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基于交叉耦合管线性化技术的LC-VCO
被引量：
4
1
作者
姚若河
王立姣
+1 位作者
刘爽
许泽
韬
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期20-25,共6页
针对电感电容压控振荡器(LC-VCO)中交叉耦合管非线性恶化相位噪声的问题,提出了基于交叉耦合管线性化技术的低相位噪声LC-VCO.该LC-VCO在经典差分LC-VCO拓扑结构基础上增加了自启动开关系统,并引入了基于负反馈的交叉耦合管线性化技术....
针对电感电容压控振荡器(LC-VCO)中交叉耦合管非线性恶化相位噪声的问题,提出了基于交叉耦合管线性化技术的低相位噪声LC-VCO.该LC-VCO在经典差分LC-VCO拓扑结构基础上增加了自启动开关系统,并引入了基于负反馈的交叉耦合管线性化技术.自启动开关系统能保证该LC-VCO启动速度与经典差分LC-VCO相同.基于负反馈的交叉耦合管线性化技术降低了Groszkowski效应引起的区域相位噪声,增大了振荡器输出幅度,降低了区域相位噪声.工艺仿真结果表明:本文LC-VCO振荡频率为2 GHz,在10 kHz和1 MHz频率偏移处的相位噪声为-75.9 dBc/Hz和-121.5 dBc/Hz,比经典差分LC-VCO分别降低了6.0 dB和1.6 dB.
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关键词
电感电容压控振荡器
低相位噪声
线性化技术
负反馈
Groszkowski效应
原文传递
基于噪声消除的低噪声放大器架构
被引量：
1
2
作者
姚若河
许泽
韬
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期82-88,共7页
提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数...
提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.
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关键词
低噪声放大器
宽带
噪声消除
交叉耦合
增益增强
原文传递
题名
基于交叉耦合管线性化技术的LC-VCO
被引量：
4
1
作者
姚若河
王立姣
刘爽
许泽
韬
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期20-25,共6页
基金
广东省科技计划资助项目(2019B010143003)。
文摘
针对电感电容压控振荡器(LC-VCO)中交叉耦合管非线性恶化相位噪声的问题,提出了基于交叉耦合管线性化技术的低相位噪声LC-VCO.该LC-VCO在经典差分LC-VCO拓扑结构基础上增加了自启动开关系统,并引入了基于负反馈的交叉耦合管线性化技术.自启动开关系统能保证该LC-VCO启动速度与经典差分LC-VCO相同.基于负反馈的交叉耦合管线性化技术降低了Groszkowski效应引起的区域相位噪声,增大了振荡器输出幅度,降低了区域相位噪声.工艺仿真结果表明:本文LC-VCO振荡频率为2 GHz,在10 kHz和1 MHz频率偏移处的相位噪声为-75.9 dBc/Hz和-121.5 dBc/Hz,比经典差分LC-VCO分别降低了6.0 dB和1.6 dB.
关键词
电感电容压控振荡器
低相位噪声
线性化技术
负反馈
Groszkowski效应
Keywords
inductance capacitor voltage-controlled oscillator
low phase noise
linearization technology
negative feedback
Groszkowski effect
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
基于噪声消除的低噪声放大器架构
被引量：
1
2
作者
姚若河
许泽
韬
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期82-88,共7页
基金
广东省科技计划资助项目(2019B010143003)。
文摘
提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.
关键词
低噪声放大器
宽带
噪声消除
交叉耦合
增益增强
Keywords
low noise amplifier
wideband
noise cancellation
cross-coupling
gain-boosting
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于交叉耦合管线性化技术的LC-VCO
姚若河
王立姣
刘爽
许泽
韬
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
原文传递
2
基于噪声消除的低噪声放大器架构
姚若河
许泽
韬
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
原文传递
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