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Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究 被引量：3
1
作者 李竞春 杨沛峰 +4 位作者 杨谟华 何林 李开成 谭开州 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期120-123,共4页
利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、... 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ; 展开更多
关键词 热稳定性 应变材料 分子束外延 X射线双晶衍射 锗硅材料
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伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文) 被引量：3
2
作者 温景超 石瑞英 +4 位作者 龚敏 唐龙谷 田野 谭开州 蒲林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期545-549,共5页
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 自建电势 掺杂浓度 集电极电流 厄尔利电压 伽玛辐照
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γ辐照对SiGe HBT特性的影响 被引量：2
3
作者 杨晨 刘轮才 +5 位作者 龚敏 蒲林 程兴华 谭开州 王健安 石瑞英 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期587-590,共4页
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有... 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立. 展开更多
关键词 SIGEHBT 基极电流 集电极电流 Γ辐照
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一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法
4
作者 杨洪东 李竞春 +3 位作者 于奇 周谦 谭开州 张静 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期589-592,共4页
为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD... 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。 展开更多
关键词 锗硅基区 渐变温度控制 图形外延 锗硅BiCMOS
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适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
5
作者 卢盛辉 杨洪东 +2 位作者 李竞春 谭开州 张静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期1-4,共4页
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n... 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。 展开更多
关键词 局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长
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Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术
6
作者 胡永贵 谭开州 +3 位作者 张家斌 张正璠 肖鹏 夏培邦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期441-444,共4页
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献。
关键词 MOSFET 总剂量辐照 Si-栅 加固
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基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
7
作者 刘道广 李荣强 +9 位作者 石建刚 何开全 刘玉奎 谭开州 张静 杨秋冬 钟怡 舒曼 徐婉静 徐世六 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期271-274,共4页
基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非... 基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW. 展开更多
关键词 数字/模拟混合电路 双极Bi/CMOS兼容工艺 D/A转换器
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高速12位D/A转换器
8
作者 李荣强 刘道广 +9 位作者 严刚 何开全 刘玉奎 谭开州 张静 杨秋冬 钟怡 舒曼 徐婉静 徐世六 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期365-369,共5页
介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
关键词 D/A转换器 线性误差 数据更新率
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