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GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析 被引量:8
1
作者 涂洁磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期69-73,共5页
本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300~600 nm),TiO... 本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300~600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大;在中波范围(600~900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加。同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61 nm和50.87 nm,此时在短波段中心波长λ1=450 nm处最小反射率为0.0034%,在中波段中心波长λ2=750 nm处最小反射率为0.495%。采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和50 nm。实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37%和2.95%,与理论结果吻合较好。 展开更多
关键词 GaAs多结太阳电池 TiO2/SiO2双层减反射膜 电子束蒸发 折射率
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GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析 被引量:4
2
作者 涂洁磊 白红艳 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期670-674,共5页
为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2... 为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2,MgF2厚度对有效反射率的影响最小;适当减小MgF2的折射率或增加ZnS的折射率可得到更低的有效反射率。同时,当ZnS,Al2O3和MgF2的最优物理厚度分别为52.77nm,82.61nm,125.17nm时,此时最小有效反射率为2.31%。 展开更多
关键词 薄膜光学 GaAs多结太阳电池 ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜 有效反射率
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1MW高倍聚光光伏发电并网系统的设计 被引量:4
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作者 冯乾 +1 位作者 涂洁磊 施辉伟 《节能技术》 CAS 2013年第6期491-494,共4页
本文选云南石林地区为电站场址,通过对高倍聚光光伏组件选择、光伏阵列运行方式选择、光伏阵列设计及布置方案、并网逆变器选型等光伏发电系统构成方面进行了研究设计。分析得出该电站的理论年发电量为170.07万kWh,具有良好的经济效益... 本文选云南石林地区为电站场址,通过对高倍聚光光伏组件选择、光伏阵列运行方式选择、光伏阵列设计及布置方案、并网逆变器选型等光伏发电系统构成方面进行了研究设计。分析得出该电站的理论年发电量为170.07万kWh,具有良好的经济效益和环保效益。 展开更多
关键词 高倍聚光光伏 发电系统 并网 逆变器 效益
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TiO_2/SiO_2双层减反射膜的制备及其性能研究 被引量:2
4
作者 白红艳 涂洁磊 +3 位作者 付蕊 赵沛坤 李烨 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2059-2064,共6页
采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求。主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO2单层膜性能(膜层厚度、折射率)的影响。研究过程中,按照三因... 采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求。主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO2单层膜性能(膜层厚度、折射率)的影响。研究过程中,按照三因素两水平的正交实验进行,用分光光度计对TiO2、SiO2薄膜样品的折射率进行测试。实验结果显示,两种氧化物介质膜的折射率均随基片温度和束流的升高而增加,随氧压的升高而降低,工艺参数对TiO2膜性能影响较大。 展开更多
关键词 TIO2 SIO2 减反射膜 电子束蒸发 折射率
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三种方法分析光伏发电上网电价 被引量:1
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作者 赵沛坤 涂洁磊 +3 位作者 李烨 付蕊 白红艳 《太阳能》 2013年第2期25-27,41,共4页
与常规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键。上网电价取决于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站... 与常规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键。上网电价取决于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站规模、项目融资方式、贷款利率、政府补贴额定等,很难制定出统一的上网电价。本文从具体实例出发,在云南某地拟建一个10MW的单晶硅并网光伏电站,将辐射量、设备价格、电站规模及财务参数等因素都具体化,从电站的建设到运行,考虑所有影响投资成本的因素来计算建设成本。然后利用财务分析中的净现值法、内涵报酬率法、项目回收期法三种方法分析计算相应的较为合理的光伏发电上网电价,比较三种方法得到的结果,讨论不同因素对电价的影响效果。 展开更多
关键词 光伏发电 上网电价
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CsSn_(0.5)Ge_(0.5)I_(3)钙钛矿太阳电池性能的仿真研究
6
作者 余首柘 涂洁磊 +6 位作者 李雷 徐伟燕 吴佳豪 吴昊 谢雨岑 杨艳云 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2022年第5期1-6,共6页
