Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究 被引量：15

1

作者 冯大建 丁雨憧 +3 位作者 刘军 李和新 付昌禄 胡少勤 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期430-432,共3页

采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm... 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。 展开更多

关键词 闪烁晶体 石榴石 Ce:GAGG 提拉法 光输出

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先进微陀螺器件及微惯性测量单元最新研究进展 被引量：8

2

作者 何杰 朴继军 +2 位作者 朱玲瑞 袁小平 胡少勤 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期410-415,共6页

微纳加工技术与振动惯性技术的结合使惯性仪表技术发生了重大的变革,拓展了惯性技术在军用和民用领域的应用。高性能微惯性器件对军事装备和国民经济的发展起着越来越大的作用。该文基于美国国防高级研究计划局(DARPA)近年来在微惯性传... 微纳加工技术与振动惯性技术的结合使惯性仪表技术发生了重大的变革,拓展了惯性技术在军用和民用领域的应用。高性能微惯性器件对军事装备和国民经济的发展起着越来越大的作用。该文基于美国国防高级研究计划局(DARPA)近年来在微惯性传感器技术领域的资助项目,综合研究了微机电系统(MEMS)谐振陀螺、微光学陀螺(MOG)、声表面波(SAW)陀螺等微惯性传感器技术及微惯性测量单元的最新发展现状,并对其发展面临的技术挑战进行了详细地分析与评述。 展开更多

关键词 微纳加工技术 微陀螺 微半球谐振陀螺 微光学陀螺 声表面波(SAW)陀螺 微惯性测量单元

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高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究 被引量：3

3

作者 陈淑芬 胡少勤 +1 位作者 赵鹏 冯杰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第6期19-23,共5页

对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和... 对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。 展开更多

关键词 镁铝尖晶石单晶 单晶生长 相图 中频感应 提拉法

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高发光均匀性Ce:LSO闪烁晶体的研制 被引量：7

4

作者 王佳 岑伟 +3 位作者 徐扬 胡少勤 石自彬 付昌禄 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期405-408,共4页

采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适... 采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适的原料配比和结晶率等相关参数,即铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度0.20%、结晶分数60%。通过以上研究结果表明,该尺寸晶体的发光均匀性超过96%。 展开更多

关键词 Ce:LSO 提拉法 高发光均匀性 正交试验

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新型压电材料——La_3Ga_5SiO_(14)单晶 被引量：7

5

作者 胡少勤 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期299-305,313,共8页

介绍了一种性能优异的新型压电材料—— Ｌａ３ Ｇａ５ Ｓｉ Ｏ１４单晶的结构及其性能。叙述了 Ｌａ３ Ｇａ５ Ｓｉ Ｏ１４单晶的生长条件及其原料制备方法，同时对这种晶体在声体波及声表面波领域的良好应用前景进行了讨论。

关键词 单晶 压电性能 声表面波 声体波 压电材料

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核医学成像探测器及晶体材料的研究进展 被引量：7

6

作者 何杰 马羽 +2 位作者 袁小平 胡少勤 邱海莲 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期460-469,共10页

以正电子发射断层成像(PET)和单光子发射计算机断层成像(SPECT)为代表的核医学成像技术是现代医学影像诊断的主要手段之一,已在肿瘤诊断、心血管疾病诊断和脑神经科学研究等领域得到广泛应用。伽玛射线探测器是PET和SPECT成像系统的核... 以正电子发射断层成像(PET)和单光子发射计算机断层成像(SPECT)为代表的核医学成像技术是现代医学影像诊断的主要手段之一,已在肿瘤诊断、心血管疾病诊断和脑神经科学研究等领域得到广泛应用。伽玛射线探测器是PET和SPECT成像系统的核心部件,探测器的性能决定了成像系统的综合性能和临床诊断价值。该文研究了核医学成像探测器及晶体材料的研究进展,分析并预测了探测器技术的发展方向。 展开更多

关键词 核医学成像 正电子发射断层成像 单光子发射计算机断层成像 闪烁体探测器 半导体探测器

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高密度电子系统的微热控技术研究 被引量：6

7

作者 李晖 李左翰 +2 位作者 胡少勤 米佳 毛世平 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期548-554,共7页

