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蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展
被引量:
2
1
作者
管
云
芳
高
芳
亮
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期180-185,共6页
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
关键词
氮化铟
单晶薄膜
MOCVD
RF-MBE
溅射技术
HVPE
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职称材料
无邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯聚氯乙烯输液器对药物吸附性的研究
被引量:
3
2
作者
管
云
芳
李明江
+1 位作者
顾汉卿
张卫华
《透析与人工器官》
2013年第4期11-13,共3页
目的观察以乙酰柠檬酸三正丁酯(ATBC)增塑的聚氯乙烯(PVC)材料制作的一次性使用配药对药物的吸附性,为临床合理用药和输液器生产选材提供参考。方法将硝酸甘油、硝酸异山梨酯、单硝酸异山梨酯、紫杉醇等药物,按照临床使用方法,分别经无D...
目的观察以乙酰柠檬酸三正丁酯(ATBC)增塑的聚氯乙烯(PVC)材料制作的一次性使用配药对药物的吸附性,为临床合理用药和输液器生产选材提供参考。方法将硝酸甘油、硝酸异山梨酯、单硝酸异山梨酯、紫杉醇等药物,按照临床使用方法,分别经无DEHP(ATBC增塑PVC)输液器和热塑性弹性塑料(TPE)输液器流出,测定不同流速情况下不同时间流出液的峰面积与初始峰面积的比较情况,结合现有文献报道进行分析。结果无DEHP输液器仅对少数流速极慢的药物有吸附。结论 PVC仍是制造输液器的主要材料,适用于绝大多数药物的输注。
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关键词
乙酰柠檬酸三正丁酯(ATBC)
聚氯乙烯(PVC)
药物吸附
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职称材料
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
3
作者
高
芳
亮
管
云
芳
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期59-61,65,共4页
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN...
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
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关键词
氮化铟
氮化
RF-MBE
单晶薄膜
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职称材料
对出院高血压患者进行延续性护理的临床效果评价
被引量:
1
4
作者
管
云
芳
《系统医学》
2017年第24期147-150,共4页
目的比较延续护理与常规患者对出院高血压患者相关指标上的差异,探讨延续护理的临床价值。方法该院内科2014年1月—2016年10月诊治140例高血压患者,随机分为观察组和对照组各70例,出院时对照组患者给予常规用药指导和健康教育,观察组患...
目的比较延续护理与常规患者对出院高血压患者相关指标上的差异,探讨延续护理的临床价值。方法该院内科2014年1月—2016年10月诊治140例高血压患者,随机分为观察组和对照组各70例,出院时对照组患者给予常规用药指导和健康教育,观察组患者实施下列延续护理措施:成立延伸护理小组、建立档案进行病情评估、确定延伸护理方式、完善延伸护理内容。观察指标:血压、高血压知识掌握、健康行为、护理满意度。结果两组高血压患者出院时DBP、SBP、掌握高血压知识掌握、保持健康行为、患者及家属护理满比较差异无统计学意义(P>0.05);出院6个月以后实施延续护理的观察组DBP(122.80±6.65)mmHg、SBP(79.27±6.02)mmHg低于对照组的(128.56±7.27)mmHg、(84.79±5.98)mmHg(t=2.98、3.23,P<0.05);掌握高血压知识75.71%、保持健康行为85.71%、护理满意92.86%高于对照组的60.00%、2.86%、85.71%(χ~2=6.48、5.64、4.86,P<0.05)。结论延续护理应用于出院高血压患者中,能提高患者对高血压知识的掌握,保持健康行为,有效控制血压,提高患者对护理人员满意度,值得临床应用。
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关键词
高血压
出院
延续护理
临床效果
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职称材料
经腹腔镜胆囊切除术的护理
5
作者
管
云
芳
《工企医刊》
2011年第5期26-27,共2页
目的分析腹腔镜胆囊切除术围手术期的护理。方法回顾性分析我院2010年3月至20011年4月16例腹腔镜胆囊切除术的患者资料。结果腔镜胆囊切除术的患者应做好术前准备、心理护理,术后密切观察病情和妥善护理,促使患者早日康复。结论术前充...
