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硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用 被引量:6
1
作者 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期48-50,共3页
按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程,阐述了择优与非择优腐蚀的机理,研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。
关键词 硅片 化学腐蚀 电力半导体器件
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硅片表面状态与机械强度 被引量:3
2
作者 石志仪 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期312-315,共4页
硅片表面状态与机械强度谢书银,石志仪(中南工业大学410083)关键词:硅片,化学腐蚀,表面损伤,抗弯强度,表面处理(一)前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎,尤其是当硅片较薄时,破碎问题相... 硅片表面状态与机械强度谢书银,石志仪(中南工业大学410083)关键词:硅片,化学腐蚀,表面损伤,抗弯强度,表面处理(一)前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎,尤其是当硅片较薄时,破碎问题相当严重。发生破碎的原因除与硅片内在... 展开更多
关键词 硅片 腐蚀 损伤 抗弯强度 半导体器件
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硅片高温翘曲与常温机械强度 被引量:5
3
作者 石志仪 +1 位作者 陈忠祥 张维连 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期710-713,共4页
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明,众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的.高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系.抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力,而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力.
关键词 硅片 高温翘曲 抗弯强度 实验
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硅片的抗弯强度及其测量 被引量:4
4
作者 石志仪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期618-622,共5页
研究了硅片抗弯强度,提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法,讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准.
关键词 半导体器件 硅片 抗弯强度 测量
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硅片塑性形变与位错 被引量:3
5
作者 袁鹏 +2 位作者 万关良 李励本 张锦心 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期208-211,共4页
通过1200℃、15h急冷热处理实验,研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明,硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高,均使塑性形变更加严重。位错密度为04~2×103c... 通过1200℃、15h急冷热处理实验,研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明,硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高,均使塑性形变更加严重。位错密度为04~2×103cm-2的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的3倍多,1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错,且急冷温度越高,产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。 展开更多
关键词 硅片 塑性形变 位错 热处理
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高温工艺中硅片的翘曲 被引量:3
6
作者 石志仪 陈中祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期24-25,26,共3页
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响,高温工艺中竖直装片引起的形变较小,研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。
关键词 硅片 热处理 弯曲
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圆片冲击法测定硅片抗弯强度的研究 被引量:3
7
作者 石志仪 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 1995年第3期380-384,共5页
提出了一种新的使用圆片试样及冲击加载的硅片抗弯强度测试方法,结合动能定理和薄板小挠度理论推导了抗弯强度的计算公式,测试结果准确,精度好。
关键词 抗弯强度 硅片 冲击载荷 弯曲试验 脆性材料
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含氮CZ硅力学行为研究 被引量:2
8
作者 石志仪 +2 位作者 佘思明 李立本 张锦心 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期174-180,共7页
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初... 用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。 展开更多
关键词 单晶制备 含氮CZ硅 直拉硅 力学行为
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热处理对硅片抗弯强度的影响 被引量:2
9
作者 石志仪 +1 位作者 李冀东 董萍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期169-171,共3页
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅(ACZ)及氮气氛直拉硅(NCZ)抗弯强度(σ)的影响规律。结果表明:硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高,沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热... 研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅(ACZ)及氮气氛直拉硅(NCZ)抗弯强度(σ)的影响规律。结果表明:硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高,沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热施主。 展开更多
关键词 抗弯强度 热处理 硅片 单晶硅
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氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定 被引量:2
10
作者 石志仪 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期42-44,共3页
提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰963、996、1081-1及1027cm-1确定直拉硅中氮含量的计算公式,并进行了多种样品实测。该法克服了只用963cm-1峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病,方法相对偏差为... 提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰963、996、1081-1及1027cm-1确定直拉硅中氮含量的计算公式,并进行了多种样品实测。该法克服了只用963cm-1峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病,方法相对偏差为5%~20% 展开更多
关键词 红外吸收光谱法 硅单晶 含量
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硅片高温工艺与塑性形变 被引量:1
11
作者 万关良 +1 位作者 李立本 张锦心 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期291-294,共4页
为减小硅片高温工艺中的形变,通过仿硅器件在1200℃热处理1.5h高温工艺热处理实验,研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响,实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的,快速加... 为减小硅片高温工艺中的形变,通过仿硅器件在1200℃热处理1.5h高温工艺热处理实验,研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响,实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的,快速加热对形变影响不大。急冷温度越高,硅片中心与边缘温差越大,因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大,1200℃急冷的弯曲度变化是770℃急冷的4倍,水平装片比竖直装片形变大,紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度,由1200℃缓慢降至770℃左右再急冷,配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。 展开更多
