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NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展 被引量：5
1
作者 胡翰宸 朱满康 +1 位作者 侯育冬 严辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1-5,共5页
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具... 从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等。 展开更多
关键词 无机非金属材料 (Na1/2Bi1/2)TiO3-(K1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 综述 无铅压电陶瓷 压电性能 退极化现象
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