溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜 被引量：7

1

作者 张五星 徐重阳 +1 位作者 王长安 赵伯芳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期58-60,共3页

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制备的薄膜具有较大的介电反常,其晶相具有(111)取向性;而用0.3mol/L的溶胶制备的BST薄膜,晶粒没有(111)取向;用0.05mol/L溶胶制备,使BST薄膜的介温特性得到很大的改善,介温变化率dε(ε·dT)在11°C左右可达6%。 展开更多

关键词 薄膜 溶胶-凝胶 钛酸锶钡 快速热处理 介电常数

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a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响 被引量：5

2

作者 王长安 熊智斌 +2 位作者 张少强 赵伯芳 徐重阳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期45-49,共5页

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜... 介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 展开更多

关键词 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管

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微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究 被引量：3

3

作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 曾祥斌 王长安 赵伯芳 周雪梅 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期229-231,共3页

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。... 为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。 展开更多

关键词 微波退火 低温晶化 多晶硅薄膜 电阻率

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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 被引量：5

4

作者 张少强 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 赵伯芳 周雪梅 王长安 戴永兵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期53-56,共4页

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层... 本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 空间电行层

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(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜热敏电容器的研制 被引量：3

5

作者 刘世建 徐重阳 +1 位作者 曾祥斌 赵伯芳 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第10期70-71,共2页

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验... 采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验结果表明BST铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近 ,约 2 展开更多

关键词 BST 铁电薄膜 热敏电容器 电容温度曲线 测量

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PECVD法制备纳米硅薄膜材料 被引量：3

6

作者 曾祥斌 徐重阳 +4 位作者 王长安 墙威 周雪梅 赵伯芳 戴永兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期1-2,共2页

采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。

关键词 纳米硅薄膜材料 衬底直流偏压 PECVD法 制备

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Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究

7

作者 张洪涛 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 曾祥斌 王长安 赵伯芳 周雪梅 《陶瓷工程》 2000年第1期4-6,22,共4页

以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透... 以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜（TEM）结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗粒尺寸在直径为2nm－4nm，长度为20nm－40nm左右的SiC纳米晶须构成，纯度高，且膜为不均匀孔膜。 展开更多

关键词 纳米晶须 溶胶凝胶法 碳化硅 薄膜

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多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用 被引量：3

8

作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 王长安 曾祥斌 赵伯芳 周雪梅 《半导体杂志》 2000年第4期46-50,共5页

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。

关键词 多晶硅 薄膜晶体管 液晶显示器 AMLCD

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铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究 被引量：3

9

作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期447-448,共2页

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了... 介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。 展开更多

关键词 金属诱导 非晶硅薄膜 低温晶化 多晶硅薄膜 结构 铝诱导

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容栅传感器与单片机89C2051的接口及编程 被引量：2

10

作者 万新恒 徐重阳 +2 位作者 朱兴方 赵伯芳 丁晖 《自动化与仪表》 1997年第4期4-6,共3页

容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万... 容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ... 展开更多

关键词 位移 传感器 单片机 容栅 传感器 接口 程序

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纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象 被引量：2

11

作者 张洪涛 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期722-724,共3页

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一... 对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 . 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 纳米结构 掺杂 电导率 Meyer-Neldel规则

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4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究 被引量：3

12

作者 张洪涛 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期304-309,共6页

采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体... 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化 .Raman光谱和透射电子衍射 (TEM)的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H SiC多型结构 .电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体 .实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 .随着晶化作用的加强 ,电导率增加 . 展开更多

关键词 4H-SIC PECVD 纳米结构 多型薄膜 纳米电子学 光电性质 纳米薄膜 微结构 碳化硅

原文传递

射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜 被引量：2

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作者 刘世建 徐重阳 +3 位作者 曾祥斌 赵伯芳 王长安 史济群 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期293-295,共3页

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( B... 采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。 展开更多

关键词 射频磁控溅射法 BST铁电薄膜 红外焦平面阵列

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非晶硅集成型色敏元件及其传感器 被引量：1

14

作者 王长安 徐重阳 +2 位作者 周雪梅 赵伯芳 邹雪城 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期60-64,共5页

研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结集成型色敏元件及其传感器的制备工艺和结构，详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明，采用ａ－ＳｉＣ／ａ－ＳｉＰＩＮ异质结构和分离反应室的ＰＥＣＶＤ工艺，使色... 研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结集成型色敏元件及其传感器的制备工艺和结构，详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明，采用ａ－ＳｉＣ／ａ－ＳｉＰＩＮ异质结构和分离反应室的ＰＥＣＶＤ工艺，使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显的改善。利用这种色敏元件及其传感器可以实现高精度的颜色识别。 展开更多

关键词 非晶硅 异质结 传感器 色敏元件

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7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究 被引量：3

15

作者 徐重阳 符晖 +5 位作者 邹雪城 张少强 袁奇燕 周雪梅 赵伯芳 王长安 《光电子技术》 CAS 1995年第1期41-47,共7页

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。

关键词 液晶显示器 有源矩阵 优化设计 制作工艺

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α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究 被引量：3

16

作者 赵伯芳 张少强 +1 位作者 章青 王长安 《微细加工技术》 1993年第2期41-46,共6页

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依... 本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 半导体集成电路 有源矩阵

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高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计 被引量：3

17

作者 周雪梅 徐重阳 +2 位作者 邹雪城 王长安 赵伯芳 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期313-319,共7页

研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的Ｐ／ｎ界面处附加载流子复合是由少数载流于浓度、界面态和Ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定... 研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的Ｐ／ｎ界面处附加载流子复合是由少数载流于浓度、界面态和Ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和ｉ层厚度匹配来实现ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａＳｉＧｅ三结太阳电池结构的最佳化，同时采用改善ｎ／ｉ界面特性的缓冲层技术；获得了Ｖｏｃ＝２．４８Ｖ、Ｊｓｃ＝６．５８ｍＡｃｍ－２、ＦＦ＝７０．４％、在ＡＭＩ光照下转换效率为１１．５％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结叠层太阳电池。 展开更多

关键词 非晶硅 叠层太阳电池 优化设计

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一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 被引量：2

18

作者 王长安 周雪梅 +2 位作者 张少强 赵伯芳 徐重阳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期100-103,共4页

提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效抑制关态电流 (Ioff)上升的机理。研究了有源层a -Si:H膜层厚... 提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效抑制关态电流 (Ioff)上升的机理。研究了有源层a -Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响。检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 薄膜晶体管 背光照射

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a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 被引量：2

19

作者 张少强 徐重阳 +3 位作者 王长安 周雪梅 邹雪城 赵伯芳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期9-14,共6页

对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响，研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。

关键词 有源矩阵 液晶显示器 光敏性

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多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

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作者 曾祥斌 徐重阳 +3 位作者 戴永兵 王长安 周雪梅 赵伯芳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第1期7-8,共2页

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/

关键词 多晶硅薄膜 拉曼光谱 激光晶化

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