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PECVD 制程中N+ A-SI Layer沉积最佳工艺参数的探究
被引量：
1
1
作者
李明阳
段大伟
+5 位作者
步超远
赵晓翔
王玉亮
聂
坤坤
陈士娟
李道杰
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期927-931,共5页
本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+A-SI:H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI:H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数...
本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+A-SI:H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI:H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12。
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关键词
N+A-SI:H
沉积参数
田口设计
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职称材料
PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜稳定性的研究
2
作者
聂
坤坤
段大伟
+4 位作者
李明阳
赵晓翔
王玉亮
李道杰
李从江
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期201-207,共7页
为解决G8.5世代线PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中频繁出现反射功率超过3000 W导致的沉积中断,研究了磷烷流量、RF Generator的匹配特性及RFoffset的电极间距对磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中最大反射功率的影响,实验结果表明,在电极间距为2...
为解决G8.5世代线PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中频繁出现反射功率超过3000 W导致的沉积中断,研究了磷烷流量、RF Generator的匹配特性及RFoffset的电极间距对磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中最大反射功率的影响,实验结果表明,在电极间距为20.875~21.875 mm之间进行RFoffset可显著降低磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中的最大反射功率至3000 W以内,保证磷烷轻掺杂N+A-SI成膜过程的稳定,且该方法可有效地解决此问题,而提高磷烷流量及使用匹配特性较好的RF Generator解决该问题均存在一定的局限性。
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关键词
磷烷轻掺杂N+A-SI
反射功率
射频系统匹配
RFoffset
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职称材料
题名
PECVD 制程中N+ A-SI Layer沉积最佳工艺参数的探究
被引量：
1
1
作者
李明阳
段大伟
步超远
赵晓翔
王玉亮
聂
坤坤
陈士娟
李道杰
机构
合肥鑫晟光电科技有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期927-931,共5页
文摘
本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+A-SI:H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI:H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12。
关键词
N+A-SI:H
沉积参数
田口设计
Keywords
N+A-SI:H
Deposition parameter
Taguchi design
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜稳定性的研究
2
作者
聂
坤坤
段大伟
李明阳
赵晓翔
王玉亮
李道杰
李从江
机构
合肥鑫晟光电科技有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期201-207,共7页
文摘
为解决G8.5世代线PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中频繁出现反射功率超过3000 W导致的沉积中断,研究了磷烷流量、RF Generator的匹配特性及RFoffset的电极间距对磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中最大反射功率的影响,实验结果表明,在电极间距为20.875~21.875 mm之间进行RFoffset可显著降低磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中的最大反射功率至3000 W以内,保证磷烷轻掺杂N+A-SI成膜过程的稳定,且该方法可有效地解决此问题,而提高磷烷流量及使用匹配特性较好的RF Generator解决该问题均存在一定的局限性。
关键词
磷烷轻掺杂N+A-SI
反射功率
射频系统匹配
RFoffset
Keywords
Lightly doped phosphine N+A-SI
Reflected Power
RF System Matching
RFoffset
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD 制程中N+ A-SI Layer沉积最佳工艺参数的探究
李明阳
段大伟
步超远
赵晓翔
王玉亮
聂
坤坤
陈士娟
李道杰
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
2
PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜稳定性的研究
聂
坤坤
段大伟
李明阳
赵晓翔
王玉亮
李道杰
李从江
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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职称材料
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