期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂
1
作者 赵德鹤 殷红 《超硬材料工程》 CAS 2018年第1期28-33,共6页
在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和... 在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和S i浓度对于c -B N外延薄膜导电性能的影响.结果表明, 在4 2 0℃下掺杂得到的薄膜电阻率低于在更高温度下制得的薄膜的电阻率.电子输运性能对于温度的依赖性以及其相应的理论拟合的结果表明, S i掺杂薄膜的激活能大约是0. 3e V, 提高S i的摻杂浓度可以提高深能级受主的补偿作用. 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 立方氮化硼薄膜 外延 原位掺杂 n型导电 电子应用
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部