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大功率隧道结级联半导体激光器研究进展 被引量：2
1
作者 文振宇 李建军 +2 位作者 曹红康 袁泽旭 王梦欢 《光电子》 2018年第4期149-157,共9页
对半导体隧道级联激光器的发展近况和技术突破以及工艺优化进行分析总结,着重介绍了大功率半导体隧道级联激光器在研究领域的部分性能的优化以及创新点。
关键词 大功率 隧道结 半导体激光器 级联
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940nm大功率半导体激光器后工艺优化 被引量：1
2
作者 王海阔 李建军 +2 位作者 王元诚 王梦欢 袁泽旭 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第5期612-615,622,共5页
波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展... 波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。 展开更多
关键词 半导体激光器 大功率 侧向电流扩展 隔离沟道
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微电流高效率650nm谐振腔发光二极管 被引量：1
3
作者 王元诚 李建军 +3 位作者 王海阔 王梦欢 袁泽旭 邹德恕 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期177-183,共7页
基于微腔理论和薄膜光学传输矩阵模型,设计并制备了孔径不同的谐振腔发光二极管.通过对外延结构的设计和对器件的制备与测试,详细研究了微腔结构、腔谱失谐以及有效辐射面积对器件发光效率、峰值波长和半波全宽等性能的影响,最终降低了... 基于微腔理论和薄膜光学传输矩阵模型,设计并制备了孔径不同的谐振腔发光二极管.通过对外延结构的设计和对器件的制备与测试,详细研究了微腔结构、腔谱失谐以及有效辐射面积对器件发光效率、峰值波长和半波全宽等性能的影响,最终降低了器件的启亮电流并且提升了器件的外量子效率.制备的器件能够在100μA偏置电流下产生肉眼清晰可见的微瓦级光强,在1mA电流下达到0.16mW的光功率和7%的外量子效率.器件的峰值波长为650nm,并且在0.1~7mA范围内不随电流改变而发生变化.远场分布为均匀对称的圆形光斑,水平和竖直发散角分别为46°和48°.与普通发光二极管相比,该器件具有更高的发光效率和更好的单色性、方向性、波长稳定性,研究成果为实现微小电流驱动的高亮度发光器件提供了基础元件,并为谐振腔发光二极管在微电流下的光电特性研究提供参考与借鉴. 展开更多
关键词 谐振腔发光二极管 微电流 高效率 腔谱失谐 光子回收效应
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氮化镓基谐振腔发光二极管发展近况
4
作者 王元诚 李建军 +5 位作者 王海阔 袁泽旭 王梦欢 邹德恕 韩军 邓军 《光电子》 2017年第4期127-140,共14页
共振腔发光二极管(Resonant Cavity Light emitting Diodes, RCLED)可视为垂直腔发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSELs)与传统发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)二者的结合,具备了传统发光二极管(LED)和垂... 共振腔发光二极管(Resonant Cavity Light emitting Diodes, RCLED)可视为垂直腔发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSELs)与传统发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)二者的结合,具备了传统发光二极管(LED)和垂直腔面激光器(VCSEL)两者的优点。相比于传统LED,RCLED出射的光具有更大的光强、提取效率和调制带宽,以及更好的方向性、光谱纯度和温度可靠性。近年来,国际上出现了许多针对砷化镓基红光波段、氮化镓基蓝绿光波段、近紫外波段的垂直腔发光二极管的相关报道,这些研究成果对于工业、医疗、通讯等领域非常有吸引力。然而,对于该方面研究工作的概述类文章却很少。本文主要对近年来以GaN为基础的蓝光波段RCLED发展情况进行概述。 展开更多
关键词 共振腔 发光二极管 氮化镓 提取效率
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