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助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体
1
作者
王弘
尚淑霞
+3 位作者
王卓
赵
焕
遂
杨兆荷
沈效农
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期181-184,共4页
用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线...
用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线衍射分析表明晶体属正交晶系,晶胞参数为 a=5.39(?),b=5.37(?),c=31.01(?)。能谱分析表明晶体组份为 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=3∶3∶1∶2∶2.5。差热分析测得晶体熔点为866℃。测验显示Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 晶体具有较钇系超导体更强的抗水解性。
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关键词
铋
超导体
晶体生长
助溶剂法
下载PDF
职称材料
题名
助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体
1
作者
王弘
尚淑霞
王卓
赵
焕
遂
杨兆荷
沈效农
机构
山东大学晶体材料研究所实验中心
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期181-184,共4页
基金
国家超导中心资助
文摘
用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线衍射分析表明晶体属正交晶系,晶胞参数为 a=5.39(?),b=5.37(?),c=31.01(?)。能谱分析表明晶体组份为 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=3∶3∶1∶2∶2.5。差热分析测得晶体熔点为866℃。测验显示Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 晶体具有较钇系超导体更强的抗水解性。
关键词
铋
超导体
晶体生长
助溶剂法
Keywords
Crystal growth
Superconductivity
Flux method
分类号
O614.532 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体
王弘
尚淑霞
王卓
赵
焕
遂
杨兆荷
沈效农
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
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职称材料
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