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ITO透明导电薄膜的反应离子刻蚀 被引量：3
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作者 墙威 赵伯方 +2 位作者 陈磊 刘小卫 徐重阳 《微细加工技术》 EI 1999年第3期14-19,共6页
研究了用 Ｃ Ｆ４ 或乙醇作为反应气体， Ａｒ 作为气体添加剂对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压， Ａｒ 的流量对刻蚀速率的影响，得出了最佳工艺条件，并从理论上分析了刻蚀的机理。研究表明，用乙... 研究了用 Ｃ Ｆ４ 或乙醇作为反应气体， Ａｒ 作为气体添加剂对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压， Ａｒ 的流量对刻蚀速率的影响，得出了最佳工艺条件，并从理论上分析了刻蚀的机理。研究表明，用乙醇等有机气体对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀的效果更为理想。 展开更多
关键词 ITO膜 反应离子刻蚀 CF AR 乙醇
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