目的分析腹腔镜胆囊切除术围手术期的护理。方法回顾性分析我院2010年3月至20011年4月16例腹腔镜胆囊切除术的患者资料。结果腔镜胆囊切除术的患者应做好术前准备、心理护理,术后密切观察病情和妥善护理,促使患者早日康复。结论术前充分准备,术后正确评估和护理是腹腔镜胆囊切除术护理工作中的重点。
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关键词
腹腔镜
胆囊切除术
护理
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职称材料
改变穿刺技巧对静脉留置针在老年患者中的应用体会
6
作者
管
云
芳
《当代临床医刊》
2018年第3期3903-3903,3823,共2页
浅静脉留置针在平时的护理操作中的应用日益广泛,内科老年患者大多数静脉弹性差、脆性大易破、易滑动,相应的增加了穿刺的难度,改变以往的穿刺技巧会提高穿刺成功率。现将本人在临床中的穿刺技巧及护理体会介绍如下。
关键词
浅静脉留置针
穿刺技巧
老年患者
应用
护理操作
穿刺成功率
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职称材料
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
7
作者
李国强
管
云
芳
高
芳
亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期721-728,共8页
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决...
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
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关键词
氧化物衬底
LiGaO2
MGAL2O4
LAALO3
GAN薄膜
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职称材料
题名
蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展
被引量:
2
1
作者
管
云
芳
高
芳
亮
李国强
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期180-185,共6页
基金
国家自然科学基金项目(51002052)
广东省战略新兴产业LED专项项目(2011A081301012)
华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
文摘
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
关键词
氮化铟
单晶薄膜
MOCVD
RF-MBE
溅射技术
HVPE
Keywords
InN
single crystalline films
MOCVD
RF-MBE
sputtering
HVPE
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
无邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯聚氯乙烯输液器对药物吸附性的研究
被引量:
3
2
作者
管
云
芳
李明江
顾汉卿
张卫华
机构
南通市通州区第七人民医院
南京中医药大学
天津医科大学天津市泌尿外科研究所
南通亿仕得医疗器械有限公司
出处
《透析与人工器官》
2013年第4期11-13,共3页
文摘
目的观察以乙酰柠檬酸三正丁酯(ATBC)增塑的聚氯乙烯(PVC)材料制作的一次性使用配药对药物的吸附性,为临床合理用药和输液器生产选材提供参考。方法将硝酸甘油、硝酸异山梨酯、单硝酸异山梨酯、紫杉醇等药物,按照临床使用方法,分别经无DEHP(ATBC增塑PVC)输液器和热塑性弹性塑料(TPE)输液器流出,测定不同流速情况下不同时间流出液的峰面积与初始峰面积的比较情况,结合现有文献报道进行分析。结果无DEHP输液器仅对少数流速极慢的药物有吸附。结论 PVC仍是制造输液器的主要材料,适用于绝大多数药物的输注。
关键词
乙酰柠檬酸三正丁酯(ATBC)
聚氯乙烯(PVC)
药物吸附
Keywords
aeetyl tributyl citrate(ATBC)
polyvinyl chloride(PVC)
drug adsorption
分类号
R472 [医药卫生—护理学]
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职称材料
题名
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
3
作者
高
芳
亮
管
云
芳
李国强
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期59-61,65,共4页
基金
国家自然科学基金项目(51002052)
广东省战略新兴产业LED专项项目(211A081301012)
华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
文摘
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
关键词
氮化铟
氮化
RF-MBE
单晶薄膜
Keywords
InN
nitridation
RF-MBE
single crystal film
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
对出院高血压患者进行延续性护理的临床效果评价
被引量:
1
4
作者
管
云
芳
机构
江苏省南通市通州区第七人民医院内科
出处
《系统医学》
2017年第24期147-150,共4页
文摘
