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小胶质细胞调节孤独症谱系障碍的作用机制研究进展
1
作者
马如意
范
广
祥
+3 位作者
陈依文
姜泊远
吴悠
陈雨珊
《生命科学》
CSCD
2024年第4期477-486,共10页
孤独症谱系障碍(autism spectrum disorder, ASD)是一种神经发育障碍,其特征是社会交流障碍和限制性重复行为。神经和免疫系统功能障碍被认为是ASD的根本发病原因。大脑常驻免疫细胞——小胶质细胞参与ASD的发病机制,因此小胶质细胞功...
孤独症谱系障碍(autism spectrum disorder, ASD)是一种神经发育障碍,其特征是社会交流障碍和限制性重复行为。神经和免疫系统功能障碍被认为是ASD的根本发病原因。大脑常驻免疫细胞——小胶质细胞参与ASD的发病机制,因此小胶质细胞功能障碍与ASD之间的关系值得深入探究。本文主要探讨小胶质细胞在神经发育中的作用,重点分析小胶质细胞在ASD中的神经调控作用,总结靶向小胶质细胞治疗ASD的研究现状,为ASD的治疗干预提供理论依据和潜在靶标。
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关键词
小胶质细胞
孤独症谱系障碍
神经发育
突触修剪
原文传递
兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
2
作者
金冬月
贾晓雪
+5 位作者
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范
广
祥
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期1141-1149,共9页
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn...
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。
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关键词
电荷等离子体双极晶体管(bipolar
charge
plasma
transistor
BCPT)
金属-半导体接触的功函数差
正衬底偏压结构
发射结注入效率
电流增益
击穿电压
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职称材料
“双减”背景下小学科学实验课程教学探索
3
作者
范
广
祥
《爱人》
2023年第6期242-244,共3页
在“双减”政策的背景下,教育界正面临一场关乎教学方法和课程设计的深刻变革。作为教育体系的重要一环,小学科学实验课程也需要在这一变革中寻求创新与发展。过去,实验课往往被视为知识的呈现和验证,然而,新的教育理念强调培养学生的...
在“双减”政策的背景下,教育界正面临一场关乎教学方法和课程设计的深刻变革。作为教育体系的重要一环,小学科学实验课程也需要在这一变革中寻求创新与发展。过去,实验课往往被视为知识的呈现和验证,然而,新的教育理念强调培养学生的创造力、探究精神和综合素质。因此,在“双减”的背景下,如何将科学实验课程转变为培养学生综合能力的平台,成为教育工作者共同面临的挑战。
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关键词
“双减”
小学科学
实验课程
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职称材料
题名
小胶质细胞调节孤独症谱系障碍的作用机制研究进展
1
作者
马如意
范
广
祥
陈依文
姜泊远
吴悠
陈雨珊
机构
武汉科技大学医学院
出处
《生命科学》
CSCD
2024年第4期477-486,共10页
基金
湖北省自然科学基金项目(2023AFB642)
湖北省大学生创新创业训练计划项目(S202310488176)。
文摘
孤独症谱系障碍(autism spectrum disorder, ASD)是一种神经发育障碍,其特征是社会交流障碍和限制性重复行为。神经和免疫系统功能障碍被认为是ASD的根本发病原因。大脑常驻免疫细胞——小胶质细胞参与ASD的发病机制,因此小胶质细胞功能障碍与ASD之间的关系值得深入探究。本文主要探讨小胶质细胞在神经发育中的作用,重点分析小胶质细胞在ASD中的神经调控作用,总结靶向小胶质细胞治疗ASD的研究现状,为ASD的治疗干预提供理论依据和潜在靶标。
关键词
小胶质细胞
孤独症谱系障碍
神经发育
突触修剪
Keywords
microglia
autism spectrum disorders
neurodevelopment
synaptic pruning
分类号
Q421 [生物学—神经生物学]
R749 [生物学—生理学]
原文传递
题名
兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
2
作者
金冬月
贾晓雪
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范
广
祥
机构
北京工业大学信息学部
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期1141-1149,共9页
基金
北京市自然科学基金资助项目(4143059,4192014)
北京市教育委员会科技计划资助项目(KM201710005027)。
文摘
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。
关键词
电荷等离子体双极晶体管(bipolar
charge
plasma
transistor
BCPT)
金属-半导体接触的功函数差
正衬底偏压结构
发射结注入效率
电流增益
击穿电压
Keywords
bipolar charge plasma transistor(BCPT)
work function difference between metal and silicon
positive substrate bias structure
emission junction injection efficiency
current gain
breakdown voltage
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
“双减”背景下小学科学实验课程教学探索
3
作者
范
广
祥
机构
青岛市即墨区龙泉莲花山小学
出处
《爱人》
2023年第6期242-244,共3页
文摘
在“双减”政策的背景下,教育界正面临一场关乎教学方法和课程设计的深刻变革。作为教育体系的重要一环,小学科学实验课程也需要在这一变革中寻求创新与发展。过去,实验课往往被视为知识的呈现和验证,然而,新的教育理念强调培养学生的创造力、探究精神和综合素质。因此,在“双减”的背景下,如何将科学实验课程转变为培养学生综合能力的平台,成为教育工作者共同面临的挑战。
关键词
“双减”
小学科学
实验课程
分类号
G4 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
小胶质细胞调节孤独症谱系障碍的作用机制研究进展
马如意
范
广
祥
陈依文
姜泊远
吴悠
陈雨珊
《生命科学》
CSCD
2024
0
原文传递
2
兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
金冬月
贾晓雪
张万荣
那伟聪
曹路明
潘永安
刘圆圆
范
广
祥
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
3
“双减”背景下小学科学实验课程教学探索
范
广
祥
《爱人》
2023
0
下载PDF
职称材料
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