期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
高纯电子级四氟化硅中恒沸物及金属杂质的去除 被引量:1
1
作者 杜文东 马建修 +2 位作者 张杰 靖宇 《低温与特气》 CAS 2019年第2期1-5,共5页
针对高纯电子级四氟化硅中卤代硅烷恒沸物及金属杂质难以去除的两大难题,采用溶剂萃取精馏法,通过评价5种萃取剂的萃取能力,筛选出一种非极性萃取剂。通过萃取剂的弱氢键作用,使卤代硅烷恒沸物分离至1×10^(-6)以下。同时,利用静电... 针对高纯电子级四氟化硅中卤代硅烷恒沸物及金属杂质难以去除的两大难题,采用溶剂萃取精馏法,通过评价5种萃取剂的萃取能力,筛选出一种非极性萃取剂。通过萃取剂的弱氢键作用,使卤代硅烷恒沸物分离至1×10^(-6)以下。同时,利用静电除尘器和新型离子脱除吸附剂,可以使金属杂质含量脱除至50×10^(-9)以下,同时又能保证四氟化硅不发生分解。基于上述方法,高纯电子级四氟化硅的产业化满足了安全环保、高效生产、质量稳定的要求。 展开更多
关键词 四氟化硅 恒沸物 金属杂质 萃取 吸附
下载PDF
浅述二碘硅烷的合成研究进展
2
作者 王维佳 杨振建 +2 位作者 张杰 王新鹏 《低温与特气》 CAS 2022年第6期13-15,46,共4页
在大规模集成电路制程中,二碘硅烷作为硅前驱体可以在众多基材上进行气相沉积,被列为从10 nm线宽跨越到6 nm线宽制程的关键硅源物质。对二碘硅烷的制备和纯化方法进行归纳和总结,为国内高纯二碘硅烷的研发和生产提供参考,促进国内硅源... 在大规模集成电路制程中,二碘硅烷作为硅前驱体可以在众多基材上进行气相沉积,被列为从10 nm线宽跨越到6 nm线宽制程的关键硅源物质。对二碘硅烷的制备和纯化方法进行归纳和总结,为国内高纯二碘硅烷的研发和生产提供参考,促进国内硅源前驱体的发展。 展开更多
关键词 二碘硅烷 性质 合成
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部