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酞菁钴修饰碳糊电极对微量苯酚的测定 被引量：6
1
作者 裴会莲 李惠 刘巍 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期102-105,共4页
研究了苯酚在酞菁钴修饰碳糊电极上的电化学行为，提出了催化反应的机理，并以此为依据，用伏安法以酞菁钴修饰碳糊电极为工作电极测定了微量苯酚。在pH8．7的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中，苯酚在0．61V（对SEE）出现一氧化峰，该峰电流与... 研究了苯酚在酞菁钴修饰碳糊电极上的电化学行为，提出了催化反应的机理，并以此为依据，用伏安法以酞菁钴修饰碳糊电极为工作电极测定了微量苯酚。在pH8．7的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中，苯酚在0．61V（对SEE）出现一氧化峰，该峰电流与苯酚的浓度在5．0×10^-7～1．0×10^-4mol／L之间呈线性关系，检出限为1．0×10^-7mol／L。此法可用于工业废水中苯酚的测定。 展开更多
关键词 酞菁钴 修饰电极 苯酚 电催化氧化
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甲巯咪唑在酞菁钴修饰碳糊电极上的示差脉冲伏安法测定 被引量：2
2
作者 李惠 裴会莲 刘巍 《药物分析杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1756-1759,共4页
目的:研究甲巯咪唑在酞菁钴(CoPc)修饰碳糊电极上的电化学行为并测定其含量。方法:循环伏安(CV)法和示差脉冲伏安(DPV)法。结果:在 pH=7.0、修饰电极中 CoPc 含量为6.25%(w/w)、富集电位-0.3 V(vs SCE)、富集时间40 s 的条件下,甲巯咪... 目的:研究甲巯咪唑在酞菁钴(CoPc)修饰碳糊电极上的电化学行为并测定其含量。方法:循环伏安(CV)法和示差脉冲伏安(DPV)法。结果:在 pH=7.0、修饰电极中 CoPc 含量为6.25%(w/w)、富集电位-0.3 V(vs SCE)、富集时间40 s 的条件下,甲巯咪唑的氧化峰电流(i_p)与其浓度在2.0×10^(-6)～7.0×10^(-4)mol·L^(-1)范围内呈良好的线性关系,检出限为0.3 μmol·L^(-1)。结论:该方法应用到实际样品含量测定,其结果令人满意。 展开更多
关键词 酞菁钴 碳糊电极 甲巯咪唑 测定
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