采用一维太阳电池模拟软件SCAPS-1D系统探究了FTO/TiO_(2)/CsSn_(0.5)Ge_(0.5)I_(3)/Cu_(2)O/Au太阳电池中钙钛矿吸收层厚度、缺陷密度以及ETL/perovskite和perovskite/HTL界面层缺陷密度对电池性能的影响.结果表明:钙钛矿吸收层厚度过... 采用一维太阳电池模拟软件SCAPS-1D系统探究了FTO/TiO_(2)/CsSn_(0.5)Ge_(0.5)I_(3)/Cu_(2)O/Au太阳电池中钙钛矿吸收层厚度、缺陷密度以及ETL/perovskite和perovskite/HTL界面层缺陷密度对电池性能的影响.结果表明:钙钛矿吸收层厚度过薄不利于材料对光的充分吸收,过厚增加薄膜的缺陷密度,均会导致太阳电池的光电转换效率降低;不同界面层缺陷密度对器件性能有不同影响.通过优化,当吸收层厚度为800 nm,缺陷密度为1×10^(15) cm^(-3),ETL/perovskite和perovskite/HTL界面层缺陷密度分别为1×10^(15) cm^(-3)和1×10^(16) cm^(-3)时,器件可取得25.43%的光电转换效率. 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 SCAPS-1D 吸收层厚度 界面缺陷
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模块化多焦点式和环面聚焦式菲涅尔透镜的设计及光学性能分析 被引量:1
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作者 薛丹 涂洁磊 +2 位作者 白红艳 赖旺富 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2015年第5期8-11,共4页
基于菲涅尔透镜设计原理,提出模块化多焦点式和环面聚焦式菲涅尔透镜的设计方法,并进行了理论设计与模拟.结果表明:(1)采用模块化多焦点式菲涅尔透镜可使焦斑能量在接收面重新分布、焦斑总体能量均匀;(2)对于环面聚焦式菲涅尔透镜,环状... 基于菲涅尔透镜设计原理,提出模块化多焦点式和环面聚焦式菲涅尔透镜的设计方法,并进行了理论设计与模拟.结果表明:(1)采用模块化多焦点式菲涅尔透镜可使焦斑能量在接收面重新分布、焦斑总体能量均匀;(2)对于环面聚焦式菲涅尔透镜,环状焦面越多、越密集,接收面上的能量分布将越均匀.两种透镜结构均能很好的提高聚光辐照均匀性. 展开更多
关键词 菲涅尔透镜 热斑效应 辐照均匀性 光学仿真
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GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点中的初步应用
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作者 白红艳 +2 位作者 涂洁磊 赵沛坤 陈创业 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期29-32,共4页
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质... 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量:(1)面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;(2)缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1~3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好. 展开更多
关键词 INAS量子点 GaInP应力补偿层 厚度 组分
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半导体生产含砷废水处理回用工程 被引量:1
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作者 柳廷龙 +5 位作者 单吉云 李苏滨 惠峰 李雪峰 田东 卢纪军 《工业水处理》 CSCD 北大核心 2017年第4期96-98,共3页
采用沉淀法—电絮凝法—气浮法—膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理,原水含砷180~230mg/L,经该工艺处理后出水含砷<0.03 mg/L,去除率>99.9%。工程运行实践证明:该系统运行稳定、处理效果高,产出的清水用作生产用循环冷却水... 采用沉淀法—电絮凝法—气浮法—膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理,原水含砷180~230mg/L,经该工艺处理后出水含砷<0.03 mg/L,去除率>99.9%。工程运行实践证明:该系统运行稳定、处理效果高,产出的清水用作生产用循环冷却水,大大降低了生产成本。 展开更多
关键词 含砷废水 回用 半导体材料
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用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究
10
作者 惠峰 +1 位作者 董汝昆 吕春富 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期860-863,869,共5页
采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败。研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量... 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败。研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺。研究结果发现,当拉速器速度为3~4 mm/h、保温时间为75~100 min、石英棉用量为15~20 g时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12~22 mm,位错密度小于500 cm^(-2),有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率。 展开更多
关键词 垂直梯度凝固(VGF) 锗单晶 籽晶 熔接 位错密度
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MgF_2薄膜的制备方法及其应用 被引量:3
11
作者 李石周 廖华 +5 位作者 安家才 王建秋 付蕊 白红艳 谢明达 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2013年第5期34-37,共4页
概述了MgF2薄膜的制备方法及其在各领域中的应用。通过对制备方法的对比研究和分析,得到:众多的方法中,真空蒸发具有较为简单的设备和方法;而应用最多的是电子束蒸发法。MgF2薄膜以其优异的性能已广泛应用于各行业中。
关键词 氟化镁 制备方法 应用 减反射膜
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