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半导体量子点及其应用(Ⅰ)
被引量：
28
1
作者
赵凤
瑷
张春玲
王占国
《物理》
CAS
北大核心
2004年第4期249-256,共8页
量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要...
量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景 ,受到人们广泛重视 .文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分 :第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质 ;第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用 .
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关键词
半导体量子点
量子点制备
量子点结构
量子点检测
纳米科学
原文传递
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
被引量：
4
2
作者
朱天伟
徐波
+5 位作者
何军
赵凤
瑷
张春玲
谢二庆
刘峰奇
王占国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期301-305,共5页
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;...
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
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关键词
砷化铟
砷化镓
柱形岛
生长停顿
间隔层厚度
PL谱
分子束外延
量子点
发光波长
原文传递
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
被引量：
1
3
作者
张春玲
赵凤
瑷
+2 位作者
徐波
金鹏
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1647-1651,共5页
在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚...
在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度 ,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄 .如果同时控制 QD层在刚刚出点 ,则 QD主要沿着较窄的布纹结构排列 ,从而得到有序排列的
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关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
应力
量子点
有序生长
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职称材料
半导体量子点及其应用(Ⅱ)
被引量：
1
4
作者
赵凤
瑷
张春玲
王占国
《物理》
北大核心
2004年第5期327-334,共8页
关键词
半导体量子点
半导体物理学
量子器件
半导体量子点激光器
量子点红外探测器
单光子光源
原文传递
半导体与多种异质结构的磁性与调控
被引量：
1
5
作者
赵凤
瑷
《电子技术与软件工程》
2018年第9期100-100,共1页
我国半导体材料的快速发展,带动了在制造电子构件中的广泛应用,尤其是稀磁半导体,低温性能是最大突出优势,而且可以实现逻辑以及存储的双功能的实现。随着稀磁半导体材料的发展,在室温条件下,面临目前的需求就对居里温度提出了更高要求...
我国半导体材料的快速发展,带动了在制造电子构件中的广泛应用,尤其是稀磁半导体,低温性能是最大突出优势,而且可以实现逻辑以及存储的双功能的实现。随着稀磁半导体材料的发展,在室温条件下,面临目前的需求就对居里温度提出了更高要求。对此其磁性以及调控的过程中,有很多需要注意的地方以及使用技术,因为注入异构的不同,就会有不同的特征。基于此,本文就对铁磁性加以描述,就基本的材料制备技术做了分析,重点分析了异构相关性质以及调控,以供参考。
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关键词
稀磁半导体
多铁异质结构
磁性调控
离子注入
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职称材料
题名
半导体量子点及其应用(Ⅰ)
被引量：
28
1
作者
赵凤
瑷
张春玲
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《物理》
CAS
北大核心
2004年第4期249-256,共8页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4
60 2 90 0 81)
+1 种基金
国家重点基础研究发展计划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 )
国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目
文摘
量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景 ,受到人们广泛重视 .文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分 :第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质 ;第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用 .
关键词
半导体量子点
量子点制备
量子点结构
量子点检测
纳米科学
Keywords
quantum dot, preparation, character, detection, application
分类号
O413.1 [理学—理论物理]
原文传递
题名
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
被引量：
4
2
作者
朱天伟
徐波
何军
赵凤
瑷
张春玲
谢二庆
刘峰奇
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
兰州大学物理科学与技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期301-305,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000068303)
国家自然科学基金(批准号:60076024
+3 种基金
90101002
90201033)
国家高技术研究发展计划项目(批准号:2002AA311070)
中国科学院知识创新重大项目(批准号:KJCX10606)资助的课题~~
文摘
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
关键词
砷化铟
砷化镓
柱形岛
生长停顿
间隔层厚度
PL谱
分子束外延
量子点
发光波长
Keywords
InAs/GaAs columnal islands, growth interruption, space layer, PL spectra
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
被引量：
1
3
作者
张春玲
赵凤
瑷
徐波
金鹏
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1647-1651,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303)
国家自然科学基金(批准号:60290071
+4 种基金
60276014
90101004
90201033)
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070
2002AA311170)资助项目~~
文摘
在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度 ,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄 .如果同时控制 QD层在刚刚出点 ,则 QD主要沿着较窄的布纹结构排列 ,从而得到有序排列的
关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
应力
量子点
有序生长
Keywords
semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials
stress
quantum dots
ordering growth
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
半导体量子点及其应用(Ⅱ)
被引量：
1
4
作者
赵凤
瑷
张春玲
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《物理》
北大核心
2004年第5期327-334,共8页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 0 4
60 2 90 0 81)
+1 种基金
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 )
国家高技术研究发展计划(批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 )资助项目
关键词
半导体量子点
半导体物理学
量子器件
半导体量子点激光器
量子点红外探测器
单光子光源
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
半导体与多种异质结构的磁性与调控
被引量：
1
5
作者
赵凤
瑷
机构
国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心
出处
《电子技术与软件工程》
2018年第9期100-100,共1页
文摘
我国半导体材料的快速发展,带动了在制造电子构件中的广泛应用,尤其是稀磁半导体,低温性能是最大突出优势,而且可以实现逻辑以及存储的双功能的实现。随着稀磁半导体材料的发展,在室温条件下,面临目前的需求就对居里温度提出了更高要求。对此其磁性以及调控的过程中,有很多需要注意的地方以及使用技术,因为注入异构的不同,就会有不同的特征。基于此,本文就对铁磁性加以描述,就基本的材料制备技术做了分析,重点分析了异构相关性质以及调控,以供参考。
关键词
稀磁半导体
多铁异质结构
磁性调控
离子注入
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体量子点及其应用(Ⅰ)
赵凤
瑷
张春玲
王占国
《物理》
CAS
北大核心
2004
28
原文传递
2
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
朱天伟
徐波
何军
赵凤
瑷
张春玲
谢二庆
刘峰奇
王占国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
原文传递
3
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
张春玲
赵凤
瑷
徐波
金鹏
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
4
半导体量子点及其应用(Ⅱ)
赵凤
瑷
张春玲
王占国
《物理》
北大核心
2004
1
原文传递
5
半导体与多种异质结构的磁性与调控
赵凤
瑷
《电子技术与软件工程》
2018
1
下载PDF
职称材料
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