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LIGA技术X光深层光刻工艺研究 被引量:3
1
作者 陈迪 李昌敏 +3 位作者 吉良 伊福廷 周狄 郭晓芸 《微细加工技术》 EI 2000年第2期66-69,共4页
通过在北京高能所 3W 1束线上进行的X光深层光刻工艺研究 ,获得了侧壁光滑、陡直 ,厚度达 1 0 0 μm ,深宽比达 2 0的光刻胶和金属微结构 ,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
关键词 LIGA技术 X光深层光刻 VLSI 微机电系统
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Φ2mm微马达驱动旋转式微泵 被引量:5
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作者 吉良 杨春生 +2 位作者 赵小林 张卫平 蔡炳初 《微细加工技术》 EI 2000年第1期55-60,共6页
在生物医学、化学液体的流量检测与分析及固态元器件冷却等领域中 ,均需要流量的精细控制和检测系统。在这类流量精细控制和检测系统中 ,微小型泵是一个基本元件。作者利用上海交通大学研制成功的、由微细加工工艺制备的、直径为2mm的... 在生物医学、化学液体的流量检测与分析及固态元器件冷却等领域中 ,均需要流量的精细控制和检测系统。在这类流量精细控制和检测系统中 ,微小型泵是一个基本元件。作者利用上海交通大学研制成功的、由微细加工工艺制备的、直径为2mm的电磁型微马达作驱动源 ,并配以电火花加工工艺制备的蜗壳和Ti合金叶轮制成旋转式微泵。微泵的外形尺寸为Φ4 5× 6 5mm ,最大流量可达 1 2ml/min ,流量可根据马达转速进行调节。 展开更多
关键词 电磁型微马达 钛合金叶轮 旋转式微泵 流量控制
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溅射Ta薄膜的内应力 被引量:4
3
作者 杨春生 吉良 +1 位作者 赵小林 毛海平 《微细加工技术》 1994年第4期60-63,共4页
本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从0.1μm~0.25μm的Ta薄膜,通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片,测定Ta薄膜的内应力。研究结果表明:在通常的溅射条件下,Ta溅射膜的内应力为压应力;随着溅射功率的提... 本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从0.1μm~0.25μm的Ta薄膜,通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片,测定Ta薄膜的内应力。研究结果表明:在通常的溅射条件下,Ta溅射膜的内应力为压应力;随着溅射功率的提高,其内应力逐步增大;当基片偏压升高,内应力也呈上升的趋势,但其对内应力的影响大于溅射功率的改变。不同的基片对Ta膜内应力的大小也有一定的影响。 展开更多
关键词 溅射 薄膜 内应力 钽薄膜
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聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究 被引量:3
4
作者 钱建国 吉良 +3 位作者 张明生 郭晓芸 毛海平 倪智平 《微细加工技术》 EI 2000年第3期29-34,共6页
主要研究了不同的反应离子刻蚀条件 (氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等 )下所获得的不同刻蚀效果。当以O2 /CHF3 作为工作气体时 ,在一定的工艺条件下实现了高深宽比 (深度 2 3μm ,深宽比 >7)、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻... 主要研究了不同的反应离子刻蚀条件 (氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等 )下所获得的不同刻蚀效果。当以O2 /CHF3 作为工作气体时 ,在一定的工艺条件下实现了高深宽比 (深度 2 3μm ,深宽比 >7)、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果 ;同时还观察到随着CHF3 浓度的增加 ,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律。利用CF2 钝化膜保护模型可很好解释这一现象。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 聚酰亚胺 氧基工作气体
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LIGA技术在医疗器械制备中的应用 被引量:3
5
作者 吉良 周勇 陈迪 《微细加工技术》 EI 1998年第3期63-71,共9页
文报道了近几年来 LIGA技术的改进 (如制备活动微结构和特殊形状侧壁以及与集成电路的准单元集成等 ) ,描述了用 L IGA技术制备的器件和微系统在医疗中的应用 ,包括微执行器、液体控制系统 (微泵和微阀 )、微光谱仪、光化学分析系统等。
关键词 LIGA技术 医疗器械 微光谱仪 光化学分析系统
