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一种3.32 mW 0.1~2.0 GHz宽带接收机芯片设计
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作者 胡棒 张宸睿 +1 位作者 郑乐城 杨定坤 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期444-449,共6页
基于TSMC 65 nm CMOS工艺设计了一种工作频率覆盖0.1~2.0 GHz的宽带低功耗零中频射频接收机芯片。提出的接收机主要包含了无电感宽带低噪声放大器、无源混频器以及中频滤波器模块。其中,滤波器模块通过采用反相器替代了传统的跨阻放大... 基于TSMC 65 nm CMOS工艺设计了一种工作频率覆盖0.1~2.0 GHz的宽带低功耗零中频射频接收机芯片。提出的接收机主要包含了无电感宽带低噪声放大器、无源混频器以及中频滤波器模块。其中,滤波器模块通过采用反相器替代了传统的跨阻放大器或者有源低通滤波器,在降低功耗的同时避免使用大量电容、电阻,达到了低功耗、小型化的目的。提出的接收机电路通过Cadence Explore工具后仿真验证,在1.2 V的电源电压下,通道增益约为57 dB,通道噪声系数约低于5.4 dB,三阶输入交调点大于-16.2 dBm,输入1 dB压缩点约-9.7 dBm@2 GHz,中频带宽为190 MHz,带外抑制在30倍频处为83 dBc,电路总静态功耗仅3.32 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 无源混频器 反相器 滤波器 低功耗
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