在摩尔定律提出之后的50年时间里,电子系统的集成度和组装度不断提高,功率和热流密度越来越大,微热管理技术已成为高密度电子系统(包括元器件、芯片、组/部件及系统本身)设计与制造的重要研究目标。文章分析了微热控技术的发展背景,叙... 在摩尔定律提出之后的50年时间里,电子系统的集成度和组装度不断提高,功率和热流密度越来越大,微热管理技术已成为高密度电子系统(包括元器件、芯片、组/部件及系统本身)设计与制造的重要研究目标。文章分析了微热控技术的发展背景,叙述了微通道、微热管和微喷射等三种基本热控系统的典型结构和工作原理。最后,介绍了近年来具有代表性的微热控技术的发展现状和技术成果。 展开更多

关键词 电子系统 微热控技术 散热管理 微通道 微热管 微喷射

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高性能声学滤波器技术研究进展 被引量：5

8

作者 李晖 米佳 +2 位作者 胡少勤 李左翰 邱海莲 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第5期617-622,共6页

声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器... 声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器。该文对高性能声表面波(SAW)和声体波(BAW)滤波器技术(包括UltraSAW、LowDrift TM和NoDrift TM、I.H.P SAW、XBAR TM、XBAW滤波器等)的研究情况进行了介绍与评述。最后对未来声学滤波器将面临的技术问题做了简要总结。 展开更多

关键词 声学 声波 声表面波(SAW) 体声波(BAW) 滤波器 射频前端模块(RFFEM) 第五代移动通信技术(5G)

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La_3Ga_5SiO-(14)单晶电弹常数的测量 被引量：2

9

作者 尹鑫 王继扬 +1 位作者 胡少勤 蒋春健 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期75-77,共3页

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为:介电常数ε11=18.27,ε33=52.26;压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N;弹性柔顺常数sE11=9.28pm2/N,sE33=6.14pm2/N,sE12=-2.... 用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为:介电常数ε11=18.27,ε33=52.26;压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N;弹性柔顺常数sE11=9.28pm2/N,sE33=6.14pm2/N,sE12=-2.72pm2/N,sE13=-2.33pm2/N,sE14=-3.48pm2/N,sE44=20.56pm2/N,sE66=24.0pm2/N。 展开更多

关键词 La3Ga5SiO14单晶 介电常数 压电应变常数 弹性柔顺常数

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集成铌酸锂光子器件技术的研究进展 被引量：4

10

作者 张涛 何杰 +2 位作者 胡少勤 许昕 张玉蕾 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期837-842,共6页

铌酸锂单晶薄膜(LNOI)具有透光光谱宽,折射率高,二阶非线性高及压电响应大等优点,是一种重要的集成光子学基础材料。LNOI材料具有亚波长尺度的光约束和光电器件的高密度集成能力,能够实现具有更高性能、更低成本的全新器件及应用,给光... 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)具有透光光谱宽,折射率高,二阶非线性高及压电响应大等优点,是一种重要的集成光子学基础材料。LNOI材料具有亚波长尺度的光约束和光电器件的高密度集成能力,能够实现具有更高性能、更低成本的全新器件及应用,给光通信和微波光子学带来革命性的变革。该文重点综述了LNOI的制备技术、LNOI电光调制器、LNOI声光调制器和LNOI电光频率梳的最新研究进展,简要讨论了铌酸锂光子器件在制作工艺和系统实现中面临的挑战。 展开更多

关键词 绝缘体上铌酸锂 集成光子器件 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)电光调制器 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)声光调制器 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)光学频率梳

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掺铈钆铝镓石榴石闪烁晶体的研究进展及应用 被引量：4

11

作者 丁雨憧 何杰 +4 位作者 胡少勤 王强 屈菁菁 白彦君 邱海莲 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第2期281-289,共9页

掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)是一种新型的无机闪烁晶体材料,在核医学成像、环境辐照剂量监测、空间探测、国土安全及地质勘探等领域有广阔的应用前景。该文总结了Ce∶GAGG闪烁晶体在国内外的最新研究进展,综述了Ce∶GAGG闪烁体探测器在... 掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)是一种新型的无机闪烁晶体材料,在核医学成像、环境辐照剂量监测、空间探测、国土安全及地质勘探等领域有广阔的应用前景。该文总结了Ce∶GAGG闪烁晶体在国内外的最新研究进展,综述了Ce∶GAGG闪烁体探测器在地基、空基和天基搭载平台上的应用,最后展望了Ce∶GAGG晶体材料及其应用的发展方向。 展开更多

