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一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT
1
作者
张海鹏
何健
+3 位作者
白
建
玲
张强
王颖
王彬
《电子科技》
2018年第11期11-14,共4页
针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联...
针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。
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关键词
槽栅
双单元
智能功率集成电路
通态电流
击穿电压
下载PDF
职称材料
春播结球白菜品种比较试验
2
作者
姬鹏
尹兆军
+1 位作者
李荣
白
建
玲
《吉林蔬菜》
2006年第2期52-52,共1页
关键词
品种比较试验
结球白菜
春播
优质高产高效
春季栽培
春化阶段
先期抽苔
适宜品种
叶球
植株
下载PDF
职称材料
题名
一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT
1
作者
张海鹏
何健
白
建
玲
张强
王颖
王彬
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
出处
《电子科技》
2018年第11期11-14,共4页
基金
国家自然科学基金(61774052)
文摘
针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。
关键词
槽栅
双单元
智能功率集成电路
通态电流
击穿电压
Keywords
trench gates
double cells
SPIC
on - state current
breakdown voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
春播结球白菜品种比较试验
2
作者
姬鹏
尹兆军
李荣
白
建
玲
机构
山东省费县农业局
出处
《吉林蔬菜》
2006年第2期52-52,共1页
关键词
品种比较试验
结球白菜
春播
优质高产高效
春季栽培
春化阶段
先期抽苔
适宜品种
叶球
植株
分类号
S634.1 [农业科学—蔬菜学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT
张海鹏
何健
白
建
玲
张强
王颖
王彬
《电子科技》
2018
0
下载PDF
职称材料
2
春播结球白菜品种比较试验
姬鹏
尹兆军
李荣
白
建
玲
《吉林蔬菜》
2006
0
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职称材料
已选择
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参考文献
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