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用快速傅立叶变换(FFT)求解磁性薄膜的退磁场
6
作者 张明生 蔡炳初 +1 位作者 赵小林 吉良 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1998年第2期34-37,42,共5页
详细阐述了用快速傅立时变换法求解磁性薄膜的退磁场的原理,具体计算了实例,并与磁偶极子法作了比较。
关键词 快速傅立叶变换 退磁场 磁性薄膜 磁学
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用磁性液体显示和观察微型磁性薄膜元件中的微磁结构的方法与实践 被引量:1
7
作者 余晋岳 张明生 +3 位作者 周狄 吉良 张宏 魏福林 《物理测试》 CAS 1998年第1期34-37,共4页
对微型磁性薄膜元件中微磁结构和微磁过程的观察和分析是它的设计和应用的基础。本文介绍了用磁性液体显示微型磁性薄膜元件中磁畴结构的方法,并应用该方法观察和分析了微型条件元件和磁阻(MP)传感元件中的磁化和反磁化过程。
关键词 磁性液体 磁性薄膜元件 磁畴结构 微磁结构
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退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响 被引量:1
8
作者 周勇 赵小林 +1 位作者 吉良 周狄 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期252-254,共3页
详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄... 详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。 展开更多
关键词 非晶TbFeCo薄膜 退火效应 磁滞回线 磁各向异性
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CoZrNb磁控溅射的背散射研究
9
作者 吉良 《微细加工技术》 1993年第4期57-62,共6页
对于各组份原子质量相差显著的CoZrNb合金,当使用磁控溅射时,在靶和基板之间存在不同的实际源,由这个实际源发生的粒子将在靶死区内背散射沉积。实际源到靶的距离随溅射工作气体压力而变化。对于原子质量较大的Zr和Nb,这种背散射的程度... 对于各组份原子质量相差显著的CoZrNb合金,当使用磁控溅射时,在靶和基板之间存在不同的实际源,由这个实际源发生的粒子将在靶死区内背散射沉积。实际源到靶的距离随溅射工作气体压力而变化。对于原子质量较大的Zr和Nb,这种背散射的程度要比原子质量小的Co更严重。背散射沉积薄膜的表面微结构证实,这种背散射沉积过程类似于真空蒸发。为了获得理想配比的CoZrNb薄膜,应该选择合适的溅射工作气体压力。 展开更多
关键词 磁控溅射 背散射 铌锆铬合金
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近邻软磁层偏置磁阻磁头结构参数设计的数学模型
10
作者 周勇 赵小林 +1 位作者 蔡炳初 吉良 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期182-187,共6页
概述了软磁层偏置磁阻磁头的工作原理和特点 ,采用传输线模型对其工作点的选取和结构参数进行了初步设计 。
关键词 近邻软磁层 偏置 磁阻磁头 结构参数设计
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溅射条件对Al_2O_3薄膜介电强度和沉积速率的影响
11
作者 吉良 李明 +2 位作者 杨春生 赵小林 宋柏泉 《微细加工技术》 1995年第1期25-32,共8页
用射频溅射方法,在不同工作气体(纯Ar和Ar+10%O_2)和不同基片偏压(-30V到-180V,间隔-30V)下,由烧结Al_2O_3靶材制备Al_2O_3薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率,对部分样品的结构和成... 用射频溅射方法,在不同工作气体(纯Ar和Ar+10%O_2)和不同基片偏压(-30V到-180V,间隔-30V)下,由烧结Al_2O_3靶材制备Al_2O_3薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率,对部分样品的结构和成份分别用XPS和X射线进行了分析。结果表明:薄膜均呈非晶态;在两种工作气体中,随着基片负偏压的升高,沉积速率和介电强度均下降,但在-60V偏压时,介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降,但提高了介电强度。在含氧和-60V偏压下,Al_2O_3薄膜的平均介电强度为3.46MV/cm。纯氩气氛中制备的Al_2O_3薄膜是缺氧的,而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。 展开更多
关键词 射频溅射 介电强度 沉积速率 氧化铝薄膜
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材料性能对近邻软磁层(SAL)偏置型磁电阻头偏置影响的微磁学分析
12
作者 张明生 赵小林 +1 位作者 吉良 蔡炳初 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1997年第3期31-35,共5页
