-
题名钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响
- 1
-
-
作者
洪俊伟
章来平
邴绍同
孙丹峰
-
机构
江苏净化工程技术研究中心
-
出处
《电瓷避雷器》
CAS
2008年第3期17-21,共5页
-
文摘
采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。
-
关键词
钾元素
溶液添加法
压敏电阻
晶界稳定性
影响机理
液相烧结剂
-
Keywords
K element
solution-additive
varistor
barrier stabilization
effect mechanism
liquidsintering
-
分类号
TM54
[电气工程—电器]
-
-
题名Cu元素对氧化锌压敏电阻性能的影响
被引量：1
- 2
-
-
作者
洪俊伟
章来平
邴绍同
孙丹峰
-
机构
江苏省净化工程技术研究中心
苏州中普电子有限公司；江苏苏州
-
出处
《电瓷避雷器》
CAS
2008年第5期30-33,37,共5页
-
文摘
通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也引起晶界界面电子态密度Ns的减少,补偿了施主浓度的减少,从而使φB减少,非线性系数减小;随着Cu掺入量的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,使电压梯度上升,漏电流几乎不变,电容增大,残压比增大,通流能力和耗散能量能力变差;对比基料来讲,添加Cu元素之后漏电流是下降的;建议在生产过程中,Cu掺入量(质量分数)最好不要超过8×10-6,最大不要超过20×10-6。
-
关键词
Cu元素
溶液添加法
压敏电阻
晶粒电阻率
-
Keywords
Cu element
solution-additive
varistor
grain resistance
-
分类号
TM54
[电气工程—电器]
-
