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题名GaAs基霍尔传感器的研究进展
被引量：2
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作者
董健方
彭挺
高能武
金立川
钟智勇
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
成都海威华芯科技有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期561-571,590,共12页
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基金
国家自然科学基金重点项目(61734002)
四川省应用基础研究重大前沿项目(2017JY0002)
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文摘
霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,Ga As基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了Ga As材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的Ga As基霍尔传感器和异质结构的Ga As基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对Ga As基霍尔传感器的发展趋势进行了展望。
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关键词
霍尔传感器
砷化镓(GaAs)
异质结
磁场传感器
电压偏移消除技术
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Keywords
Hall sensor
GaAs
heterojunction
magnetic sensor
voltage offset cancellation technique
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
TP212.41
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名自旋转移矩纳米振荡器原理、结构与研究进展
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作者
常鸿
史欣玉
董健方
钟智勇
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机构
核工业西南物理研究院
中国电子科技集团公司第
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2019年第5期59-64,共6页
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文摘
自旋转移矩纳米振荡器(STNO)主要依据磁电阻效应(MR)和自旋转移矩效应(STT)两种效应来工作的。自旋转移矩效应中自旋电子能够有效地控制磁性薄膜磁化矢量变化,从而STNO可以被直流偏压电流和外加直流磁场调制。由于其高集成度、高可调谐性,而且可以和CMOS工艺完全兼容,使得STNO成为了未来射频收发器的理想器件。首先简单介绍STNO的基本结构和原理,然后重点阐述近年来针对输出功率和带宽等问题而提出的最新解决办法,最后对STNO的发展前景进行了展望。
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关键词
自旋转移矩效应
磁电阻效应
纳米振荡器
性能
应用
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Keywords
spin transfer torque effects
magnetoresistance effects
nano-oscillator
properties
applications
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
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