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CaWO_4晶体中F型色心电子结构的研究 被引量:3
1
作者 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 陈建玉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4089-4093,共5页
运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了CaWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;分析了晶体内可能存在的光学跃迁模式,并通过过渡态的方法计算了F,F+心跃迁到导带底的能量分别为1.92eV和... 运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了CaWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;分析了晶体内可能存在的光学跃迁模式,并通过过渡态的方法计算了F,F+心跃迁到导带底的能量分别为1.92eV和2.42eV.因此,从理论上推断了F和F+心在CaWO4晶体中可能引起650nm和515nm的吸收,由此说明CaWO4晶体中650nm和515nm吸收带起源于晶体中的F和F+心. 展开更多
关键词 CaWO4晶体 F和F^+心 DV-Xa
原文传递
基于表面微结构与深沟道隔离协同的近红外响应增强CMOS图像传感器设计 被引量:1
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作者 《集成电路应用》 2023年第5期31-33,共3页
阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协... 阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协同处理,已达到提升红外吸收与降低光学串扰,同时平衡外延硅层结构破坏带来的噪声。探讨光学仿真和实验倒金字塔型与几何沟槽型表面微结构的红外增强水平,对比测试了其光学性能、暗电流与白点水平,得到电学与光学性能的平衡设计方案。 展开更多
关键词 集成电路设计 CMOS图像传感器 BDTI 红外探测
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钼酸铅晶体中F型色心电子结构的理论计算 被引量:3
3
作者 陈建玉 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 濮春英 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期213-217,共5页
运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算PbMoO4晶体中可能存在的F型色心的电子结构.结果表明,F,F+心在PbMoO4晶体的禁带中引入了施主能级,其光学跃迁能分别是2.141,2.186 eV,即F,F+心能分别引起PMO晶体中581,567 nm的吸收... 运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算PbMoO4晶体中可能存在的F型色心的电子结构.结果表明,F,F+心在PbMoO4晶体的禁带中引入了施主能级,其光学跃迁能分别是2.141,2.186 eV,即F,F+心能分别引起PMO晶体中581,567 nm的吸收,该吸收与PbMoO4晶体中580 nm的吸收峰对应.因此,可推断F型色心能引起PMO晶体中由光色效应引起的580 nm吸收. 展开更多
关键词 PbMoO4 F F^+心 DV—Xa 电子结构
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BDTI深度对CMOS图像传感器性能影响的分析
4
作者 《集成电路应用》 2023年第6期1-3,共3页
阐述具有1μm小像素的CMOS图像传感器设计,不同的BDTI深度对背照式CMOS图像传感器性能的影响。实验发现,较深的BDTI可以有效降低像素间的串扰,提升图像传感器在长波长处的量子效率,同时能提升图像传感器在白光下的色彩饱和度。
关键词 CMOS图像传感器 BDTI深度 串扰 性能优化
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钼酸铅晶体势参数的拟合及本征缺陷的模拟计算
5
作者 陈建玉 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 濮春英 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2007年第6期550-552,共3页
在已有PbWO4晶体势参数的基础上,根据势参数的可转移性,用GULP软件拟合出Pb-MoO4(PMO)晶体的势参数.利用这些参数计算了PMO的晶格生成能、本征缺陷生成能和缺陷簇的结合能.计算结果表明,V2O+-VP2b-空位对和F心是PMO晶体中的本征缺陷,并... 在已有PbWO4晶体势参数的基础上,根据势参数的可转移性,用GULP软件拟合出Pb-MoO4(PMO)晶体的势参数.利用这些参数计算了PMO的晶格生成能、本征缺陷生成能和缺陷簇的结合能.计算结果表明,V2O+-VP2b-空位对和F心是PMO晶体中的本征缺陷,并以[V2O+-VP2b-]空位对和[V2O++2e]的形式实现电荷补偿. 展开更多
关键词 PMO 本征缺陷 模拟计算 GULP
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Electronic Structures of PbMoOa Crystals with F-Type Colour Centres
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作者 陈建玉 张启仁 +2 位作者 刘廷禹 濮春英 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第6期1660-1663,共4页
Electronic structures of PbMoO4 crystals containing F-type colour centres with the lattice structure optimized are studied within the framework of the fully relativistic self-consistent Dirac-Slater theory, using a nu... Electronic structures of PbMoO4 crystals containing F-type colour centres with the lattice structure optimized are studied within the framework of the fully relativistic self-consistent Dirac-Slater theory, using a numerically discrete variational (DV-Xa) method. The calculated results show that F and F+ centres have donor energy levels in the forbidden band. The optical transition energies are 2.166eV and 2.197eV, respectively, corresponding to the 580nm absorption bands in PbMoO4 crystal. The 580nm absorption band in PbMoO4 is originated from the F-type colour centres. 展开更多
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