采用微磁学的方法.计算了SAL偏置型磁电阻头的磁电阻元件(MR)和SAL的磁化强度和磁各向异性场对偏置的影响,为SAL偏置型磁电阻头的设计和制造提供了理论依据。
关键词 微磁学 磁电阻磁头 偏置 磁化强度 磁各向异性场
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射频集成电感器的快速傅立叶变换模拟及制备
13
作者 向三名 吉良 张明生 《微细加工技术》 2002年第1期40-44,共5页
应用磁镜像法和快速傅立叶变换 (FFT)法对单片微波集成电路 (MMIC)的薄膜平面射频集成电感器进行了电磁学模拟 ,并把模拟结果和有限元法 (FEM )模拟的结果[1] 进行了比较。根据模拟结果 ,对薄膜平面射频集成电感器结构参数和加工参数进... 应用磁镜像法和快速傅立叶变换 (FFT)法对单片微波集成电路 (MMIC)的薄膜平面射频集成电感器进行了电磁学模拟 ,并把模拟结果和有限元法 (FEM )模拟的结果[1] 进行了比较。根据模拟结果 ,对薄膜平面射频集成电感器结构参数和加工参数进行了优化 ,改进了薄膜平面射频集成电感器的工艺方案。最后结合薄膜平面射频集成电感器薄膜的高频损耗分析 。 展开更多
关键词 射频 集成电感器 快速傅立叶变换法 磁镜像法
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微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动
14
作者 余晋岳 蔡炳初 +4 位作者 张明生 吉良 赵小林 周狄 魏福林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期15-17,共3页
从NiFe磁阻(Magneto-Resistive)薄膜传感元件的实际结构出发,全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现,由于实际元件是不规则形状的,特别是由于引线形状各向异性的影响,即使在传感器形状比(aspectrati... 从NiFe磁阻(Magneto-Resistive)薄膜传感元件的实际结构出发,全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现,由于实际元件是不规则形状的,特别是由于引线形状各向异性的影响,即使在传感器形状比(aspectratio)大于50:1时,传感器中仍然不是单畴的。实验中具体观察了从引线衍生到传感器有效区域的钩形畴活动和它的不可逆转变,说明它是产生Barkhausen跳跃的一个潜在的物理原因。这是过去文献中所未曾充分注意和研究过的。 展开更多
关键词 传感元件 反磁化 磁畴 钩形畴 传感器 磁阻薄膜
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溅射气体和基板偏压对溅射Al_2O_3薄膜内应力和密度的影响
15
作者 吉良 李明 +2 位作者 杨春生 赵小林 宋柏泉 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第1期58-61,共4页
在纯Ar和Ar+10%O2两种工作气体及不同基极偏压条件下,用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜,测量了每个样品的内应力和密度,并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明,薄膜呈非晶态,薄膜的内应力均为压应力,并给出了气体... 在纯Ar和Ar+10%O2两种工作气体及不同基极偏压条件下,用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜,测量了每个样品的内应力和密度,并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明,薄膜呈非晶态,薄膜的内应力均为压应力,并给出了气体种类和们压对膜的密度和应力的影响。 展开更多
关键词 射频溅射 薄膜 内应力 密度 氧化铝
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DEM技术研究 被引量:19
16
作者 陈迪 张大成 +5 位作者 丁桂甫 赵小林 吉良 杨春生 蔡炳初 武国英 《微细加工技术》 1998年第4期1-6,共6页
首次提出用DEM(Deepetching,Electroforming,Microreplication)技术进行非硅材料三维微机械加工,该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的优点,解决了LIGA技术的光源问题。... 首次提出用DEM(Deepetching,Electroforming,Microreplication)技术进行非硅材料三维微机械加工,该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的优点,解决了LIGA技术的光源问题。目前利用该技术已获得了微复制模具雏形,其加工深度已达到180μm,深宽比大于20。利用该技术可对非硅材料,如金属、塑料或陶瓷进行三维微加工。该技术的开发成功,可望成为一项全新的三维微加工技术。 展开更多
关键词 DEM技术 深层刻蚀 微电铸 微复制 LIGA技术
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