Bi_2SiO_5的亚稳定相平衡的研究 被引量：13

1

作者 费一汀 范世骥 +2 位作者 孙仁英 王锦昌 谢华清 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期230-236,共7页

通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１∶１相）的亚稳定相平衡，发现亚稳相Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃．在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔分数大于３０％... 通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１∶１相）的亚稳定相平衡，发现亚稳相Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃．在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔分数大于３０％）熔体冷却时易于自发成核析出Ｂｉ２ＳｉＯ５相，并且该相在进一步冷却时无其它相变产生，直到室温下也可稳定存在． 展开更多

关键词 氧化铋 氧化硅 Bi2SiO5 亚稳定 相平衡

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Bi_2O_3-SiO_2系统的相关系和析晶行为的研究进展 被引量：11

2

作者 费一汀 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期469-476,共8页

本文介绍了Bi2O3－SiO2系统的研究进展．首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi4Si3O12和Bi2SiO5的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Bi2SiO5将成为一种有前途的新功能晶体．

关键词 相关系 晶体 氧化铋 氧化硅 析晶行为 相平衡

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Bi_2O_3-SiO_2系统相图的研究 被引量：8

3

作者 费一汀 范世 +1 位作者 孙仁英 M.Ishii 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期798-802,共5页

本文通过DTA和XRD研究了Bi2O3－SiO2二元系稳定相平衡和亚稳定相平衡，并绘制了该系统完整的相图，发现在稳定相图富SiO2一侧存在包晶反应L＋SiO2Bi4Si3O12，包晶等温线大约在1030℃，Bi4Si3O12确定为近一致熔融化合物，并且用淬火微结... 本文通过DTA和XRD研究了Bi2O3－SiO2二元系稳定相平衡和亚稳定相平衡，并绘制了该系统完整的相图，发现在稳定相图富SiO2一侧存在包晶反应L＋SiO2Bi4Si3O12，包晶等温线大约在1030℃，Bi4Si3O12确定为近一致熔融化合物，并且用淬火微结构的方法确定了包晶反应的液相线．在Bi2O3－SiO2系统的亚稳定相平衡中研究了它的析晶行为，亚稳定相Bi2SiO5冷却时在845℃左右析晶． 展开更多

关键词 相关系 相平衡 氧化硅 氧化铋 硅酸盐晶体 相图

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过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究 被引量：9

4

作者 费一汀 孙仁英 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期357-362,共6页

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．

关键词 坩埚下降法 掺杂 BSO晶体 闪烁性能 铁 铬

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稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体的生长与性能 被引量：6

5

作者 费一汀 孙仁英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期37-41,共5页

本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释... 本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律，探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。 展开更多

关键词 掺杂 稀土元素 硅酸铋晶体 晶体生长 光学性

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无机闪烁晶体的生长技术 被引量：3

6

作者 费一汀 徐家跃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页

综述了无机闪烁晶体的提拉法、下降法、热交换法、浮区法、泡生法、助熔剂法等生长技术,其中最常用的是前两种方法。同时就某些典型的闪烁晶体讨论了上述生长技术的优缺点。

关键词 闪烁晶体 提拉法 晶体生长 无机闪烁晶体

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赝二元系LiF-SrAl_F5相图 被引量：2

7

作者 陈红兵 范世骥 费一汀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期373-376,共4页

本文通过差热分析（ＤＴＡ） 和Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ） 方法研究了赝二元系ＬｉＦ－ ＳｒＡｌＦ５ 的相平衡关系。该赝二元系在ＬｉＦ∶ＳｒＡｌＦ５ ＝１∶１ 处形成一致融熔化合物ＬｉＳｒＡｌＦ６ ，其熔点为７６５ ℃，并分别在... 本文通过差热分析（ＤＴＡ） 和Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ） 方法研究了赝二元系ＬｉＦ－ ＳｒＡｌＦ５ 的相平衡关系。该赝二元系在ＬｉＦ∶ＳｒＡｌＦ５ ＝１∶１ 处形成一致融熔化合物ＬｉＳｒＡｌＦ６ ，其熔点为７６５ ℃，并分别在ＬｉＦ－ ＬｉＦＳｒＡｌＦ６ 和ＬｉＳｒＡｌＦ６ － ＳｒＡｌＦ５ 区域出现两个低共熔点，其共晶温度分别为６７３ ℃和７０５℃，根据体系的相图，采用坩埚下降法生长出氟化物激光晶体Ｃｒ３ ＋ ∶ＬｉＳｒＡｌＦ６ 。 展开更多

