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题名磷化工艺对高温锰系磷化膜厚度的影响
被引量：3
- 1
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作者
蔡征昊
王大江
范伟海
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机构
上海恩坤化学品有限公司
滨州渤海活塞股份有限公司
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出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2018年第10期26-30,共5页
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文摘
讨论了酸洗、表面调整浓度、磷化液浓度和磷化时间等不同磷化工艺对高温锰系磷化膜厚度的影响。实验室及生产现场实验结果表明:若不酸洗,磷化膜生长困难,但是不同酸洗时间和酸洗浓度基本不影响磷化膜厚度;磷化膜厚度随着表面调整浓度的降低而增加,随着磷化液浓度的增加而增加。
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关键词
磷化
磷化工艺
磷化膜厚度
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Keywords
phosphorization
phosphating process
thickness of phosphating film
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分类号
TG178
[金属学及工艺—金属表面处理]
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题名掺杂硅和金属通孔结构电迁移对比研究
被引量：1
- 2
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作者
范伟海
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机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第5期386-390,420,共6页
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文摘
对多种掺杂硅结构和金属通孔结构进行了电迁移测试。实验结果表明,在相同电流和温度下的掺杂单晶硅的电迁移性能更好,有金属硅化物的掺杂单晶硅阻值更稳定,有金属硅化物的掺杂多晶硅的电迁移性能优于金属的电迁移性能。而无金属硅化物的掺杂多晶硅由于载流子及焦耳热效应表现出更严重的阻值退化。分析了不同掺杂硅结构的电迁移失效机理,同时对无金属硅化物的多晶硅电迁移的阻值退化模型进行了量化分析并取得较好的拟合效果。
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关键词
单晶硅
多晶硅
金属
电迁移(EM)
退化模型
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Keywords
monocrystalline silicon
polysilicon
metal
electromigration(EM)
degradation model
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响机理
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作者
范伟海
韩兆翔
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机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第4期302-306,共5页
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文摘
随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠性测试的准确性提出了严峻的挑战。通过设计的实验验证了水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响。借助失效分析手段,深入研究和讨论了水汽侵入的潜在影响机制。实验分析表明,水汽侵入对Cu互连的影响主要集中在使Cu互连金属自身发生氧化或使Ta/TaN金属阻挡层发生氧化两方面。基于该研究结果,提出了防止水汽侵入影响的有效措施,其对于保障Cu互连可靠性测试及集成电路制造工艺可靠性评估的准确性具有参考作用。
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关键词
可靠性
电迁移
CU互连
水汽侵入
失效分析
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Keywords
reliability
electromigration
Cu interconnection
moisture invasion
failure analysis
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分类号
TN415.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN306
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