关键词 硅片 高温工艺 塑性形变 热处理
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硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系 被引量:1
12
作者 石志仪 余思明 《中南工业大学学报》 CSCD 1995年第2期261-265,共5页
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律,讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系,提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
关键词 硅片 抗弯强度 抗变形能力 高温
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氮气氛下直拉硅棒的机械强度分布 被引量:1
13
作者 石志仪 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期17-20,共4页
用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅(NCZ-Si)棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮 CZ-Si 中 N-N 对的浓度对硅棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳浓度达2×10^(17)cm(-3)时,对硅棒强度无显著影响。
关键词 NCZ硅棒 机械强度 测定
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硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究
14
作者 石志仪 《中南工业大学学报》 CSCD 1996年第2期231-233,共3页
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式.通过薄硅片抗弯强度的测试实验,对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准,并研究了挠度、厚度比ω/δ与校准系数K的关系.结果表明,符合小挠度假设的范围是ω/δ≤... 推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式.通过薄硅片抗弯强度的测试实验,对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准,并研究了挠度、厚度比ω/δ与校准系数K的关系.结果表明,符合小挠度假设的范围是ω/δ≤1/7. 展开更多
关键词 抗弯强度 小挠度 硅片 测试法
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氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
15
作者 王丙义 +2 位作者 蔡爱军 李立本 张锦心 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第1期58-61,共4页
通过模拟集成电路高温工艺的1200℃,1.5h后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷3种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响.实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅(ACZSi)高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅(FZS... 通过模拟集成电路高温工艺的1200℃,1.5h后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷3种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响.实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅(ACZSi)高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅(FZSi)的1/3左右.在含氮气氛下直拉硅(NCZSi)中,氮含量为4.5×1015cm-3的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的1/3,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多. 展开更多
关键词 氧氮磷杂质 硅片 高温形变
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圆片冲击法硅片强度测试中简支半径问题研究
16
作者 王红忠 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 1997年第3期260-261,共2页
分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响,实验求得直径50.8mm硅片抗弯强度测试值的校正系数为0.8.
关键词 抗弯强度 冲击载荷 简支半径 硅片 圆片冲击法
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滚圆对硅单晶机械强度的影响
17
作者 石志仪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期46-48,共3页
通过测定滚圆前后硅片强度变化,并结合扫描电镜观察,研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗弯强度的影响,提出了消除影响使强度恢复的简便方法。
关键词 滚圆 硅单晶 机械强度
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A Novel Method for Measuring Flexure Strength of Brittle Materials
18
作者 石志仪 施锦行 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第1期76-79,共4页
A novel test method to measure flexure strength for silicon slices and other brittle materials was suggested by using simple supported circular slice samples and steel ball impact loading. The maximal tensile stress e... A novel test method to measure flexure strength for silicon slices and other brittle materials was suggested by using simple supported circular slice samples and steel ball impact loading. The maximal tensile stress expression under concentrating impact load for center of simple supported circular plate was derived based on kinetic energy theorem and small deflection theory of thin plate. The instrument used in the method is simple, the test results are accurate, and the test does not need large scale loading apparatus. An experimental correct method was presented for test results deviated from small deflection limit when the slices were thinner or the strength of slice was higher. 展开更多
关键词 Brittle material Flexure strength Test method
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硅片力学行为与表面损伤 被引量:2
19
作者 石志仪 +2 位作者 蔡爱军 李立本 张锦心 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第4期344-346,共3页
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系.结果表明,M20金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹,研磨硅片在常温工艺中容易破碎,机械强度较低;在高温工艺中容易弯曲或翘曲,抗形变能力差.研磨后化腐30μm左右可使强度提高1倍... 研究了硅片力学行为与表面损伤的关系.结果表明,M20金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹,研磨硅片在常温工艺中容易破碎,机械强度较低;在高温工艺中容易弯曲或翘曲,抗形变能力差.研磨后化腐30μm左右可使强度提高1倍多,达到材质固有强度,高温弯曲度变化降到磨片的1/4~1/3.研磨片表面7~8μm的微腐也可使强度提高到材质强度的70%~80%,弯曲度变化降到磨片的1/2~2/3. 展开更多
关键词 抗弯强度 弯曲率 表面损伤 硅片 力学行为
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GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
20
作者 石志仪 李冀东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期47-49,共3页
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准,使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量,进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
关键词 国家标准 硅片 抗弯强度 测试方法 集成电路
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