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四位GaAs超高速D/A转换电路的研究
被引量：
1
1
作者
范录宏
王长河
綦
素琴
《半导体情报》
1992年第3期35-43,52,共10页
本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率...
本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率为4位,转换速率办1Gs/s,建立时间小于1.0ns,微分线性误差小于±1/2LSB,功耗约为20mW。
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关键词
D/A转换电路
数字集成电路
砷化镓
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职称材料
PECVD Si_xO_yN_z膜及其在GaAs VHSIC中的应用
2
作者
杨克武
刘福顺
+1 位作者
綦
素琴
廉亚光
《半导体情报》
1991年第3期48-52,共5页
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaA...
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。
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关键词
应用
PECVD
介质薄膜
GAAS
VHSIC
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职称材料
2位GaAs超高速模-数转换电路的设计与制作
3
作者
郑晓光
王长河
綦
素琴
《半导体情报》
1991年第4期7-16,共10页
模数(A-D)转换电路是信号处理系统中的一种关键性元件。本文结合现有GaAs起高速集成电路工艺,提出了一种2位GaAs A-D转换电路的设计方法,并制作出了单片形式的2位GaAs A/D转换电路。实验结果表明,该电路能正常工作在1Gs/s的转换速率下...
模数(A-D)转换电路是信号处理系统中的一种关键性元件。本文结合现有GaAs起高速集成电路工艺,提出了一种2位GaAs A-D转换电路的设计方法,并制作出了单片形式的2位GaAs A/D转换电路。实验结果表明,该电路能正常工作在1Gs/s的转换速率下。它的转换时间小于1.0ns,电路功耗不高于340mW。这说明它在速度和功耗方面已展现出比Si双极电路更为广阔的发展前景。
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关键词
砷化镓
模/数转换器
集成电路
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职称材料
GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计
4
作者
李瑞钢
綦
素琴
王占国
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1994年第1期28-31,共4页
简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利...
简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。
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关键词
比较器
分子束外延
砷化镓
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职称材料
GaAs超高速电压比较器
5
作者
綦
素琴
李瑞钢
《半导体情报》
1990年第4期46-51,共6页
本文简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国际发展水平,GaAsBFL电压比较器的工作原理,CAD及工艺制造;并给出了研制的BFL比较器的测试结果。其电压分辨率可达30mV,上升与下降时间小于600ps,过驱动延迟小于300ps,为我国目前速率最高的电压...
本文简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国际发展水平,GaAsBFL电压比较器的工作原理,CAD及工艺制造;并给出了研制的BFL比较器的测试结果。其电压分辨率可达30mV,上升与下降时间小于600ps,过驱动延迟小于300ps,为我国目前速率最高的电压比较器。
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关键词
GAAS
电压比较器
A/D转换电路
全文增补中
题名
四位GaAs超高速D/A转换电路的研究
被引量：
1
1
作者
范录宏
王长河
綦
素琴
机构
机电部第
出处
《半导体情报》
1992年第3期35-43,52,共10页
文摘
本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率为4位,转换速率办1Gs/s,建立时间小于1.0ns,微分线性误差小于±1/2LSB,功耗约为20mW。
关键词
D/A转换电路
数字集成电路
砷化镓
Keywords
Very high speed digital IC
GaAs
D/A conversion
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
PECVD Si_xO_yN_z膜及其在GaAs VHSIC中的应用
2
作者
杨克武
刘福顺
綦
素琴
廉亚光
机构
机电部第
出处
《半导体情报》
1991年第3期48-52,共5页
文摘
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。
关键词
应用
PECVD
介质薄膜
GAAS
VHSIC
Keywords
Semiconductor technology
Plasma etching
Chemical vapor deposition
Dielectric film
Dielectric isolation
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
2位GaAs超高速模-数转换电路的设计与制作
3
作者
郑晓光
王长河
綦
素琴
机构
机电部第
出处
《半导体情报》
1991年第4期7-16,共10页
文摘
模数(A-D)转换电路是信号处理系统中的一种关键性元件。本文结合现有GaAs起高速集成电路工艺,提出了一种2位GaAs A-D转换电路的设计方法,并制作出了单片形式的2位GaAs A/D转换电路。实验结果表明,该电路能正常工作在1Gs/s的转换速率下。它的转换时间小于1.0ns,电路功耗不高于340mW。这说明它在速度和功耗方面已展现出比Si双极电路更为广阔的发展前景。
关键词
砷化镓
模/数转换器
集成电路
Keywords
Gallium arsenide
Ultra-high speed digital IC
Analog-digital converter
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计
4
作者
李瑞钢
綦
素琴
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1994年第1期28-31,共4页
文摘
简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。
关键词
比较器
分子束外延
砷化镓
Keywords
GaAs
Comparator
LT MBE GaAs
分类号
TP342.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
GaAs超高速电压比较器
5
作者
綦
素琴
李瑞钢
出处
《半导体情报》
1990年第4期46-51,共6页
文摘
本文简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国际发展水平,GaAsBFL电压比较器的工作原理,CAD及工艺制造;并给出了研制的BFL比较器的测试结果。其电压分辨率可达30mV,上升与下降时间小于600ps,过驱动延迟小于300ps,为我国目前速率最高的电压比较器。
关键词
GAAS
电压比较器
A/D转换电路
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
四位GaAs超高速D/A转换电路的研究
范录宏
王长河
綦
素琴
《半导体情报》
1992
1
下载PDF
职称材料
2
PECVD Si_xO_yN_z膜及其在GaAs VHSIC中的应用
杨克武
刘福顺
綦
素琴
廉亚光
《半导体情报》
1991
0
下载PDF
职称材料
3
2位GaAs超高速模-数转换电路的设计与制作
郑晓光
王长河
綦
素琴
《半导体情报》
1991
0
下载PDF
职称材料
4
GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计
李瑞钢
綦
素琴
王占国
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
5
GaAs超高速电压比较器
綦
素琴
李瑞钢
《半导体情报》
1990
0
全文增补中
已选择
0
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参考文献
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