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分子印迹型g-C_(3)N_(4)电极伏安分析法检测磺胺甲噁唑 被引量：1
1
作者 王堤 武天恒 +2 位作者 刘蕊 郎丹梅 潘陆 《化学与粘合》 CAS 2023年第3期270-274,共5页
采用分子印迹技术与g-C_(3)N_(4)材料复合修饰玻碳电极(GCE),建立了伏安法快速测定磺胺甲噁唑(SMX)的新方法。通过SEM,XRD,FT-IR表征手段对所制备的分子印迹型g-C_(3)N_(4)(MIP-g-C_(3)N_(4))电极材料进行表征,并考察了缓冲溶液p H值对... 采用分子印迹技术与g-C_(3)N_(4)材料复合修饰玻碳电极(GCE),建立了伏安法快速测定磺胺甲噁唑(SMX)的新方法。通过SEM,XRD,FT-IR表征手段对所制备的分子印迹型g-C_(3)N_(4)(MIP-g-C_(3)N_(4))电极材料进行表征,并考察了缓冲溶液p H值对电流响应的影响,确定最佳的响应条件。实验结果表明,pH为6时,电流响应最为强烈。另外,采用循环伏安法对比探究磺胺甲噁唑在裸GCE、g-C_(3)N_(4)/GCE和分子印迹型g-C_(3)N_(4)/GCE电极上的电化学行为,结果表明:分子印迹型g-C_(3)N_(4)/GCE电极对磺胺甲噁唑测定的灵敏度显著地提高。该传感器测定SMX的结果具有较宽的线性范围(0.5~103.7μmol/L)和较低的检测限(2.5μmoL/L),回收率为99.45%~100.20%。 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) 分子印迹技术 磺胺甲噁唑 电化学传感
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