关键词 氟化物 激光晶体 相平衡 晶体生长 相图

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四硼酸锂晶体的声表面波应用 被引量：2

8

作者 徐家跃 费一汀 钱国兴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第5期293-296,共4页

介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。

关键词 四硼酸锂晶体 声表面波 压电器件

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氟化物激光晶体Nd^(3+):LiYF_4的坩埚下降法生长 被引量：2

9

作者 陈红兵 范世 +2 位作者 徐家跃 费一汀 孙仁英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期917-920,共4页

本文报道了氟化物激光晶体Ｎｄ３＋： ＬｉＹＦ４的坩埚下降法生长工艺．采用经氟化处理的无水氟化物原料，按照 ＬｉＦ： ＹＦ３＝ ５１．５： ４８．５的比例配料，控制炉体温度于 ９２０～９６０℃，晶体生长速度为 ０．４～０．８ ... 本文报道了氟化物激光晶体Ｎｄ３＋： ＬｉＹＦ４的坩埚下降法生长工艺．采用经氟化处理的无水氟化物原料，按照 ＬｉＦ： ＹＦ３＝ ５１．５： ４８．５的比例配料，控制炉体温度于 ９２０～９６０℃，晶体生长速度为 ０．４～０．８ ｍｍ／ｈ，通过密闭条件下的坩埚下降法生长出尺寸为 ４２５ｍｍ×８０ｍｍ的完整单晶． 展开更多

关键词 激光晶体 氟化钇锂 坩埚下降法 氟化物 掺钕

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赝二元系CaF_2-LiAlF_4相图

10

作者 陈红兵 范世驥 费一汀 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期156-159,共4页

通过差热分析 (DTA)和X射线粉末衍射 (XRD)方法研究了赝二元系CaF2 -LiAlF4 的相平衡关系 .该赝二元系在CaF2 ∶LiAlF4为 1∶1处形成一致融熔化合物LiCaAlF6 ,其熔点为 81 4℃ ,并分别在LiAlF4 摩尔分数为 88%和 4 1 %处出现两个共晶点 ... 通过差热分析 (DTA)和X射线粉末衍射 (XRD)方法研究了赝二元系CaF2 -LiAlF4 的相平衡关系 .该赝二元系在CaF2 ∶LiAlF4为 1∶1处形成一致融熔化合物LiCaAlF6 ,其熔点为 81 4℃ ,并分别在LiAlF4 摩尔分数为 88%和 4 1 %处出现两个共晶点 ,其共晶温度分别为 692℃和 783℃ .对照该体系的相图 ,按摩尔比LiF∶CaF2 ∶(AlF3+CrF3) =1∶1∶1的组成配料 ,采用密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸的氟化物激光晶体Cr3+ ∶LiCaAlF6 . 展开更多

关键词 氟化钙 氟化铝锂 晶体生长 赝二元系 相图

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硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究 被引量：8

11

作者 何景棠 朱国义 +8 位作者 陈端保 董晓黎 李祖豪 卞建国 范世 孙仁英 林雅芳 费一汀 徐家跃 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 1997年第10期886-890,共5页

报道对ＢＳＯ晶体闪烁性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性。

关键词 硅酸铋 晶体 光产额 辐照损伤 闪烁性能

原文传递

Bi_4Si_3O_(12)熔体的析晶行为 被引量：3

12

作者 孙仁英 吴金娣 费一汀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期300-300,共1页

范世孙仁英吴金娣费一汀（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＣｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＭｅｌｔＦａｎＳｈｉｊｉＳｕｎＲｅｎｙｉｎｇＷｕＪｉｎｄｉＦｅｉＹｉｔｉｎ... 范世孙仁英吴金娣费一汀（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＣｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＭｅｌｔＦａｎＳｈｉｊｉＳｕｎＲｅｎｙｉｎｇＷｕＪｉｎｄｉＦｅｉＹｉｔｉｎｇ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕ... 展开更多

关键词 硅酸铋 结晶 析晶行为 熔体

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氟化物激光晶体Nd^(3+)∶LiY_F4的坩埚下降法生长 被引量：1

13

作者 陈红兵 范世 +3 位作者 徐家跃 费一汀 孙仁英 王文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期82-,共1页

