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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 被引量：49
1
作者 叶志镇 陈汉鸿 +2 位作者 刘榕 张昊翔 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1015-1018,共4页
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Z... 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . 展开更多
关键词 薄膜 直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱
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退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 被引量：46
2
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 汪雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-736,共8页
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,... 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
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ZnO薄膜应用的最新研究进展 被引量：34
3
作者 吕建国 汪雷 +1 位作者 叶志镇 赵炳辉 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期303-308,共6页
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。
关键词 研究进展 开发应用 氧化锌薄膜 化合物半导体
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教师文化与教师专业成长 被引量：34
4
作者 赵炳辉 《教师教育研究》 CSSCI 北大核心 2006年第4期6-10,共5页
教师文化的类型与教师的专业化程度存在着密切的内在联系。二者在教师职业发展历程中相互促进、相互制约共同发展着。其关系在动态上表现为适应中的共同发展,在静态上表现为制约中的相互促进。专业化的教师文化的形成需要在教师职业专... 教师文化的类型与教师的专业化程度存在着密切的内在联系。二者在教师职业发展历程中相互促进、相互制约共同发展着。其关系在动态上表现为适应中的共同发展,在静态上表现为制约中的相互促进。专业化的教师文化的形成需要在教师职业专业化的实践进程中,由全社会配合教师群体共同加以培育、生成。 展开更多
关键词 教师文化 教师专业化 职业成长 职业意识 办学理念
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教师课程意识与专业成长 被引量：37
5
作者 赵炳辉 熊梅 《教师教育研究》 CSSCI 北大核心 2008年第1期3-7,共5页
教师课程意识属于社会职业意识范畴之一,是教师个体与群体基于职业实践,在其职业环境中通过履行专业职责而形成的关于课程规律的体认。课程意识指导着教师的课程实践,映射着教师职业的专业化程度。课程意识的生成与提升,需要相应的实践... 教师课程意识属于社会职业意识范畴之一,是教师个体与群体基于职业实践,在其职业环境中通过履行专业职责而形成的关于课程规律的体认。课程意识指导着教师的课程实践,映射着教师职业的专业化程度。课程意识的生成与提升,需要相应的实践环境。 展开更多
关键词 教师 课程意识 专业成长
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原发性胃肠道淋巴瘤64排螺旋CT/MRI影像特点分析 被引量：44
6
作者 杨朝武 何光武 +1 位作者 李征宇 赵炳辉 《中国临床医学影像杂志》 CAS 北大核心 2015年第1期23-26,共4页
目的:探讨原发胃肠道淋巴瘤64排螺旋CT及1.5T MRI成像特点,提高该病的确诊率及准确率,为临床诊断治疗提供依据。资料与方法:回顾性分析我院近6年经内镜活检或手术病理确诊的32例病例CT及MRI资料,总结对该病诊断效力较高的影像学征象。结... 目的:探讨原发胃肠道淋巴瘤64排螺旋CT及1.5T MRI成像特点,提高该病的确诊率及准确率,为临床诊断治疗提供依据。资料与方法:回顾性分析我院近6年经内镜活检或手术病理确诊的32例病例CT及MRI资料,总结对该病诊断效力较高的影像学征象。结果:CT检查提示胃淋巴瘤增厚胃壁密度较均匀,累及宽基底部,动脉期"黏膜白线征"出现率87.5%,静脉期"三轨征"出现率81.3%,MRI检查T1WI及T2WI显示胃黏膜及浆膜有独特优势。肠道淋巴瘤以长管样肠壁环形增厚为特征,累及肠段多较长,肠壁密度或信号均匀且轻中度强化。其中小肠"动脉瘤样扩张"常见;结肠肠壁扩张伴积气积液常见,肠梗阻少见;回盲部以肿块形成更多见,肿块中心常见气体影,病变多同时累及回肠或升结肠,常继发肠梗阻。原发胃肠道淋巴瘤区域淋巴结受累多见,绝大多数受累淋巴结位于相应引流区域,散在淋巴结累及少见。结论:CT/MRI可以清楚显示原发性胃肠道淋巴瘤的病变特点及其周围组织浸润情况,典型CT/MRI征象对定性诊断有较大价值。 展开更多
关键词 胃肠肿瘤 淋巴瘤 体层摄影术 螺旋计算机 磁共振成像
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浅析21世纪的中国高等医学教育 被引量：38
7
作者 赵炳辉 罗速 《中国高等医学教育》 2004年第1期7-7,12,共2页
高等医学教育在 2 1世纪的培养目标是 :培养能够实现高等医学教育救死扶伤、治病救人的本体功能和具有指导人们预防疾病、增进健康的社会功能 ,并能创造性地进行有效工作的职业医疗卫生工作者。教学内容上要不断吸收最新的研究成果。教... 高等医学教育在 2 1世纪的培养目标是 :培养能够实现高等医学教育救死扶伤、治病救人的本体功能和具有指导人们预防疾病、增进健康的社会功能 ,并能创造性地进行有效工作的职业医疗卫生工作者。教学内容上要不断吸收最新的研究成果。教育教学方式上更加突出以人为本的理念 ,注重能力的培养和全面素质的提高。质量评价上将更加突出综合性和社会性的特点。 展开更多
