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氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究 被引量：5
1
作者 祁英昆 张溪文 +6 位作者 郝天亮 董博 沈鸽 杜丕一 翁文剑 赵高凌 韩高荣 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期510-512,540,共3页
本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形... 本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 。 展开更多
关键词 光电薄膜材料 制备 性能 氮化硼 热丝辅助等离子体增强化学气相沉积 紫外吸收 衬底预处理 半导体材料
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BN薄膜的制备及BP_xN_(1-X)薄膜的紫外光敏特性
2
作者 祁英昆 张溪文 +1 位作者 徐世友 韩高荣 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第3期253-256,共4页
采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(<500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料。通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)对薄膜样品的组成和结构进行了分析,探讨了温度... 采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(<500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料。通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)对薄膜样品的组成和结构进行了分析,探讨了温度和等离子体对沉积BN薄膜的影响。此外,用紫外-可见光分光光度计(UV)测试了石英衬底上生长磷掺杂氮化硼(BPXN1-X)薄膜样品的紫外吸收特征,分析了磷掺杂对BN光学能隙的调节作用以及BPXN1-X薄膜在紫外空间探测领域的应用前景。结果表明,以单晶硅和光学石英玻璃为衬底在低温条件下用HF-PECVD方法可以沉积较高质量的BN薄膜,BN的光学能隙宽度通过磷的掺杂可以得到连续调节,在紫外空间光探测领域具有很大的应用潜力。 展开更多
关键词 BN薄膜 HF-PECVD 氮化硼 低温制备 磷 掺杂 紫外光探测 FTIR XRD SEM
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BP_xN_(1-x)薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响 被引量：1
3
作者 徐世友 祁英昆 +1 位作者 张溪文 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期335-338,共4页
本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ... 本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ;紫外 可见光光谱结果显示BPxN1 -x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此 ,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外 ,BPxN1 展开更多
关键词 BPxN1-x薄膜 制备 磷元素 掺杂 紫外液晶光阀 光学能隙 热丝辅助射频化学气相沉积 氮化硼
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横向双锥快速生长35%DKDP晶体的研究 被引量：1
4
作者 蔡序敏 祁英昆 +4 位作者 赵元安 胡国行 李国辉 胡子钰 郑国宗 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期587-591,597,共6页
在ICF工程中Ⅱ类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为Ⅱ类三倍频晶体是很有必要的。采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照Ⅱ类方... 在ICF工程中Ⅱ类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为Ⅱ类三倍频晶体是很有必要的。采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照Ⅱ类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70%DKDP晶体进行对比。实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1. 8倍,而在881. 7 cm^(-1),35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小。 展开更多
关键词 DKDP晶体 损伤阈值 横向双锥生长 横向受激拉曼散射
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点籽晶定向生长70%DKDP晶体的研究
5
作者 胡子钰 张敏 +4 位作者 林秀钦 祁英昆 卢俊业 李静雯 郑国宗 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1776-1781,共6页
磷酸二氢钾(KDP)类晶体快速生长主要采用点籽晶快速生长方法,三维生长的点籽晶不可避免的会使晶体产生柱锥交界线,从而影响晶体的性能和质量。本文通过所设计的载晶架,改进传统点籽晶快速生长方法,采用点籽晶定向生长方法,成功生长出磷... 磷酸二氢钾(KDP)类晶体快速生长主要采用点籽晶快速生长方法,三维生长的点籽晶不可避免的会使晶体产生柱锥交界线,从而影响晶体的性能和质量。本文通过所设计的载晶架,改进传统点籽晶快速生长方法,采用点籽晶定向生长方法,成功生长出磷酸二氘钾晶体(70%DKDP),避开生长晶体中的柱锥交界线取片,并对其氘含量、透过率、抗激光损伤性能以及光学均匀性等指标进行了测试。结果表明:所生长的晶体氘含量符合设计要求,晶体透过率和抗激光损伤性能和传统点籽晶快速生长晶体保持一致。光学均匀性结果表明样片内部无柱锥交界线,对于大口径70%DKDP晶体的生长具有指导意义。 展开更多
关键词 DKDP晶体 定向生长 快速生长 柱锥交界线
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