晶体Nd3 +∶LiYF4是一种优良的LD泵浦激光工作物质 ,该晶体主要采用提拉法生长 ,迄今尚未见采用坩埚下降法生长该晶体的研究报道。本研究组进行了氟化物激光晶体的坩埚下降法生长工艺的研究 ,获得了大尺寸的激光晶体Nd3 +∶LiYF4。本实... 晶体Nd3 +∶LiYF4是一种优良的LD泵浦激光工作物质 ,该晶体主要采用提拉法生长 ,迄今尚未见采用坩埚下降法生长该晶体的研究报道。本研究组进行了氟化物激光晶体的坩埚下降法生长工艺的研究 ,获得了大尺寸的激光晶体Nd3 +∶LiYF4。本实验采用氟化物试剂LiF(CP)、YF3 (AR)、NdF3 (AR)为初始原料 ,并用高温氟化法对氟化物原料进行脱水处理 ,以获得能满足晶体生长需要的无水氟化物原料。根据体系相平衡关系 ,晶体配合料的最佳组成应为LiF∶YF3 =5 1 .5∶48.5 ,同时考虑到在晶体Nd3 +∶LiYF4中Nd3 +是通过替代Y3 +而进入晶格的 ,确定按化学式Li5 1.5 Y47.5 Nd1.0 F4所示组成配制晶体配料 ,其中激活离子Nd3 +的掺杂浓度为 1mol%。在装填坩埚之前 ,将配料再次进行氟化处理 ,并烧结成多晶料。选用铂坩埚的尺寸为2 8× 2 5 0mm ,将籽晶放置于坩埚下端并填装配料后 ,焊接坩埚两端以隔绝空气 ,使晶体生长在密闭条件下进行。该晶体生长所用的坩埚下降生长炉采用电阻加热和铂 铂铑热电偶测温 ,控制炉温 92 0～95 0℃ ,生长体系的固液界面温度为 81 9℃左右 ,界面的温度梯度为 2 0～ 30℃ ,坩埚下降速度为0 .4～ 0 .8mm/h。在上述条件下已生长出尺寸达2 5mm× 6 0mm的透明、浅紫色、无散射的Nd3 +∶LiYF4晶体。 展开更多

关键词 氟化物晶体 激光晶体 Nd^(3+)∶LiYF_4 布里奇曼法

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Eu掺杂对Bi_4Si_3O_(12)单晶体闪烁性能的影响

14

作者 费一汀 范世 +1 位作者 孙仁英 M.Ishii 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期165-,共1页

Bi4Si3 O12 (简称BSO)是一种新型快计时闪烁晶体 ,作为闪烁体Bi4Ge3 O12 (BGO)的最佳替代品之一 ,BSO晶体近年来已引起了人们广泛的兴趣 ,高度的机械和化学稳定性以及优良的发光特性使得BSO晶体成为有发展前途的闪烁体之一 ,在某些方面... Bi4Si3 O12 (简称BSO)是一种新型快计时闪烁晶体 ,作为闪烁体Bi4Ge3 O12 (BGO)的最佳替代品之一 ,BSO晶体近年来已引起了人们广泛的兴趣 ,高度的机械和化学稳定性以及优良的发光特性使得BSO晶体成为有发展前途的闪烁体之一 ,在某些方面已经可以代替BGO ,例如高能正负电子存储环探测器中的BSO量能器。本文采用坩埚下降法 (Bridgmanmethod)生长出不掺杂及Eu掺杂 (掺杂浓度为 0 .2mol% )的BSO单晶 ,生长条件为 :Pt为坩埚材料 ,坩埚底部带籽晶 ,下降速度 0 .2～ 0 .5mm/h ,空气气氛下半密封生长。将长成的晶体毛胚加工成供性能测试用的样品 ,尺寸分别为BSO :1 7.0mm×1 6 .0mm× 1 4.7mm ,Eu∶BSO :1 0 .7mm× 7.6mm× 6 .4mm。在日本ShonanInstituteofTechnology测试了BSO及Eu∶BSO晶体的透射光谱 ,激发及发射光谱 ,光产额及FWHM能量分辨率 ,衰减常数 ,抗辐照损伤等性能 ,结果表明 (如表 1所示 ) ,晶体均具有良好的光透过性 ,Eu掺杂对BSO晶体的光产额影响不大 ,却大大提高了BSO的抗辐照硬度。这是由于Eu∶BSO晶体被激发时 ,晶体中的Eu3 +作为电子陷阱能与氧空位争夺并俘获晶格中的大部分自由电子 ,因此在同样辐照条件下Eu掺杂的BSO晶体具有更低的色心浓度 ,这有助于提高BSO的抗辐照硬度 ,从而改善了它的闪? 展开更多

关键词 Bi_4Si_3O_(12)晶体 闪烁性能 掺杂

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