关键词 中国 高等医学教育 教学内容 质量评价 培养目标 实践性教学 教学方式
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硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究 被引量：15
8
作者 李剑光 叶志镇 +1 位作者 赵炳辉 袁骏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期877-880,共4页
本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射线衍射半高宽仅为０．７°．在用ＸＲＤ，ＸＰＳ等手段对其成份、结构分析的基... 本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射线衍射半高宽仅为０．７°．在用ＸＲＤ，ＸＰＳ等手段对其成份、结构分析的基础上，进一步对其反应溅射过程进行了研究． 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 磁控溅射沉积
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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量：23
9
作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多
关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性
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MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜 被引量：13
10
作者 徐伟中 叶志镇 +3 位作者 周婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期38-41,共4页
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了Zn... 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜 .通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为 1 97× 10 18cm-3 ,最低电阻率为 3 0 展开更多
关键词 P型 ZNO 金属有机化学气相沉积
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用于制备GaN的硅基ZnO过渡层的高温热处理研究 被引量：7
11
作者 李剑光 叶志镇 +3 位作者 汪雷 赵炳辉 袁骏 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期862-866,共5页
我们利用直流反应磁控溅射法制备出在Ｃ轴上取向高度一致的ＺｎＯ 薄膜，为了进一步检验作为高温生长ＧａＮ 材料衬底的可行性，我们模拟衬底加热，进行了样品高温热处理．比较了样品高温热处理前后的晶体性能，发现热处理后使ＺｎＯ ... 我们利用直流反应磁控溅射法制备出在Ｃ轴上取向高度一致的ＺｎＯ 薄膜，为了进一步检验作为高温生长ＧａＮ 材料衬底的可行性，我们模拟衬底加热，进行了样品高温热处理．比较了样品高温热处理前后的晶体性能，发现热处理后使ＺｎＯ 薄膜的吸附氧明显减少，孔隙率降低，薄膜的密度增加，有效地提高了薄膜的晶体性能；在ＺｎＯ 和硅两者的界面上形成了一个富锌区．所以，用我们的方法制备的ＺｎＯ薄膜有望成为外延ＧａＮ 展开更多
关键词 氮化镓 氧化锌 硅基氧化锌 半导体薄膜技术 制备
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MRI动态增强在肾癌诊断中的价值及其检查技术探讨 被引量：20
12
作者 赵炳辉 陈祖望 +2 位作者 周康荣 丁建国 张永康 《中国医学影像技术》 CSCD 2003年第11期1544-1547,共4页
目的　探讨肾癌MRI动态增强特征及其诊断价值 ,对肾癌的MRI检查技术作初步探讨。方法　 5 1例肾实质内占位 ,包括肾细胞癌 3 8例 ,少或无脂肪血管平滑肌脂肪瘤 4例 ,复杂囊肿 8例 ,肾嗜酸性细胞瘤 1例 ,均经 1.5TMRI平扫及动态增强检查... 目的　探讨肾癌MRI动态增强特征及其诊断价值 ,对肾癌的MRI检查技术作初步探讨。方法　 5 1例肾实质内占位 ,包括肾细胞癌 3 8例 ,少或无脂肪血管平滑肌脂肪瘤 4例 ,复杂囊肿 8例 ,肾嗜酸性细胞瘤 1例 ,均经 1.5TMRI平扫及动态增强检查。动态增强包括 4个回合的扫描 ,其中皮质期根据注射对比剂开始后的时间分别界定为皮质早期 ( 2 0～3 0s)和皮质晚期 ( 40～ 5 0s)。结果　肾癌以皮质早期相对强化百分比 (CNR) >1和≤ 1分为富血供肾癌和少血供肾癌两组 ,两者动态增强特征不同 ,MRI动态增强有助于正确分析肿瘤的强化特征 ,结合MRI平扫 ,对肾癌的检出和定性有较大价值 (敏感性为 97.4% ,准确性为 90 .2 % ) ,尤其皮质早期能较好反映大多数肾癌 ( 84.2 % )的异常血供特点。结论　高场强MRI动态增强扫描有利于肾癌的检出、定性。大多数肾癌增强皮质早期与实质期结合即能显示肿瘤的异常强化特点。 展开更多
关键词 肾癌 动态增强 磁共振成像
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直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究 被引量：10
13
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 陈汉鸿 汪雷 赵炳辉 张银珠 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期5-8,共4页
