- N薄膜和不同 Ta含量的 Fe- Ta- N薄膜。研究了这些薄膜的结构和磁性与 Ta含量的关系。实验发现 ,Ta的加入有利于抑制薄膜中γ- Fe4 N相的生成。加入的 Ta部分取代了 α- Fe晶格中的 Fe原子形成了 α- Fe(Ta)固溶体 ,部分则沉积在 α- Fe晶粒边界与 N生成 Ta N化合物 ,抑制了 α- Fe晶粒在热处理过程中的长大 。 展开更多
关键词 Fe-Ta-N薄膜 相结构 晶格形变 软磁性 纳米晶 反应溅射法 钽掺杂
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蓝色有机发光材料LiBq_4的合成及其发光特性 被引量:1
15
作者 钱可元 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期367-372,共6页
蓝色有机发光材料的开发对于实现有机发光二极管(OLED)的全彩色化具有十分重要的意义。报道了蓝色有机发光材料8-羟基喹啉硼化锂(L iBq4)的合成及提纯,研究了L iBq4的光致发光特性,并用L iBq4作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究... 蓝色有机发光材料的开发对于实现有机发光二极管(OLED)的全彩色化具有十分重要的意义。报道了蓝色有机发光材料8-羟基喹啉硼化锂(L iBq4)的合成及提纯,研究了L iBq4的光致发光特性,并用L iBq4作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究了电子传输层A lq3的厚度及空穴缓冲层CuPc对器件电流-电压和亮度-电压特性的影响。结果表明,L iBq4的光致发光峰值波长为452 nm,器件ITO/PVK∶TPD/L iBq4/A lq3/A l的电致发光光谱峰值波长位于475 nm处,在25 V工作电压下其最高亮度约为430 cd/m2。但CuPc的加入加剧了器件中载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化。通过调整A lq3的厚度,同时在A lq3和A l阴极之间加入L iF薄膜以提高电子注入效率,获得了较为理想的实验结果。 展开更多
关键词 LiBq4 蓝色 OLED 合成 发光特性
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聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文) 被引量:1
16
作者 彭应全 张旭 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期767-771,共5页
用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构... 用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构几乎没有发生变化 ,但PVK分子的侧基和In2 O3 分子结构发生了变化 ,因为界面处存在大量的 ,不能用制备过程的空气污染来解释的C O键 ;在界面处 ,In2 O3 分子部分分解 ,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C O键 ;所产生的In原子则扩散至PVK内部。 展开更多
关键词 聚乙烯咔唑 铟锡氧化物 X射线光电子能谱 原子力显微镜 PVK ITO 界面电子状态
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有机电致发光器件薄层掺杂对复合区位置的影响
17
作者 彭应全 张旭 《飞通光电子技术》 2001年第4期208-214,共7页
以陷阱电荷限制传导模型为基础,研究了单层有机电致发光器件(OLED)的薄层掺杂对其复合区的影响。在掺杂区显著增加的陷阱电荷,它能引起有机层内全部陷阱电荷的重新分布,会导致复合区位置向掺杂层方向移动。同时本文对于实验数据进行了... 以陷阱电荷限制传导模型为基础,研究了单层有机电致发光器件(OLED)的薄层掺杂对其复合区的影响。在掺杂区显著增加的陷阱电荷,它能引起有机层内全部陷阱电荷的重新分布,会导致复合区位置向掺杂层方向移动。同时本文对于实验数据进行了必要的理论计算及分析,得出了陷阱电荷限制模式下OLED薄层掺杂效应的定性数值结果。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 陷阱效应 薄层掺杂 复合区
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蓝色有机电致发光器件的研制
18
作者 彭应全 +1 位作者 张福甲 张旭 《甘肃科学学报》 2002年第1期4-10,共7页
介绍了蓝色有机电致发光器件的研究现状、器件结构、工作原理 ,以及蓝色有机电致发光器件目前尚存在的一些问题 ,并为解决这些问题提供了思路 ,根据实验条件 。
关键词 蓝色 有机电致发光器件 工作原理 器件结构 半导体器件 蓝光显示
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实现光线分布随余弦m次方函数随意变换的光学设计方法
19
作者 刘红举 何锡源 +1 位作者 黄启赵 《中国照明电器》 2022年第5期17-24,共8页
本文运用能量守恒定律,以函数I(θ)=I_(0)·cos^(m)θ作为载体工具,建立偏微分方程,求解点光源自由曲面透镜,建立了一套使LED的发光强度呈现余弦的m次方函数分布的方法、达到光型及角度随意变换的目的,可在等光强分布、等亮度分布... 本文运用能量守恒定律,以函数I(θ)=I_(0)·cos^(m)θ作为载体工具,建立偏微分方程,求解点光源自由曲面透镜,建立了一套使LED的发光强度呈现余弦的m次方函数分布的方法、达到光型及角度随意变换的目的,可在等光强分布、等亮度分布、等照度分布等的光学设计中得到高效推广应用。最后运用本方法结合实际应用进行了等光强工矿灯透镜及等照度台灯透镜的设计,并取得了良好的效果。 展开更多
关键词 LED 自由曲面 能量守恒 偏微分方程 m次方函数 随意变换 透镜
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Study of nanocrystalline Fe—Al—N soft magnetic thin films
20
作者 谢天 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第7期725-729,共5页
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