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CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜
被引量：
2
1
作者
蔡宏盛
邱
欣
庆
+1 位作者
张胜雄
刘海北
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期36-40,共5页
利用CO2 激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统 (Laser assistedPlasma enhancedChemicalVaporDeposition ,orLAPECVD) ,在硅 (Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅 (a∶Si Nx∶H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良...
利用CO2 激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统 (Laser assistedPlasma enhancedChemicalVaporDeposition ,orLAPECVD) ,在硅 (Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅 (a∶Si Nx∶H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好 ,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时 ,以输出功率密度 3 3W cm2 的CO2 激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有 5 5℃ ,且可大量减少膜中的氢含量 ,以波长 10 5 8μm激光照射获得的薄膜品质较波长 9 5 2 μm更佳 。
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关键词
低氢氮化硅薄膜
等离子体激励式化学气相沉积
二氧化碳激光
非晶形
原文传递
题名
CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜
被引量：
2
1
作者
蔡宏盛
邱
欣
庆
张胜雄
刘海北
机构
中央大学光电科学研究所
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期36-40,共5页
文摘
利用CO2 激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统 (Laser assistedPlasma enhancedChemicalVaporDeposition ,orLAPECVD) ,在硅 (Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅 (a∶Si Nx∶H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好 ,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时 ,以输出功率密度 3 3W cm2 的CO2 激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有 5 5℃ ,且可大量减少膜中的氢含量 ,以波长 10 5 8μm激光照射获得的薄膜品质较波长 9 5 2 μm更佳 。
关键词
低氢氮化硅薄膜
等离子体激励式化学气相沉积
二氧化碳激光
非晶形
Keywords
Carbon dioxide lasers
Irradiation
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Refractive index
Silicon nitride
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.24
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜
蔡宏盛
邱
欣
庆
张胜雄
刘海北
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
原文传递
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引证文献
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