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改良西门子法制备多晶硅还原过程研究进展 被引量:8
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作者 李亚广 +3 位作者 周扬民 方文宝 谢刚 侯彦青 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期38-42,共5页
对生产多晶硅的主要生产方法进行了比较,指出改良西门子法、流化床法、冶金法这3种工艺的优点和不足。重点介绍了多晶硅主流生产方法改良西门子法,阐述了改良西门子法生产多晶硅还原过程的反应机理、数值模拟等,并对该工艺目前的研究进... 对生产多晶硅的主要生产方法进行了比较,指出改良西门子法、流化床法、冶金法这3种工艺的优点和不足。重点介绍了多晶硅主流生产方法改良西门子法,阐述了改良西门子法生产多晶硅还原过程的反应机理、数值模拟等,并对该工艺目前的研究进展进行了阐述。 展开更多
关键词 多晶硅 改良西门子法 数值模拟 研究现状
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西门子CVD还原炉辐射换热数值模拟 被引量:5
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作者 谢刚 +3 位作者 侯彦青 崔焱 李荣兴 宋东明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1774-1780,共7页
本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟。应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,... 本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟。应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,相对误差为7.1%,表明传热模型准确可靠。基于DO离散坐标辐射模型,详细分析了硅棒与反应器壁间的辐射换热情况,探讨了硅棒生长过程中内、外环硅棒辐射能的变化趋势以及不同器壁发射率对还原炉内辐射能的影响。结果表明:辐射换热是硅沉积过程最主要的热量传递形式;外环硅棒的辐射能远大于内环硅棒的辐射能,并且外环硅棒的辐射能随硅棒直径的增大而增大;硅棒辐射能随着反应器壁材料发射率的增大而增大,并采用典型工况数据,计算了不同反应器壁材料发射率条件下的产品单位质量理论能耗。 展开更多
关键词 辐射换热 CVD还原炉 多晶硅 数值模拟 改良西门子法
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多晶硅还原炉中硅棒的直流电加热模型 被引量:3
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作者 方文宝 周扬民 +2 位作者 李亚广 侯彦青 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2287-2292,共6页
考虑西门子还原炉内对流传热、辐射传热以及化学反应热,建立24对棒西门子还原炉内硅棒直流电焦耳加热模型。研究不同分布环上硅棒增长半径、反应器壁辐射率对硅棒内部径向温度分布的影响。结果表明:随着硅棒半径的增大,位于内环和中环... 考虑西门子还原炉内对流传热、辐射传热以及化学反应热,建立24对棒西门子还原炉内硅棒直流电焦耳加热模型。研究不同分布环上硅棒增长半径、反应器壁辐射率对硅棒内部径向温度分布的影响。结果表明:随着硅棒半径的增大,位于内环和中环的硅棒中心温度先增大又减小,而外环上的硅棒内部温度分布更不均匀;增大反应器壁辐射率,硅棒中心温度逐渐增大;辐射热损失越大,反应器壁的辐射率对硅棒内部温度的影响越强。 展开更多
关键词 西门子还原炉 直流电 辐射率 温度分布
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西门子反应器中硅棒热电行为数值模拟与分析 被引量:1
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作者 周扬民 +2 位作者 谢刚 李亚广 侯彦青 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期1971-1977,共7页
改良西门子法制备多晶硅过程中,化学气相沉积所需能量全部由电流加热硅棒提供。本文考虑多晶硅还原炉中辐射和对流热量传递形式,耦合频率控制的焦耳电加热方程,建立了12对棒多晶硅还原炉热场-电磁场耦合模型,并通过工业数据验证了其模... 改良西门子法制备多晶硅过程中,化学气相沉积所需能量全部由电流加热硅棒提供。本文考虑多晶硅还原炉中辐射和对流热量传递形式,耦合频率控制的焦耳电加热方程,建立了12对棒多晶硅还原炉热场-电磁场耦合模型,并通过工业数据验证了其模拟结果的合理性。分析了硅棒半径、交流电频率以及反应器壁发射率对西门子还原炉内、外硅棒内部温度及电流密度分布的影响。结果表明:当硅棒半径增长到所用交流电频率引起的趋肤深度时,交流电趋肤效应开始显著影响硅棒内部温度梯度;交流电频率的增大,硅棒内部温度梯度逐渐减小;反应器壁发射率增加,低频时硅棒内部温差增大,而高频时发射率对硅棒内部温度分布影响不再显著。 展开更多
关键词 多晶硅 趋肤效应 热传导 电流密度
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Thermodynamic behaviors of SiCl_2 in silicon deposition by gas phase zinc reduction of silicon tetrachloride
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作者 侯彦青 +3 位作者 谢刚 李荣兴 俞小花 Plant A Ramachandran 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期552-558,共7页
The modified Siemens process,which is the major process of producing polycrystalline silicon through current technologies,is a high temperature,slow,semi-batch process and the product is expensive primarily due to the... The modified Siemens process,which is the major process of producing polycrystalline silicon through current technologies,is a high temperature,slow,semi-batch process and the product is expensive primarily due to the large energy consumption.Therefore,the zinc reduction process,which can produce solar-grade silicon in a cost effective manner,should be redeveloped for these conditions.The SiCl2 generation ratio,which stands for the degree of the side reactions,can be decomposed to SiCl4 and ZnCl2 in gas phase