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题名氧化镓的n型掺杂研究进展
被引量：1
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作者
蔺浩博
刘宁涛
吴思淼
张文瑞
叶继春
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机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
宁波大学材料科学与化学工程学院
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出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期277-288,303,共13页
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基金
浙江省自然科学基金重点项目(LZ21F040001)
宁波市重大科技攻关项目(2022Z016)。
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文摘
作为一种新兴宽禁带半导体,氧化镓具有宽带隙、高击穿电压、高巴利加优值及良好的热稳定性的优点,在功率电子器件、日盲紫外探测器以及气体探测器等领域有着极大的应用潜力。首先概述了氧化镓相比于其他半导体材料存在的优势,介绍了氧化镓的不同晶相(α、β、γ、δ、ε、κ)的物理性质及相应的潜在应用方向。其次,详细讨论了氧化镓的n型掺杂的研究现状,包括本征缺陷,Si,Ge,Sn以及其他高价元素掺杂的机理和输运调控规律。最后,探讨了氧化镓目前存在的主要问题,包括由于难以形成自由空穴而导致的p型掺杂困难以及本征热导率过低导致的器件难以散热的问题,并对氧化镓未来的发展进行了展望。
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关键词
氧化镓
N型掺杂
本征缺陷
宽禁带氧化物
半导体
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Keywords
gallium oxide
n-type doping
intrinsic defects
wide-bandgap oxides
semiconductors
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分类号
O471
[理学—半导体物理]
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