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霍尔电流传感器 被引量：5
1
作者 李岐旺 卫薇 郑一阳 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1991年第1期7-10,共4页
本文介绍了该所研制的霍尔电流传感器的基本工作原理,主要性能和使用情况。
关键词 霍尔电流 电流传感器 传感器 振动
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霍尔电流传感器在电控及电气自动化系统中的应用 被引量：3
2
作者 郑一阳 《电气传动》 北大核心 1991年第3期28-33,共6页
用无接触测量电流的霍尔电流传感器在电力系统中已部分代替了原来的互感器而得到广泛的应用。本文简要介绍了这种传感器的工作原理及两种工作模式,指出它的优点,着重说明在交直流传动中的使用方法及使用中的注意事项。
关键词 应用 霍尔器件 电流传感器
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霍尔罗盘误差补偿算法及实验分析 被引量：2
3
作者 宋海明 韩海 +1 位作者 赵柏秦 郑一阳 《微计算机信息》 北大核心 2008年第25期187-188,213,共3页
研究了锑化铟(InSb)霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍尔罗盘精度达到了±2.46°,基本达到了实用要求。... 研究了锑化铟(InSb)霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍尔罗盘精度达到了±2.46°,基本达到了实用要求。本文还详细分析了影响罗盘精度的原因和以后改进的措施。 展开更多
关键词 霍耳器件 电子罗盘 误差补偿
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新型砷化镓Z元件 被引量：2
4
作者 郑一阳 《电子产品世界》 1999年第9期49-50,共2页
本文报导了砷化镓材料制作的Z元件，观察到S型负阻及相应的振荡波形，重点解决了S型负阻产生的原因及振荡机理，理论分析与实验相符。
关键词 Z效应元件 砷化镓 S型负阻 电流振荡波形
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高线性度外延及注入GaAs Hall器件
5
作者 郑一阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期505-508,共4页
讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强... 讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下 ,± 0 .0 4 展开更多
关键词 Hall器件 霍尔器件 砷化镓 线性度
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Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
6
作者 王守武 郑一阳 +1 位作者 郗小林 张进昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1983年第4期321-333,共13页
本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时... 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响. 展开更多
关键词 The TRANSFORMATIONS between stationary and TRANSIT DOMAINS in a GUNN device which has n^+-n-n^+ SANDWICH structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.When th
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锑化铟霍尔器件在电子罗盘中的应用研究
7
作者 宋海明 韩海 +1 位作者 郑一阳 赵柏秦 《电子测量技术》 2008年第3期118-121,共4页
本文研究了锑化铟(Insb)霍尔器件在电子罗盘系统中的应用前景。假设误差的形成为从圆到椭圆的变化过程,并利用该假设推导了椭圆误差补偿算法。证明了利用这种算法可以实现电子罗盘的自动校准,从而大量节约成本。这种算法应用于本实验获... 本文研究了锑化铟(Insb)霍尔器件在电子罗盘系统中的应用前景。假设误差的形成为从圆到椭圆的变化过程,并利用该假设推导了椭圆误差补偿算法。证明了利用这种算法可以实现电子罗盘的自动校准,从而大量节约成本。这种算法应用于本实验获得了最大±3.0°的精度,从而表明用锑化铟霍尔器件应用应用于电子罗盘并配合椭圆补偿算法达到了实际需要,并且采用这种方法研制的电子罗盘具有成本低、体积小、重量轻、可靠性高、使用方便的特点。 展开更多
关键词 霍耳器件 鱼子罗盘 误差补偿
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高纯GaAs中的等离子体振荡现象
8
作者 郑一阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1329-1334,共6页
报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件 ,它是由很薄的高纯 Ga As层构成 (1— 2μm ) ,在强电场 (大于 2 0 0 k V/ cm )下产生雪崩击穿 ,形成一个由电子和空穴组成的等离子体 ,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率 ,并强... 报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件 ,它是由很薄的高纯 Ga As层构成 (1— 2μm ) ,在强电场 (大于 2 0 0 k V/ cm )下产生雪崩击穿 ,形成一个由电子和空穴组成的等离子体 ,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率 ,并强烈地依赖于外磁场 ,因此可以做成振荡器及磁敏传感器 。 展开更多
关键词 体等离子体器件 振荡现象 砷化镓
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利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件
9
作者 郑一阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期67-71,共5页
本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式... 本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式的器件将能得到更广泛的应用. 展开更多
关键词 Hall器件 静止畴模式 GAAS
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