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题名高性能SRAM的低功耗设计
被引量：3
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作者
熊凯
谭全林
邢座程
李少青
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机构
国防科技大学计算机学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期760-764,共5页
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基金
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2007AA01Z102)
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文摘
采用0.13μm标准CMOS工艺,全定制设计实现了一款8 kB(8 k*8 bit)的高速低功耗静态随机存取存储器(SRAM)。分析了影响存储器性能和功耗的原因,并在电路布局上做了改进,将两个3-8译码器进行拆分与重组,降低了互连线的延迟和耦合作用;同时,对灵敏放大器也做了改进。版图后仿真表明,在电源电压为1.2 V、温度为25℃的典型条件下,读1延时为766.37 ps,最大功耗为11.29 mW,功耗延时积PDP为8.65 pJ,实现了很好的性能。
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关键词
SRAM
灵敏放大器
预充电路
译码电路
功耗延时积
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Keywords
SRAM
Sense amplifier
Precharge
Decoder
PDP
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名单位公务卡使用中的一些问题和建议
被引量：1
- 2
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作者
谭全林
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机构
中国人民解放军中部战区空军医院
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出处
《新西部》
2019年第35期75-75,64,共2页
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文摘
本文分析了单位公务卡使用中存在的主要问题,提出了以下几点建议:加强对公务卡使用规定的学习,加大执行力度;加强对公务卡使用的检查和指导;加强公务卡的日常监督和管理;加强公务卡管理的奖励与处分制度。
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关键词
公务卡
问题
建议
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分类号
D63
[政治法律—政治学]
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题名高速5端口寄存器文件的设计与实现
- 3
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作者
谭全林
陈迅
邢座程
李少青
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机构
国防科技大学计算机学院
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第1期42-44,47,共4页
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文摘
为了加快处理器对数据的存取速度,采用0.13μm、8层(Al)金属布线N阱COMS工艺设计实现了一款290ps读访问延迟、16字11位、4读1写的特殊寄存器文件.它应用在流处理器中,读操作是用差分灵敏放大器实现,和写操作共用一个时钟周期,当读写地址一致时,数据从旁路输出.本寄存器文件在频率为1GHz,1.2V,50℃的典型情况下经过多个周期的测试都可以准确地工作,平均功耗为14.75mW,达到了高速低功耗的设计目标.
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关键词
寄存器文件
灵敏放大器
多端口
旁路输出
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Keywords
register file
sensing amplifier
multi-port
output bypass
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名64位整数加法器的设计与实现
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作者
谭全林
邢座程
李少青
陈延仓
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机构
国防科技大学计算机学院
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第2期32-35,共4页
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文摘
为了提高算术逻辑部件的性能,采用多米诺逻辑和偏斜逻辑门的电路结构,结合并行前缀加法器的优点,设计实现了一款64位高性能整数加法器.根据需要,设计了一种符号扩展电路,使之能够处理带符号操作数的加减法,符号扩展结果可以进行溢出判断.模拟结果表明:在0.13μmCMOS的工艺条件下,关键路径的延时为630ps功耗为21.6mW,达到了高速低功耗的设计目标.
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关键词
并行前缀加法器
多米诺逻辑
偏斜逻辑
功耗延时积
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Keywords
parallel-prefix adder
domino logic
asymmetry logic
power-delay product
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分类号
TN791
[电子电信—电路与系统]
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