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新型溶胶-凝胶法制备纳米MgO薄膜的研究 被引量:10
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作者 宋志棠 +2 位作者 多新中 林成鲁 武光明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期828-832,共5页
以硝酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100)衬底上成功地制备MgO薄膜,结果表明,胶棉液是形成MgO溶胶的关键组份;薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关.同时,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AF... 以硝酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100)衬底上成功地制备MgO薄膜,结果表明,胶棉液是形成MgO溶胶的关键组份;薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关.同时,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了分析. 展开更多
关键词 薄膜 溶胶凝胶法 纳米级 氧化镁薄膜
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用喷雾热分解法制备MgO薄膜 被引量:5
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作者 武光明 +1 位作者 宋世庚 林成鲁 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期72-75,共4页
用压缩空气式喷雾热分解法在 Si(100)衬底上制备了(100)取向 MgO薄膜.结果表明,衬 底温度和喷雾速率是制备(100)取向 MgO薄膜的关键问素在 600℃得到了(100)取向的 MgO薄 膜,用X射线衍射(XR... 用压缩空气式喷雾热分解法在 Si(100)衬底上制备了(100)取向 MgO薄膜.结果表明,衬 底温度和喷雾速率是制备(100)取向 MgO薄膜的关键问素在 600℃得到了(100)取向的 MgO薄 膜,用X射线衍射(XRD)。 展开更多
关键词 氧化镁 薄膜 喷雾热分解 超导体材料 铁电薄膜
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溶胶-凝胶法制备MgO薄膜的研究 被引量:4
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作者 武光明 林成鲁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期631-632,共2页
本文采用非金属醇盐以醋酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100) 衬底上成功地制备了MgO 薄膜。结果表明,薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关。同时,用X射线衍射( XRD) 、原子力显微电镜(AFM) 和... 本文采用非金属醇盐以醋酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100) 衬底上成功地制备了MgO 薄膜。结果表明,薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关。同时,用X射线衍射( XRD) 、原子力显微电镜(AFM) 和透射电镜( TEM) 对薄膜的微观结构进行了分析。这种制备MgO 薄膜的新方法还未见有报道。 展开更多
关键词 薄膜 溶胶-凝胶法 制备 氧化镁
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低压、低功耗SOI电路的进展 被引量:2
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作者 多新中 张苗 +2 位作者 王连卫 林成鲁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-21,共7页
最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 ... 最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。 展开更多
关键词 绝缘层上硅 低功耗电路 集成电路 低压电路
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喷雾热分解法制备MgO薄膜的研究 被引量:1
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作者 武光明 +3 位作者 宋世庚 宋志棠 高剑侠 林成鲁 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第3期235-239,共5页
用简单的压缩空气式喷雾热分解法以醋酸镁为原料在Si(100) 衬底上成功地制备了(100) 取向的MgO 薄膜。结果表明,为获得(100) 取向的MgO 薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在6000C得到... 用简单的压缩空气式喷雾热分解法以醋酸镁为原料在Si(100) 衬底上成功地制备了(100) 取向的MgO 薄膜。结果表明,为获得(100) 取向的MgO 薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在6000C得到了(100) 取向的MgO 薄膜。同时,用X 射线衍射(XRD) 、原子力显微镜(AFM) 和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了分析。 展开更多
关键词 氧化镁 薄膜 喷雾热分解 制备 集成器件
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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响 被引量:1
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作者 多新中 刘卫丽 +3 位作者 张苗 高剑侠 林成鲁 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期145-149,共5页
用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在... 用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。 展开更多
关键词 X射线多晶衍射 背散射沟道分析 氢离子注入 热退火 应力 晶体结构
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SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术
7
作者 黄继颇 多新中 +3 位作者 张苗 王连卫 林成鲁 《电子元器件应用》 2000年第5期4-7,共4页
近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速、低功耗的微电子主流产品微处理器等高性能芯片,该芯片不仅工作速度显著提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突... 近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速、低功耗的微电子主流产品微处理器等高性能芯片,该芯片不仅工作速度显著提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本文介绍了市场对低压、低功耗电路的需求,分析了SOI技术实现低压、低功耗电路的工作原理,综述了当前SOI低压、低功耗电路发展的新动向。 展开更多
关键词 绝缘层上的硅 低功耗 集成电路
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老年腰椎压缩性骨折的康复护理
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作者 王敏 《现代康复》 CSCD 1998年第5期454-455,共2页
对老年腰椎压缩性骨折的病人,除选择最佳治疗方法外,还必须制订恰当的康复护理措施,促进老年病人最大程度的功能康复以安度晚年,心理护理要贯穿康复护理的全过程,充分调动病人自身潜力可取得事半功倍的效果。周到细致的基础护理可... 对老年腰椎压缩性骨折的病人,除选择最佳治疗方法外,还必须制订恰当的康复护理措施,促进老年病人最大程度的功能康复以安度晚年,心理护理要贯穿康复护理的全过程,充分调动病人自身潜力可取得事半功倍的效果。周到细致的基础护理可减少并发症,增强体质是康复的必要保障,方法有效、循序渐进的功能康复是康复过程的根本,必要的卫生宣教可帮助病人掌握康复知识和锻炼的方法,在康复护理中起积极作用。 展开更多
关键词 老年性 腰椎压缩性骨折 康复护理 身体康复
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