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注意缺陷多动障碍患儿事件相关脑电位研究 被引量：3
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作者 朱莉 曾佺 +2 位作者 蒋杨婷 陈佳 张丽英 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期161-166,共6页
本文旨在研究注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿和正常儿童事件相关电位差异,为ADHD的诊断提供科学依据。用精神障碍的诊断与统计手册(DSM-Ⅳ)诊断标准确定ADHD组8例,对照组8例。对所有对象进行改进型视觉持续性行为测试,包括Go和NoGo两个条... 本文旨在研究注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿和正常儿童事件相关电位差异,为ADHD的诊断提供科学依据。用精神障碍的诊断与统计手册(DSM-Ⅳ)诊断标准确定ADHD组8例,对照组8例。对所有对象进行改进型视觉持续性行为测试,包括Go和NoGo两个条件。采用高密度脑电采集仪记录脑电用于后续分析,分析P2-N2峰峰值以及频谱在11Hz左右的峰值,找出差异进行检验。实验结果表明:1Go条件下ADHD组P2-N2峰峰值显著低于对照组(P<0.05);NoGo条件下差异无统计学意义。2在NoGo条件下,ADHD组在11 Hz左右的频谱峰值显著低于对照组(P<0.05),而在Go条件下差异无统计学意义。因此,ADHD患儿存在一定的认知功能障碍。临床上可用P2-N2峰峰值、频谱在11Hz左右峰值作为评价ADHD患儿认知功能的脑电生理指标,为ADHD的早期诊断和治疗提供客观依据。 展开更多
关键词 注意缺陷多动障碍 事件相关电位 频谱 视觉持续性行为测试
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