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Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 被引量：1
1
作者 王善忠 姬荣斌 +3 位作者 巫艳 许颐璐 郭世平 何力 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期385-388,共4页
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂... 本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。 展开更多
关键词 分子束外延 蓝绿发光器 硫化锌 MBE
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等离子体活性氮源的研制 被引量：2
2
作者 王善忠 许颐璐 +6 位作者 姬荣斌 巫艳 俞锦陛 乔怡敏 于梅芳 杨建荣 何力 《光电子技术》 CAS 1998年第1期54-59,共6页
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该... ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该氮源的国产FW－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明，薄膜中氮浓度高达～2．3×1020cm－3；C-V测量表明，净空穴浓度［Na］－［Nd］为～5×1017cm-3，已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求（～4．0×1017cm-3）。 展开更多
关键词 射频激励 等离子体 活性氮源 发光器件
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