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用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变 被引量：1
1
作者 英敏菊 董西亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期671-674,共4页
对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结... 对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。 展开更多
关键词 离子注入 GAAS 超晶格 晶格应变 拉曼光谱
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离子注入制备锐钛矿型Fe：TiO2薄膜紫外光、可见光和自然光催化效果研究 被引量：1
2
作者 覃礼钊 廖斌 +4 位作者 董西亮 吴先映 侯兴刚 程肯 刘安东 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期145-148,共4页
采用溶胶-凝胶法制备纳米Ti O2薄膜,然后用金属蒸汽真空弧（metal vapour vacuumarc,MEVVA）离子注入机注入从6×10^15～6×10^16cm24种注量的Fe离子,制备复合纳米Fe：Ti O2薄膜.用UV-Vis透射光谱和XRD对催化剂进行了表征.对薄... 采用溶胶-凝胶法制备纳米Ti O2薄膜,然后用金属蒸汽真空弧（metal vapour vacuumarc,MEVVA）离子注入机注入从6×10^15～6×10^16cm24种注量的Fe离子,制备复合纳米Fe：Ti O2薄膜.用UV-Vis透射光谱和XRD对催化剂进行了表征.对薄膜在紫外光、可见光和自然光下降解甲基橙的光催化脱色效果进行了研究. 展开更多
关键词 Fe:TiO2薄膜 离子注入 光降解
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0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
3
作者 英敏菊 董西亮 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期384-386,共3页
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离... 对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。 展开更多
关键词 离子注入 晶格应变 X射线衍射光谱
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