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0... 本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 P型ZNO薄膜 掺杂 氧化锌 半导体薄膜 薄膜生长
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教师课程意识的解析与重建 被引量：18
14
作者 赵炳辉 熊梅 《全球教育展望》 CSSCI 北大核心 2010年第9期69-74,共6页
教师课程意识是属于社会职业意识范畴的一种职业专业意识,是教师基于职业生活实践对课程的本质、功能、性质以及课程与自身职业角色内在关系的独特体认;是教师自觉地将课程目标与教学目标、课程资源与教学内容、课程评价与学生成长有机... 教师课程意识是属于社会职业意识范畴的一种职业专业意识,是教师基于职业生活实践对课程的本质、功能、性质以及课程与自身职业角色内在关系的独特体认;是教师自觉地将课程目标与教学目标、课程资源与教学内容、课程评价与学生成长有机统整,指向课程实践的实践性专业智慧的集合;是教师基于职业实践对课程的再解读,是教师职业情态的映射,是教师与课程是否融合为一的表象,是教师对自我职业价值与生命的省察。其回归与重建需要教师以及全社会的努力与支持。 展开更多
关键词 教师 课程 专业意识 解析与重建
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脉冲激光沉积法生长Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 被引量：7
15
作者 邹璐 叶志镇 +1 位作者 黄靖云 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1291-1294,共4页
采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ... 采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ,发现相对 Zn O晶体有 0 .4 e 展开更多
关键词 脉冲激光 沉积法 Zn1-xMgxO薄膜 合金 X射线衍射 PL谱 氧化锌 半导体材料 氧化镁
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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 被引量：11
16
作者 袁国栋 叶志镇 +5 位作者 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期668-673,共6页
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了... 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ～ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15～ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5～ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p 展开更多
关键词 Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量：11
17
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—Al共掺ZnO薄膜 P型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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MOCVD法制备ZnO同质发光二极管 被引量：10
18
作者 叶志镇 徐伟中 +7 位作者 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 黄靖云 汪雷 李先杭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2264-2266,共3页
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
关键词 ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积
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氧化铝模板法制备Ge纳米线 被引量：9
19
作者 叶好华 叶志镇 +4 位作者 黄靖云 吴贵斌 赵炳辉 涂江平 侯山昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期173-176,共4页
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径... 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 . 展开更多
关键词 Ge纳米线 氧化铝模板 低压化学气相沉积
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反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究 被引量：5
20
作者 陈汉鸿 吕建国 +2 位作者 叶志镇 汪雷 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期467-469,449,共4页
ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原... ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 ZNO薄膜 高温退火 应力转变 间隙锌原子 氧空位 氧化锌 半导体
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