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题名硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响
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作者
陶雪华
夏述平
崔宇
邱云帆
熊礼威
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机构
等离子体化学与新材料湖北省重点实验室(武汉工程大学)
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出处
《武汉工程大学学报》
CAS
2021年第2期187-191,共5页
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基金
湖北省教育厅重点项目(D20191503)
武汉工程大学科学基金(K201801)
武汉工程大学第十二届研究生教育创新基金(CX2020136)。
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文摘
采用熔融盐辅助化学气相沉积(CVD)法在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上制备WS_2薄膜,改变硫粉的气化温度(750~800℃),探寻其对WS_2薄膜生长的影响,为制备出大面积WS_2薄膜提供理论依据。采用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)光谱对WS_2薄膜的形貌、结晶性和厚度进行分析。800℃时,WS_2薄膜平均边长可达310μm,Raman特征峰的波数差为64.60 cm~(-1)(单层)。随着硫粉气化温度的升高,WS_2薄膜的生长经历了形貌及尺寸的转变,这表明在沉积过程中,硫粉引入时机对WS_2薄膜的形核、生长至关重要,适当的气化温度可以制备出尺寸较大、结晶性能良好的WS_2薄膜。
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关键词
WS_2薄膜
表面形貌
熔融盐
化学气相沉积
气化温度
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Keywords
WS2 thin film
surface topography
molten salt
chemical vapor deposition
gasification temperature
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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题名薄层或单层二硫化钼薄膜的制备及其性能研究
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作者
邱云帆
熊礼威
陶雪华
骆思成
李鑫
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机构
武汉工程大学材料科学与工程学院
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出处
《石油石化物资采购》
2021年第24期99-100,112,共3页
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文摘
采用化学气相沉积法在蓝宝石基片上沉积MoS_(2)薄膜,通过控制其他反应参数不变,改变钼源用量及基片位置进行实验,探究了钼源用量和基片距离对MoS_(2)薄膜生长的影响。通过光学显微镜、拉曼光谱和原子力显微镜对薄膜进行表征。实验结果表明,减少钼源用量或将基片放置在下游端的位置可有效地减少薄膜的厚度,从而制备出薄层或单层的薄膜。
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关键词
二硫化钼薄膜
CVD
薄层
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分类号
TB3
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名MoS_(2)气敏器件的性能研究
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作者
李鑫
熊礼威
陶雪华
骆思成
邱云帆
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机构
武汉工程大学材料科学与工程学院
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出处
《石油石化物资采购》
2021年第24期46-48,共3页
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基金
湖北省大学生创新创业训练计划项目,编号:S201910490026
湖北省教育厅重点项目,编号:D20191503
+1 种基金
武汉工程大学科学研究基金,K201801
武汉工程大学研究生创新基金,编号:cx2020160。
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文摘
采用化学气相沉积法,使用硫粉和三氧化钼,在蓝宝石基底上制备出品相良好的MoS_(2)薄膜,采用光学显微镜、Raman以及原子力显微镜对其进行表征。再利用磁控溅射制作气敏元件,对其气敏性能进行检测。实验结果表明MoS_(2)薄膜对O_(3)的选择性较好,在气体浓度范围为0~100 ppm时,MoS_(2)薄膜对O3的灵敏度随气体浓度增加而增大,在气体浓度到达一定值后存在饱和。MoS_(2)对O_(3)浓度为10 ppm的气体中测得的响应时间为30s,恢复时间为70s。
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关键词
二硫化钼薄膜
气敏传感器
化学气相沉积
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分类号
TB3
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名欣“兴”向荣
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作者
邱云帆
郭辉(指导)
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机构
中国地质大学(北京)
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出处
《中国宝玉石》
2020年第S01期119-119,共1页
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文摘
在科技与经济快速发展的今天,北京拥有了新的城市名片——北京大兴机场。设计通过连续组合大兴机场元素向众人展示新北京“欣欣向荣”的面貌及新印象;采用错石、贵金属等材料制作,能更好地凸显该设计形象。《欣“兴”向荣》祝愿祖国社会事业建设越来越顺利,展现了对大兴新区的美好期待。
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关键词
城市名片
北京大兴
经济快速发展
材料制作
大兴新区
贵金属
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分类号
G63
[文化科学—教育学]
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