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小胶质细胞调节孤独症谱系障碍的作用机制研究进展
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作者 马如意 广 +3 位作者 陈依文 姜泊远 吴悠 陈雨珊 《生命科学》 CSCD 2024年第4期477-486,共10页
孤独症谱系障碍(autism spectrum disorder, ASD)是一种神经发育障碍,其特征是社会交流障碍和限制性重复行为。神经和免疫系统功能障碍被认为是ASD的根本发病原因。大脑常驻免疫细胞——小胶质细胞参与ASD的发病机制,因此小胶质细胞功... 孤独症谱系障碍(autism spectrum disorder, ASD)是一种神经发育障碍,其特征是社会交流障碍和限制性重复行为。神经和免疫系统功能障碍被认为是ASD的根本发病原因。大脑常驻免疫细胞——小胶质细胞参与ASD的发病机制,因此小胶质细胞功能障碍与ASD之间的关系值得深入探究。本文主要探讨小胶质细胞在神经发育中的作用,重点分析小胶质细胞在ASD中的神经调控作用,总结靶向小胶质细胞治疗ASD的研究现状,为ASD的治疗干预提供理论依据和潜在靶标。 展开更多
关键词 小胶质细胞 孤独症谱系障碍 神经发育 突触修剪
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兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
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作者 金冬月 贾晓雪 +5 位作者 张万荣 那伟聪 曹路明 潘永安 刘圆圆 广 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1141-1149,共9页
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn... 为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。 展开更多
关键词 电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor BCPT) 金属-半导体接触的功函数差 正衬底偏压结构 发射结注入效率 电流增益 击穿电压
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“双减”背景下小学科学实验课程教学探索
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作者 广 《爱人》 2023年第6期242-244,共3页
在“双减”政策的背景下,教育界正面临一场关乎教学方法和课程设计的深刻变革。作为教育体系的重要一环,小学科学实验课程也需要在这一变革中寻求创新与发展。过去,实验课往往被视为知识的呈现和验证,然而,新的教育理念强调培养学生的... 在“双减”政策的背景下,教育界正面临一场关乎教学方法和课程设计的深刻变革。作为教育体系的重要一环,小学科学实验课程也需要在这一变革中寻求创新与发展。过去,实验课往往被视为知识的呈现和验证,然而,新的教育理念强调培养学生的创造力、探究精神和综合素质。因此,在“双减”的背景下,如何将科学实验课程转变为培养学生综合能力的平台,成为教育工作者共同面临的挑战。 展开更多
关键词 “双减” 小学科学 实验课程
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