关键词 掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体 闪烁体探测器 辐射监测 Γ相机 康普顿相机 正电子发射断层扫描(PET)

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医用微流控芯片研究进展 被引量：4

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作者 齐云 李晖 +3 位作者 米佳 胡少勤 赖凡 张玉蕾 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期366-372,共7页

随着微电子学和微机电系统技术不断发展,微流控芯片技术不断创新,一些具有颠覆意义的新型医用芯片不断出现,并成为现代医学技术的支撑工具。首先,概述了医用微流控芯片的概念和应用。然后,介绍了6种具有代表性的新型医用微流控芯片的研... 随着微电子学和微机电系统技术不断发展,微流控芯片技术不断创新,一些具有颠覆意义的新型医用芯片不断出现,并成为现代医学技术的支撑工具。首先,概述了医用微流控芯片的概念和应用。然后,介绍了6种具有代表性的新型医用微流控芯片的研究进展,包括基因芯片、即时诊断芯片、免疫芯片、可穿戴式芯片、数字化聚合酶链式反应芯片、循环肿瘤细胞芯片、组织与器官仿生芯片。最后,总结了医用微流控芯片的发展趋势。 展开更多

关键词 微流控技术 微流控芯片 医学 医药

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65mm级Ce:YSO闪烁晶体研制与闪烁性能研究 被引量：3

13

作者 王佳 岑伟 +5 位作者 徐扬 李德辉 胡少勤 付昌禄 丁雨憧 龙勇 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期598-602,共5页

采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0... 采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce:YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52ns,发光余辉时间为156ns。 展开更多

关键词 Ce:YSO 提拉法 原料配比 闪烁性能

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基于LN/LT-POI多层结构的SAW器件发展 被引量：3

14

作者 何杰 马晋毅 +1 位作者 胡少勤 许昕 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期864-870,874,共8页

绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/... 绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂-POI(LN/LT-POI)多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未来的发展。 展开更多

关键词 绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI) 声表面波(SAW)器件 5G无线通信 射频前端 键合剥离

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La_3Ga_5SiO_(14)晶体生长研究 被引量：1

15

作者 蒋春健 胡少勤 +1 位作者 吴兆刚 李和新 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第2期133-135,共3页

报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测... 报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。 展开更多

关键词 La3Ga5SiO14 晶体 直拉法 压电性能

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La_3Ga_5SiO_(14)晶体极图及应用 被引量：1

16

作者 雷波 胡少勤 蔡华林 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期473-475,共3页

介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体... 介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体标准极图的各个(ok·l)面满足晶体本身不消光条件,可直观、方便地计算出La3Ga5SiO14晶体的旋转角度和方向。 展开更多

关键词 La3Ga5SiO14晶体 极图 应用 切型 压电材料 三六晶系 LGS晶体

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?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究 被引量：1

17

作者 丁雨憧 刘军 +7 位作者 冯大建 李和新 岑伟 王佳 石自彬 龙勇 付昌禄 胡少勤 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第4期543-545,549,共4页

采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的... 采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。 展开更多

关键词 镥铝石榴石晶体 闪烁晶体 提拉法生长 光输出 衰减时间

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Li_2B_4O_7单晶生产 被引量：1

18

作者 胡少勤 汪红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期288-291,共4页

通过对单晶生长特性与缺陷观测分析,研究了用提拉法生长优质Li_2B_4O_7单晶的工艺条件,并成功生长φ32±1mmLi_2B_4O_7单晶。

关键词 四硼酸锂 晶体 提拉法 单晶生长

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多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面

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作者 韩尧 胡少勤 史榜春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第5期329-331,共3页

采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。

关键词 多管下降炉 温场 凸界面 单晶 晶体生长

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四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体全部电弹常数的测定

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作者 王矜奉 张磊 +3 位作者 秦自楷 王弘 何大珍 胡少勤 《声学学报》 EI CSCD 北大核心 1990年第6期425-431,共7页

本文提出了测量4mm点群压电晶体全部电弹常数的新方案,并以此方案具体测定了四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体的所有电弹常数。该方案的突出特点是,被测样品仅用三种切型的晶片。

关键词 四硼酸锂 压电晶体 电弹常数

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