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SiC/C界面辐照性能的分子动力学研究 被引量:3
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作者 王成龙 王庆宇 +4 位作者 张跃 李忠宇 洪兵 董良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第15期91-98,共8页
本文通过分子动力学模拟的方法,研究了5种含不同空间结构的SiC/C界面的材料受辐照后的缺陷分布随时间以及PKA位置的变化关系,并与单质SiC中缺陷分布情况进行对比.利用径向分布函数分析了辐照对界面原子排列情况的影响.研究结果表明,SiC/... 本文通过分子动力学模拟的方法,研究了5种含不同空间结构的SiC/C界面的材料受辐照后的缺陷分布随时间以及PKA位置的变化关系,并与单质SiC中缺陷分布情况进行对比.利用径向分布函数分析了辐照对界面原子排列情况的影响.研究结果表明,SiC/C界面的抗辐照能力明显低于SiC内部,不同的空间结构对界面缺陷数量存在一定影响.由径向分布函数推得界面区域石墨原子密度高则界面原子排列情况受辐照影响越大. 展开更多
关键词 SIC C界面 辐照 分子动力学
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单球多计数器中子剂量仪的电子学系统研制 被引量:1
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作者 洪兵 李桃生 +4 位作者 张志勇 颜强 王成龙 董良 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期29-34,共6页
针对新型单球多计数器高能中子探头,本文介绍一种满足该探头信号处理要求的核电子学系统设计方案。该电子学系统由放大电路、滤波成形电路、幅度甄别电路、多路脉冲计数器、功能控制电路和电源管理等部分组成,能够满足新型中子剂量(率)... 针对新型单球多计数器高能中子探头,本文介绍一种满足该探头信号处理要求的核电子学系统设计方案。该电子学系统由放大电路、滤波成形电路、幅度甄别电路、多路脉冲计数器、功能控制电路和电源管理等部分组成,能够满足新型中子剂量(率)仪的功能要求,实现该新型中子剂量(率)仪的信号采集、剂量(率)计算等功能。 展开更多
关键词 中子探测器 放大电路 复杂可编程逻辑器件 MSP430单片机
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