期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
热处理对电沉积制备ZnS薄膜物相组成及光学性能的影响 被引量：8
1
作者 夏冬林 石正忠 +2 位作者 张兴良 王慧芳 刘俊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期392-395,共4页
采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响。结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜... 采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响。结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜呈非晶态,并且含有单质Zn。硫化热处理可以改善薄膜的结晶状况,减少杂质Zn的含量。硫气氛中450℃热处理4 h之后,薄膜中单质Zn全部反应生产ZnS,得到了纯的ZnS薄膜。没有经过热处理的薄膜,其可见光透射率在70%左右,热处理后薄膜样品的透射率降低,在硫气氛中热处理4 h的样品,其可见光透射率最低,为50%左右,热处理条件对薄膜样品的禁带宽度值基本没有影响。 展开更多
关键词 ZNS薄膜 电沉积 热处理 光学性能
下载PDF
电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜 被引量：5
2
作者 夏冬林 王慧芳 +2 位作者 石正忠 张兴良 李蔚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期862-866,871,共6页
以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制... 以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 等离子体增强化学气相沉积
下载PDF
沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响 被引量：3
3
作者 夏冬林 雷盼 +1 位作者 石正忠 徐俊 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期129-133,共5页
采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围... 采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60%降低到20%,薄膜的光学带隙约为3.97eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低. 展开更多
关键词 ZNS薄膜 电沉积 透过率 光学带隙
下载PDF
掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征 被引量：2
4
作者 夏冬林 王慧芳 +2 位作者 石正忠 张兴良 刘俊 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期296-304,共9页
以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的... 以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV. 展开更多
关键词 RF-等离子体增强化学气相沉积方法 非晶硅薄膜 折射率 消光系数 吸收系数 光学带隙
下载PDF
CuInS_2薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究 被引量：1
5
作者 夏冬林 张兴良 +3 位作者 宋明霞 石正忠 王慧芳 刘俊 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第21期1-4,共4页
采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不... 采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不同反应物Cu/In/S摩尔比对薄膜的晶相结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明：所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,沿（112）面择优取向生长。反应物Cu/In/S摩尔配比为1.5∶1∶6所生长的CuInS2薄膜晶粒尺寸分布均匀,表面平整致密。CuInS2薄膜的光学带隙宽度在1.97~2.05 eV范围内变化。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 CuInS2薄膜 晶体结构 表面形貌 光学性能
原文传递
场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜
6
作者 夏冬林 王慧芳 +1 位作者 石正忠 张兴良 《建材世界》 2010年第2期13-15,31,共4页
以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不... 以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征。实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 等离子体增强化学气相沉积
下载PDF
PLC在机电设备故障诊断中的应用研究
7
作者 石正忠 沈强 刘威 《中国科技期刊数据库 工业A》 2022年第3期111-113,共3页
我国社会经济正处于转型的关键阶段,各个领域都得到了空前发展,而机电领域也不例外,涌现出多种先进设备与技术,其中PLC技术并在机电设备故障诊断与维修中得到广泛应用,以此来切实提升诊断结果的准确率。为充分发挥PLC技术在此过程中的... 我国社会经济正处于转型的关键阶段,各个领域都得到了空前发展,而机电领域也不例外,涌现出多种先进设备与技术,其中PLC技术并在机电设备故障诊断与维修中得到广泛应用,以此来切实提升诊断结果的准确率。为充分发挥PLC技术在此过程中的功能价值,需要围绕该技术进行深入探究和分析,本文结合笔者的实践研究成果简要阐述PLC技术的控制原理,分析PLC技术在机电设备故障诊断中的重要性和有效性,着重阐述该技术在机电设备故障诊断中的应用路径,并以液压驱动伺服油缸控制系统为例进行细致讲解,最后提出在此过程中的注意事项,旨在为机电领域的创新发展提供借鉴和参考。 展开更多
关键词 PLC 机电设备 故障诊断 应用路径
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部