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界面移动法测定离子迁移数实验的优化 被引量：5
1
作者 吴舒婷 张惠芳 +4 位作者 谭翊鑫 郑欧 高绍康 李奕 陈建中 《大学化学》 CAS 2016年第2期24-28,共5页
在基础物理化学实验界面移动法测定离子迁移数中,针对传统实验方案所用镉电极存在的不足之处,改用铜电极进行了平行对比实验,发现采用铜电极的实验方案在保证实验数据有良好准确度的前提下,既能降低电极材料的毒性,也能降低实验相关设... 在基础物理化学实验界面移动法测定离子迁移数中,针对传统实验方案所用镉电极存在的不足之处,改用铜电极进行了平行对比实验,发现采用铜电极的实验方案在保证实验数据有良好准确度的前提下,既能降低电极材料的毒性,也能降低实验相关设备的配置要求。 展开更多
关键词 界面移动法 离子迁移数 电极 阳极材料
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插层Al_(2)O_(3)对氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性研究
2
作者 谭翊鑫 何慧凯 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期1114-1124,共11页
近年来,氧化铪基忆阻器因其优异的阻变性能及与CMOS工艺兼容等特点而被广泛研究。然而,氧化铪基忆阻器仍存在以下问题:1)器件良率、可靠性、均一性不足;2)Set和Reset过程中电流突变,导致多值特性较差。为实现氧化铪基忆阻器的性能优化... 近年来,氧化铪基忆阻器因其优异的阻变性能及与CMOS工艺兼容等特点而被广泛研究。然而,氧化铪基忆阻器仍存在以下问题:1)器件良率、可靠性、均一性不足;2)Set和Reset过程中电流突变,导致多值特性较差。为实现氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性,文章在HfO_(2)表面生长一层1~5 nm Al_(2)O_(3),构造Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双介质层忆阻器,并对HfO_(2)和Al_(2)O_(3)的厚度进行优化,最终得到性能显著提升的Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双介质层多值忆阻器。该器件呈现出保持性良好的10个不同电阻态(1×104s@85℃)。由于氧离子在Al_(2)O_(3)层的迁移率更低,限制了氧空位细丝生长速率及宽度,且Al_(2)O_(3)具有热增强作用,使氧空位分布更均匀,促使氧空位细丝生成/断裂过程由突变转为渐变。该工作为进一步实现氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性提供了参考。 展开更多
关键词 忆阻器 氧化铪 氧化铝 多值特性 性能优化
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忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展
3
作者 谭翊鑫 何慧凯 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第6期1016-1026,共11页
忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一... 忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一步应用。文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因,主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案,总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景。 展开更多
关键词 忆阻器 漏电流 1T1R 1S1R 1D1R
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