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一种基于调零理论检测低气压放电效应的方法 被引量：1
1
作者 张勇 叶鸣 +5 位作者 胡少光 茅张松 陈理想 王瑞 王丹 贺永宁 《空间电子技术》 2019年第3期109-114,共6页
随着我国航空航天事业的飞速发展,对微波器件的功率容量要求也变得越来越高,其受低气压放电效应影响的问题也越来越突出,建立有效的低气压放电检测方法也就变得尤为重要和迫切。为提高低气压放电效应检测的灵敏度,文章研究了一种利用调... 随着我国航空航天事业的飞速发展,对微波器件的功率容量要求也变得越来越高,其受低气压放电效应影响的问题也越来越突出,建立有效的低气压放电检测方法也就变得尤为重要和迫切。为提高低气压放电效应检测的灵敏度,文章研究了一种利用调零系统搭建的低气压放电效应测试平台来检测微波器件是否发生低气压放电的方法。首先,基于相位相消理论分析了调零系统应用于低气压放电测试的工作原理;其次,通过同频信号相位叠加实验对理论计算结果进行了验证,结果表明:相比于直接检测待测件反射信号幅度变化的传统低气压放电效应检测方法,调零法具有灵敏度显著增强的优点;最后,在100Pa^4500Pa的气压范围内,利用所搭建的测试平台对S波段的微带带通滤波器进行了低气压放电测试,结果表明:该测试平台可以根据调零信号的变化,有效实现对微波器件的低气压放电效应进行检测。 展开更多
关键词 低气压放电 调零理论 测试平台 微带带通滤波器
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同轴阻抗变换器低气压放电研究
2
作者 茅张松 李韵 +4 位作者 张勇 叶鸣 王瑞 崔万照 贺永宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期624-630,共7页
低气压放电效应是由微波电离击穿引起的气体放电现象,是限制大功率微波部件功率容量的关键可靠性问题之一。以同轴结构微波部件为研究对象,对S波段同轴阻抗变换器进行了低气压放电实验研究。实验结果表明:同轴阻抗变换器的低气压放电行... 低气压放电效应是由微波电离击穿引起的气体放电现象,是限制大功率微波部件功率容量的关键可靠性问题之一。以同轴结构微波部件为研究对象,对S波段同轴阻抗变换器进行了低气压放电实验研究。实验结果表明:同轴阻抗变换器的低气压放电行为近似符合帕邢曲线。基于考虑扩散、电离、吸附的气体放电理论,建立了同轴传输线结构微波电离击穿功率阈值的计算模型。模型计算结果表明:气体温度升高会导致微波电离击穿阈值曲线向低气压区域平移;局部场增强效应会降低同轴阻抗变换器的低气压放电功率阈值。 展开更多
关键词 微波击穿 低气压放电 同轴阻抗变换器 功率阈值
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TEM模式同轴谐振腔低气压放电蒙特卡罗仿真和实验研究 被引量：1
3
作者 彭玉彬 茅张松 +3 位作者 周昊楠 曾鸣奇 胥钧埕 贺永宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期290-297,共8页
随着无线通信系统高频小型化的发展趋势,对微波滤波器设计提出更为严苛的要求。其中功率容量作为衡量滤波器性能的重要指标,在滤波器尺寸不断缩小的情形下面临严峻的挑战。谐振器作为滤波器基本组成单元,对单一谐振器的功率容量准确预... 随着无线通信系统高频小型化的发展趋势,对微波滤波器设计提出更为严苛的要求。其中功率容量作为衡量滤波器性能的重要指标,在滤波器尺寸不断缩小的情形下面临严峻的挑战。谐振器作为滤波器基本组成单元,对单一谐振器的功率容量准确预测十分重要。本文针对工作频率在2.6 GHz的TEM模式同轴谐振器,将电容加载的耦合结构近似为平行平板结构,利用单粒子蒙特卡罗方法仿真获得同轴谐振器临界击穿电场,实现了对该结构同轴谐振腔的低气压放电功率阈值仿真预测。对所设计同轴谐振腔开展低气压放电实验研究,获得了100~1000 Pa气压范围内击穿功率阈值随气压的变化关系实验曲线,并验证了单粒子蒙特卡罗仿真预测方法的准确性。 展开更多
关键词 蒙特卡罗数值模拟 低气压放电 同轴谐振腔 功率阈值
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电子束辐照诱导介质表面带电演化过程 被引量：2
4
作者 王丹 蔡亚辉 +1 位作者 茅张松 贺永宁 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期212-220,共9页
空间环境中航天器介质表面的充放电现象是在轨航天器工作中面临的重要可靠性问题,开展介质表面充放电动态过程研究对于揭示带电机理、开展带电防护研究至关重要.本文推导了介质表面电子发射行为对表面带电类型和带电水平的影响规律,通... 空间环境中航天器介质表面的充放电现象是在轨航天器工作中面临的重要可靠性问题,开展介质表面充放电动态过程研究对于揭示带电机理、开展带电防护研究至关重要.本文推导了介质表面电子发射行为对表面带电类型和带电水平的影响规律,通过仿真建模模拟了恒定能量电子束辐照介质时的表面电荷积累过程,获得了氧化镁、氧化铝、高阻氧化锌3种介质表面电位演化过程的动态规律.结果表明,如果电子束能量低于二次电子产额曲线中第二临界能量,则辐照诱发的表面负带电或正带电的平衡电位较低,仅为几十伏;而高于第二临界能量的电子束辐照诱发的表面负带电水平可达上万伏;具有高第二临界能量的介质材料的负带电水平相对较低且充电速率较为缓慢,是减缓介质表面充电过程、实现带电防护的理想材料.本研究详尽论述了单一能量电子束辐照下介质表面电位演化过程的动态规律,对于进一步开展介质表面带电水平分析和抑制带电研究具有重要意义. 展开更多
关键词 介质带电 表面电位 平衡电位 二次电子发射 电子束辐照
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