基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温...基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温度时的S参数,对器件的小信号模型参数进行提取,得出AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效高温电路模型的参数变化.结果表明,温度升高对器件小信号模型的本征参数会有很大的影响,因此高温情况下的小信号建模仍然必不可少.展开更多
文摘基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温度时的S参数,对器件的小信号模型参数进行提取,得出AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效高温电路模型的参数变化.结果表明,温度升高对器件小信号模型的本征参数会有很大的影响,因此高温情况下的小信号建模仍然必不可少.