目的比较延续护理与常规患者对出院高血压患者相关指标上的差异,探讨延续护理的临床价值。方法该院内科2014年1月—2016年10月诊治140例高血压患者,随机分为观察组和对照组各70例,出院时对照组患者给予常规用药指导和健康教育,观察组患者实施下列延续护理措施:成立延伸护理小组、建立档案进行病情评估、确定延伸护理方式、完善延伸护理内容。观察指标:血压、高血压知识掌握、健康行为、护理满意度。结果两组高血压患者出院时DBP、SBP、掌握高血压知识掌握、保持健康行为、患者及家属护理满比较差异无统计学意义(P>0.05);出院6个月以后实施延续护理的观察组DBP(122.80±6.65)mmHg、SBP(79.27±6.02)mmHg低于对照组的(128.56±7.27)mmHg、(84.79±5.98)mmHg(t=2.98、3.23,P<0.05);掌握高血压知识75.71%、保持健康行为85.71%、护理满意92.86%高于对照组的60.00%、2.86%、85.71%(χ~2=6.48、5.64、4.86,P<0.05)。结论延续护理应用于出院高血压患者中,能提高患者对高血压知识的掌握,保持健康行为,有效控制血压,提高患者对护理人员满意度,值得临床应用。
关键词
高血压
出院
延续护理
临床效果
Keywords
Hypertension
Discharge
Continuous nursing
Clinical effect
分类号
R473.5 [医药卫生—护理学]
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职称材料
题名
经腹腔镜胆囊切除术的护理
5
作者
管
云
芳
机构
南通市通州区第七人民医院
出处
《工企医刊》
2011年第5期26-27,共2页
文摘
目的分析腹腔镜胆囊切除术围手术期的护理。方法回顾性分析我院2010年3月至20011年4月16例腹腔镜胆囊切除术的患者资料。结果腔镜胆囊切除术的患者应做好术前准备、心理护理,术后密切观察病情和妥善护理,促使患者早日康复。结论术前充分准备,术后正确评估和护理是腹腔镜胆囊切除术护理工作中的重点。
关键词
腹腔镜
胆囊切除术
护理
分类号
R473.6 [医药卫生—护理学]
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职称材料
题名
改变穿刺技巧对静脉留置针在老年患者中的应用体会
6
作者
管
云
芳
机构
南通市通州区第七人民医院
出处
《当代临床医刊》
2018年第3期3903-3903,3823,共2页
文摘
浅静脉留置针在平时的护理操作中的应用日益广泛,内科老年患者大多数静脉弹性差、脆性大易破、易滑动,相应的增加了穿刺的难度,改变以往的穿刺技巧会提高穿刺成功率。现将本人在临床中的穿刺技巧及护理体会介绍如下。
关键词
浅静脉留置针
穿刺技巧
老年患者
应用
护理操作
穿刺成功率
分类号
R472 [医药卫生—护理学]
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职称材料
题名
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
7
作者
李国强
管
云
芳
高
芳
亮
机构
华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室
华南理工大学材料科学与工程学院电子材料科学与工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期721-728,共8页
基金
国家安全重大基础研究(国防973)资助项目
国家自然科学基金资助项目(51002052)
文摘
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
关键词
氧化物衬底
LiGaO2
MGAL2O4
LAALO3
GAN薄膜
Keywords
oxide substrate
LiGa02
MgA12O4
LaAIO3
GaN film
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展
管
云
芳
高
芳
亮
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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职称材料
2
无邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯聚氯乙烯输液器对药物吸附性的研究
管
云
芳
李明江
顾汉卿
张卫华
《透析与人工器官》
2013
3
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职称材料
3
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
高
芳
亮
管
云
芳
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
4
对出院高血压患者进行延续性护理的临床效果评价
管
云
芳
《系统医学》
2017
1
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职称材料
5
经腹腔镜胆囊切除术的护理
管
云
芳
《工企医刊》
2011
0
下载PDF
职称材料
6
改变穿刺技巧对静脉留置针在老年患者中的应用体会
管
云
芳
《当代临床医刊》
2018
0
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职称材料
7
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
李国强
管
云
芳
高
芳
亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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