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影响金刚石薄膜生长因素的研究 被引量：3
1
作者 邵淑敏 吕向英 +7 位作者 于剑 丁乐礼 席光康 张猛 周志强 李胜林 彭华军 邵牟舟 《真空》 CAS 北大核心 1998年第4期17-22,共6页
本文用ＨＦＣＶＤ法对在硬质合金衬底上生长金刚石薄膜的诸多影响因素，如衬底的预处理、碳源浓度和热丝及衬底温度等进行了系统地研究并最终找出在该衬底上生长金刚石薄膜的最佳生长条件。
关键词 硬质合金衬底 金刚石 薄膜生长 HFCVD
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MOS模拟平方器的应用研究 被引量：3
2
作者 邵牟舟 秦世才 贾香鸾 《半导体杂志》 1994年第4期18-22,27,共6页
本文着重讨论了ＭＯＳ电路中由非对称源耦对组成的模拟平方器的各种应用，提出了一种新型的ＭＯＳ模拟乘法器，也探讨了模拟平方器在改善ＭＯＳ型对称源耦对线性输人范围和ＭＯＳ型Ｇｉｌｂｅｒｔ单元性能方面的应用．ＳＰＩＣＥ（模型... 本文着重讨论了ＭＯＳ电路中由非对称源耦对组成的模拟平方器的各种应用，提出了一种新型的ＭＯＳ模拟乘法器，也探讨了模拟平方器在改善ＭＯＳ型对称源耦对线性输人范围和ＭＯＳ型Ｇｉｌｂｅｒｔ单元性能方面的应用．ＳＰＩＣＥ（模型ＬＥＶＥＬⅡ）模拟结果表明，这些电路原理正确，并且有很宽的输人范围和很高的运算精度． 展开更多
关键词 MOS模拟平方器 集成电路 模拟乘法器
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MOS型反相器 被引量：3
3
作者 邵牟舟 秦世才 贾香鸾 《半导体杂志》 1995年第3期5-8,共4页
本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这种反相器的应用实例。
关键词 MOS反相器 反相器 应用
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非对称MOS源耦对的应用研究 被引量：2
4
作者 邵牟舟 贾香鸾 秦世才 《半导体杂志》 1994年第2期19-23,共5页
本文在对非对称ＭＯＳ源耦对深入研究的基础上，提出了它组成模拟平方器、模拟开方器、ＲＭＳ－ＤＣ变换器等电路的理论依据，给出了这些新型电路的结构和ＳＰＩＣＥ模拟的结果，这些电路在ＭＯＳ集成系统中有广泛用途。
关键词 MOS 集成电路 源耦对 非对称
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由非对称MOS源耦对组成的模拟平方器 被引量：2
5
作者 邵牟舟 贾香鸾 秦世才 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期39-43,共5页
本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为... 本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为３３ＭＨｚ． 展开更多
关键词 模拟平方器 高精度平方器 MOS 非对称源耦对
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有源衰减器及其应用研究
6
作者 邵牟舟 徐中亚 +1 位作者 杨洁 秦世才 《半导体杂志》 1996年第1期1-4,共4页
本文提出了一种有源MOS衰减器,并探讨了这种有源衰减器对MOS Gilbert单元输入范围的改善。SPICE(模型LEVEL Ⅱ)模拟结果表明,该有源MOS衰减器结构简单,原理正确,并且有较宽的线性输入范围。
关键词 应用 有源衰减器 MOS 集成电路
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