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题名浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计
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作者
吴玉舟
李泽宏
禹久赢
潘嘉
陈冲
任敏
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
上海超致半导体科技有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第8期606-611,共6页
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基金
江苏省重点研发计划项目(BE2020010)。
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文摘
针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击穿电压高于660 V,在导通电流20 A时,其饱和导通压降为1.7 V,相比于传统超结IGBT器件更低,关断能量为0.23 mJ,远低于传统超结IGBT器件的3.3 mJ,较低的导通压降和关断能量使得FP-SJIGBT器件的电流密度可达449 A/cm^(2)。此外,在400 V直流母线电压下,FP-SJ-IGBT器件具有不低于10μs的短路时间。
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关键词
浮空p柱
超结
IGBT
寄生双极结型晶体管
电导调制
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Keywords
floating p-pillar
super junction
IGBT
parasitic bipolar junction transistor
conductivity modulation
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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