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In-plane spin excitation of skyrmion bags
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作者 李爽 李可欣 +9 位作者 刘照华 朱起源 赵晨博 张虎 石兴强 王江龙 王瑞宁 巩朋来 金晨东 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期585-590,共6页
Skyrmion bags are spin structures with arbitrary topological charges, each of which is composed of a big skyrmion and several small skyrmions. In this work, by using an in-plane alternating current(AC) magnetic field,... Skyrmion bags are spin structures with arbitrary topological charges, each of which is composed of a big skyrmion and several small skyrmions. In this work, by using an in-plane alternating current(AC) magnetic field, we investigate the spinwave modes of skyrmion bags, which behave differently from the clockwise(CW) rotation mode and the counterclockwise(CCW) rotation mode of skyrmions because of their complex spin topological structures. The in-plane excitation power spectral density shows that each skyrmion bag possesses four resonance frequencies. By further studying the spin dynamics of a skyrmion bag at each resonance frequency, the four spin-wave modes, i.e., a CCW-CW mode, two CW-breathing modes with different resonance strengths, and an inner CCW mode, appear as a composition mode of outer skyrmion–inner skyrmions. Our results are helpful in understanding the in-plane spin excitation of skyrmion bags, which may contribute to the characterization and detection of skyrmion bags, as well as the applications in logic devices. 展开更多
关键词 skyrmion bags spin-wave mode power spectral density micromagnetic simulation
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外力应变对Bi2Se3拓扑绝缘体能带调控的第一性原理研究
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作者 吴丽铃 +3 位作者 黄雨馨 阮毓荣 黄志高 张健敏 《福建师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期21-26,共6页
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3在外力应变作用下的电子结构变化.首先对Bi_2Se_3块体结构在不同外力应变下进行了充分的原子弛豫,得到稳定的构型.主要通过改变初始结构的晶格常数的方法来构建沿层内... 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3在外力应变作用下的电子结构变化.首先对Bi_2Se_3块体结构在不同外力应变下进行了充分的原子弛豫,得到稳定的构型.主要通过改变初始结构的晶格常数的方法来构建沿层内施加外力应变的模型.接着通过能带、态密度(DOS)等分析手段研究不同外力应变下Bi_2Se_3的电子结构演化.研究结果表明:施加应变会使Bi_2Se_3的体能带发生偏移,偏移的幅度与应变大小相关,在压力应变逐渐加大的过程中Γ点附近的能带上移,并能够观察到M形的反转能带,而在拉应变增大的过程中Γ点附近的能带下移,且没有明显的能带反转现象,这些变化导致了Bi_2Se_3经历从半导体到导体的转变. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 Bi2Se3 能带结构 外力应变
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