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基于BST可变电容的电调微带天线研究
被引量:
1
1
作者
张光强
肖勇
+2 位作者
许
程
源
陈湘亮
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期28-30,共3页
采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V...
采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
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关键词
微带天线
BST可变电容
单片机
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职称材料
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
2
作者
肖勇
许
程
源
+1 位作者
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期19-21,24,共4页
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位...
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
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关键词
铌酸铋镁(BMN)薄膜
氧空位
介电损耗机制
退火
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职称材料
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜电容的尺寸效应研究
3
作者
许
程
源
肖勇
+1 位作者
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期29-32,共4页
采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3,BST)平行板电容,研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明,由于存在边缘效应,BST薄膜电容的电容密度及Q值都具有尺...
采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3,BST)平行板电容,研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明,由于存在边缘效应,BST薄膜电容的电容密度及Q值都具有尺寸效应。低频时,随着电容面积增大,电容密度减小,Q值增大。高频时,随着电容面积增大,电容密度及Q值减小。
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关键词
钛酸锶钡(BST)
薄膜
尺寸效应
平行板电容
Q值
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职称材料
题名
基于BST可变电容的电调微带天线研究
被引量:
1
1
作者
张光强
肖勇
许
程
源
陈湘亮
蒋书文
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期28-30,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60871049)
文摘
采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
关键词
微带天线
BST可变电容
单片机
Keywords
mierostrip antenna
BST variable capacitor
single-chip microcomputer
分类号
TN827.4 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
2
作者
肖勇
许
程
源
张光强
蒋书文
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期19-21,24,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.50972024)
文摘
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
关键词
铌酸铋镁(BMN)薄膜
氧空位
介电损耗机制
退火
Keywords
bismuth magnesium niobate (BMN) thin films
oxygen vacancies
dielectric loss mechanism
annealing
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜电容的尺寸效应研究
3
作者
许
程
源
肖勇
张光强
蒋书文
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期29-32,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.50972024
No.60871049)
文摘
采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3,BST)平行板电容,研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明,由于存在边缘效应,BST薄膜电容的电容密度及Q值都具有尺寸效应。低频时,随着电容面积增大,电容密度减小,Q值增大。高频时,随着电容面积增大,电容密度及Q值减小。
关键词
钛酸锶钡(BST)
薄膜
尺寸效应
平行板电容
Q值
Keywords
barium strontium titanate (BST)
thin film
size dependent
parallel plate capacitor
quality factor
分类号
TM53 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于BST可变电容的电调微带天线研究
张光强
肖勇
许
程
源
陈湘亮
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
2
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
肖勇
许
程
源
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
3
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜电容的尺寸效应研究
许
程
源
肖勇
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
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