zinc atmosphere in the exit where the temperature is very low.Therefore,the lower SiCl2 generation ratio is profitable with lower power consumption.Based on the thermodynamic data for the related pure substances,the relations of the SiCl2 generation ratio and pressure,temperature and the feed molar ratio(n(Zn)/n(SiCl4) are investigated and the graphs thereof are plotted.And the diagrams of Kpθ-T at standard atmosphere pressure have been plotted to account for the influence of temperature on the SiCl2 generation ratio.Furthermore,the diagram of Kpθ-T at different pressures have also been plotted to give an interpretation of the influence of pressure on the SiCl2 generation ratio.The results show that SiCl2 generation ratio increases with increasing temperature,and the higher pressure and excess gas phase zinc can restrict SiCl2 generation ratio.Finally,suitable operational conditions in the practical process of polycrystalline silicon manufacture by gas phase zinc reduction of SiCl4 have been established with 1200 K,0.2 MPa and the feed molar ratio(n(Zn) /n(SiCl4)) of 4 at the entrance.Under these conditions,SiCl2 generation ratio is very low,which indicates that the side reactions can be restricted and the energy consumption is reasonable. 展开更多
关键词 Polycrystalline silicon Thermodynamics Gas phase zinc reduction process SiCl2 generation ratio
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西门子反应器中硅棒的热传递模型 被引量:4
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作者 谢刚 +3 位作者 侯彦青 崔焱 李荣兴 俞小花 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期497-502,共6页
考虑西门子反应器中对流、辐射以及化学反应热三种热传递形式,建立了硅棒的二维轴对称热传递模型。相比于对流和化学反应热,辐射是最主要的传热方式。基于此模型分析了12对棒西门子反应器中硅棒辐射位置和反应器壁发射率对硅棒内部径向... 考虑西门子反应器中对流、辐射以及化学反应热三种热传递形式,建立了硅棒的二维轴对称热传递模型。相比于对流和化学反应热,辐射是最主要的传热方式。基于此模型分析了12对棒西门子反应器中硅棒辐射位置和反应器壁发射率对硅棒内部径向温度分布以及电流密度分布的影响。结果表明:直流电加热时,硅棒内部径向方向上形成了明显的温度梯度,且外环硅棒内部温度梯度要大于内环硅棒温度梯度;降低反应器壁发射率,外环硅棒温度梯度减小,电流密度分布更为均匀。 展开更多
关键词 热量传递 硅棒 电加热 西门子反应器
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SiHCl_3-H_2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型 被引量:3
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作者 侯彦青 +4 位作者 谢刚 马文会 戴永年 俞小花 宋东明 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期3627-3634,共8页
提出SiHCl_3-H_2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型(TKM),同时考虑传递过程和表面化学反应动力学对硅沉积速率的影响。研究硅沉积过程受表面化学反应速率限制和传递速率限制的边界条件,并且研究表面化学反应速率受氢气浓度限制或... 提出SiHCl_3-H_2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型(TKM),同时考虑传递过程和表面化学反应动力学对硅沉积速率的影响。研究硅沉积过程受表面化学反应速率限制和传递速率限制的边界条件,并且研究表面化学反应速率受氢气浓度限制或SiHCl_3(TCS)浓度限制的边界条件,提出同时受氢气浓度限制和TCS浓度限制的边界条件。为了验证TKM的有效性,应用该模型计算硅棒长度为2 m、硅棒直径为10 cm、气流速度为0.67 m/s、硅棒表面温度为1 398 K、常压(0.1 MPa)条件下,不同H_2/SiHCl_3配比下的硅沉积速率。研究结果表明:通过TKM的计算结果与Habuka所测得的实验数据比较,相对误差为3.6%(小于10%),表明该模型准确可靠。 展开更多
关键词 传递-动力学模型 多晶硅 化学气相沉积 硅沉积速率 传递现象
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多晶硅还原炉高频交流电加热机制研究
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作者 戴恩睿 +2 位作者 谢刚 田林 包崇军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期451-458,共8页
以多晶硅还原炉硅棒焦耳电加热过程为研究对象,考虑辐射、对流以及化学反应热3种热量传递形式,耦合频率控制的电磁场模型,建立硅棒焦耳电加热模型。基于该模型,分析不同频率下24对棒还原炉内、中、外环上硅棒内部温度及电流密度分布。... 以多晶硅还原炉硅棒焦耳电加热过程为研究对象,考虑辐射、对流以及化学反应热3种热量传递形式,耦合频率控制的电磁场模型,建立硅棒焦耳电加热模型。基于该模型,分析不同频率下24对棒还原炉内、中、外环上硅棒内部温度及电流密度分布。研究表明,交流电频率越高,硅棒内部温度分布越均匀。当相对频率RF>10时,硅棒中心附近存在恒温区,且RF增大,恒温区范围增大。利用高频电流产生的趋肤效应可有效改善硅棒内部温度梯度,为实现增大硅棒最终沉积半径提供潜在的可能。模型预测得到低频(50 Hz)和高频(10和50 kHz)条件下电压-电流操作曲线,提出低频和高频交流电联合焦耳电加热方式。 展开更多
关键词 多晶硅 趋肤效应 焦耳加热 还原炉 西门子法
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