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碲镉汞液相外延石墨舟的温度场均匀性改善 被引量:2
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作者 陆骏 李东升 +6 位作者 木胜 万志远 朱辉 杨岸 黄元晋 王志斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第4期299-304,共6页
对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy, LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其对温度场的影响,得到了石英框壁厚与温度分布的关系。模拟发现,在母液周围加入石英框结构,可以提高外延生... 对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy, LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其对温度场的影响,得到了石英框壁厚与温度分布的关系。模拟发现,在母液周围加入石英框结构,可以提高外延生长界面温度场均匀性。最后,将分析结果与实验相结合,进行实验验证,成功降低了边界效应对碲镉汞薄膜的影响,外延生长出厚度极差??为1.4?m、组分极差?x不超过0.002的长波碲镉汞薄膜。 展开更多
关键词 石墨舟 温度场均匀性 碲镉汞 LPE
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分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究
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作者 覃钢 李东升 +6 位作者 李雄军 李艳辉 王向前 杨彦 铁筱莹 左大凡 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第10期820-824,共5页
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测... 研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性,利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量,并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度,对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。 展开更多
关键词 分子束外延 碲镉汞 原位p-on-n I-V曲线
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